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  • 本申请涉及一种背接触电池、背接触电池串及背接触光伏组件。该背接触电池包括:电池片;第一极主栅,用于电连接背接触电池串的第一导电连接件;多个第一极细栅;第二极主栅,用于电连接至背接触电池串的第二导电连接件;以及多个第二极细栅;第一极细栅在第二...
  • 本申请涉及一种金属半导体接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件。金属半导体接触结构包括相互接触的金属电极和半导体层,金属电极具有金属元素,半导体层具有半导体元素和用于对半导体层进行掺杂的掺杂元素;在金属电极与半导体层的接触界面具有导电结构...
  • 本申请涉及一种电池片及光伏组件,电池片包括基板以及铺设在基板表面的多条细栅,细栅沿基板的第一方向延伸,并且各条细栅沿基板的第二方向间隔设置,每条细栅上均设有用于承载助焊层并用于与焊带连接的焊盘,细栅连接于焊盘的一侧边缘位置,其中,第一方向与...
  • 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池包括衬底。以及层叠设置于衬底的表面上的吸光层和透明导电层。透明导电层设置于吸光层远离衬底的一侧。透明导电层包括折射渐变部。沿垂直于透明导电层的厚度方向上,折射渐变部的晶格取向逐渐变化。当入...
  • 本发明涉及太阳电池领域,公开一种电极结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件,所述电极结构包括:种子层;导电金属层,所述导电金属层位于所述种子层之上;保护层,所述保护层包括顶面保护层和侧面保护层,所述顶面保护层设于所述导电金属层背离所述种子层的...
  • 本发明公开了一种背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件,该背接触太阳电池包括半导体衬底;设置在半导体衬底背光面的第一导电膜层和第二导电膜层,第一导电膜层和第二导电膜层呈叉指状排列设置;其中,第一导电膜层中的导电掺杂元素为第一掺杂元素,第二导电...
  • 本申请提供了一种太阳电池处理方法、太阳电池及光伏组件,其中太阳电池处理方法包括:将栅线浆料印刷至太阳电池对应的正面集流栅线的图案处,并经预烧结处理,制备正面预制集流栅线;采用第一激光对具有正面预制集流栅线的太阳电池的正面进行激光照射,同时采...
  • 本发明公开了太阳能电池用硅片、太阳能电池及其制备方法和光伏组件,涉及光伏技术领域。由于硅片侧面棱边通常为直角,导致其在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)过程中因几何阴影效应和电场分布不均,棱边区域易出现钝化层沉积不良的问题,最终影响电池...
  • 本申请提供了一种背接触太阳电池及其制备方法、背接触太阳电池组件,背接触太阳电池包括硅基底、第一掺杂硅层、第二掺杂硅层和导通块;第一掺杂硅层和第二掺杂硅层均设于硅基底的背面,第一掺杂硅层和第二掺杂硅层的掺杂类型相反且通过隔离区隔开;导通块设于...
  • 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池包括硅衬底。硅衬底上设置有电池主体结构以及至少一个伪栅结构,伪栅结构位于电池主体结构和硅衬底的至少一个边缘之间。电池主体结构包括间隔设置于硅衬底上的第一掺杂硅材料层和第二掺杂硅材料层,第一...
  • 本发明提供了一种背接触电池及其制备方法,该背接触电池在第一掺杂区和第二掺杂区之间的第三掺杂区内通过高温扩散使掺杂元素穿透形成漏电通道,从而提供新的背接触电池背面结构。本发明的第三掺杂区为第一掺杂区掺杂元素和第二掺杂区掺杂元素的混合,一步高温...
  • 本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制造方法,该太阳能电池包括:硅基底,具有相对的正面和背面;第一正面隧穿层和第一正面掺杂层,依次设置在正面上;第二正面隧穿层和第二正面掺杂层,依次设置在第一正面掺杂层的局部区域上,第一正面掺杂层的掺杂浓...
  • 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。上述太阳电池包括硅基底,硅基底的背面依次层叠设置有第一隧穿氧化层、第一磷掺杂多晶硅层、氮掺杂多晶硅层和第二磷掺杂多晶硅层;其中,第一磷掺杂多晶硅层的磷掺杂浓度与第二磷掺杂多晶硅层的磷掺杂浓度不同...
  • 本发明提供了透镜结构光学传感器芯片的扇出封装结构和制作工艺,其在满足感光芯片封装要求性能和封装结构的同时,还大幅降低了封装成本。其包括:芯片,其为光学传感器芯片,所述芯片的上表面区域设置有焊垫、感光区;塑封层;黑色绝缘层,其下表面设置有若干...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,太阳电池包括硅基底、第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层和导通块;硅基底背面具有第一掺杂区、第二掺杂区和隔离区,隔离区位于第一掺杂区和第二掺杂区之间;第一掺杂多晶硅层设于硅基底背面且位于第一掺杂...
  • 本申请提供了一种太阳电池制备方法、太阳电池及光伏组件,通过PED工艺在第一掺杂层背离第一本征非晶硅层的一面制备第一TCO膜层,PED工艺采用频率为3MHz~30MHz的交流脉冲电流;在第二掺杂层背离第二本征非晶硅层的一面制备第二TCO膜层,...
  • 本申请公开了一种晶硅太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域。制备方法包括:对整晶硅太阳能电池进行切割处理,制备获得具有至少一个裂面的多个分晶硅太阳能电池;对每个分晶硅太阳能电池的裂面进行一次退火处理,一次退火处理为将分晶硅太阳能电池...
  • 本发明公开了一种To管座与TEC的封装方法,属于电子封装技术领域。本发明首先对TO管座和TEC进行精细的清洁处理,去除表面杂质及氧化物。选用特定配方的钎料及与之适配的助焊剂,精确控制钎焊温度曲线,在适宜的保护气体氛围下进行钎焊操作。通过专用...
  • 本发明为双面锗基热辐射光伏器件结构和制备方法,方法包含以下过程:S1对P型锗片进行双面抛光处理;S2对P型锗片的一面沉积掺磷的纳米晶硅薄膜层,得到正面;S3对P型锗片进行退火,得到掺磷的硅锗层;S4对P型锗片的背面依次进行a‑SiCx、Al...
  • 本发明涉及涂层技术领域,具体公开了一种太阳能光伏板用功能性涂层的制备方法,包括以下步骤:S1、将钛源、石墨烯与酸混合,加热至85~120℃进行反应,保持25~45h,制得第一中间物;S2、将步骤S1制得的第一中间物溶解在去离子水中,搅拌并加...
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