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  • 本发明公开了一种晶圆清洗设备的自动换液装置及换液方法,该换液装置,包括:清洗槽、顺序换液器、加热组件、外循环供液系统,其中,顺序换液器内设置有多个容积可膨缩变化的储液腔,位于首尾两端的储液腔均与清洗槽的内腔连通,不同批次晶圆清洗产生的清洗液...
  • 本发明属于半导体清洗工艺技术领域,具体地说是一种方形基板工艺的高温SPM自动混酸喷头,包括混酸器及喷头主体。混酸器的内部分别开设有一级混酸腔室、二级混酸腔室、三级混酸腔室、导液通道A、导液通道B,混酸器上还分别开设有进液口A、进液口B。喷头...
  • 本发明公开了一种晶圆后处理装置和方法,属于半导体制造技术领域,该晶圆后处理装置包括:箱体;支撑组件,设置于箱体中,其包括主动轮和从动轮,以竖向支撑并带动晶圆转动;清洗刷,水平设置于箱体中并绕轴线转动,以刷洗晶圆;所述从动轮内部设置有垫圈,所...
  • 本发明公开了一种晶圆后处理装置和方法,属于半导体制造技术领域,该晶圆后处理装置包括:箱体;支撑组件,设置于箱体中,其包括主动轮和从动轮,以竖向支撑并带动晶圆转动;清洗刷,水平设置于箱体中并绕轴线转动,以刷洗晶圆;所述从动轮内部设置有垫圈,所...
  • 本发明公开了一种晶圆后处理装置和方法,属于半导体制造技术领域,该晶圆后处理装置包括:箱体;支撑组件,设置于箱体中,其包括主动轮和从动轮,以竖向支撑并带动晶圆转动;清洗刷,水平设置于箱体中并绕轴线转动,以刷洗晶圆;所述从动轮内部设置有垫圈,所...
  • 本申请涉及半导体制造技术领域,尤其是涉及一种翘曲晶圆真空校平及主动控温的超薄冷板,包括至少一个冷板组件、主动控温模块及真空调节单元;所述冷板组件为一体成型结构,其内部设有冷却流道和真空流道;所述主动控温模块与冷却流道串联连通,以形成冷温水循...
  • 本发明涉及半导体制造领域中晶圆背面清洗环节,且公开了一种晶圆背面清洗压力控制机构及其控制方法,包括基板和固定连接在基板顶部的支架,所述基板的左侧设置有吸盘,所述吸盘的顶部设置有晶圆,所述支架的顶部设置有滚珠花键模组。本发明通过设置压力传感器...
  • 本发明公开了一种真空升降机构及其升降应用方法,该真空升降机构包括:波纹管、升降轴、抽真空单元,所述抽真空单元包括:法兰圈、密封套管、导向密封件、单向阀,所述波纹管套在升降轴外,所述波纹管一端与升降轴连接、另一端与法兰圈连接,所述法兰圈固定在...
  • 本发明公开了一种托盘芯片摆放平整度检测系统,涉及半导体制造检测技术领域。该系统包括多角度光学成像模块、光谱共焦测量模块、自适应照明系统、运动控制模块和数据处理与AI决策模块。通过双角度偏振成像快速筛查疑似翘起芯片,再结合光谱共焦传感器进行高...
  • 本发明提供了一种半导体设备及其控制方法,半导体设备包括对接机构、控制模块、晶圆传送装置和若干个机台;对接机构包括若干适配器、安装基座、以及与控制模块连接的对接臂、第一定位组件和第二定位组件,若干适配器的两个接口部分别与晶圆传送装置的第二闸阀...
  • 本申请公开一种半导体工艺设备,所公开的半导体工艺设备包括基板装卸腔室、传输腔室、工艺腔室和前端模块;传输腔室位于基板装卸腔室和工艺腔室下方,基板装卸腔室和工艺腔室分别用于与传输腔室连通,以在基板装卸腔室、传输腔室和工艺腔室之间传输基板,前端...
  • 本发明涉及一种硅片边缘刻蚀装置和硅片边缘刻蚀方法,硅片边缘刻蚀装置包括用于对硅片的边缘进行刻蚀的工艺腔室,工艺腔室包括相对盒设置的第一腔体和第二腔体,第一腔体和第二腔体之间设置有隔离挡墙,使得工艺腔室划分为非刻蚀腔室以及位于非刻蚀腔室外围的...
  • 本发明属于半导体制造技术领域,具体的说是一种提升晶片背面清洗品质的单片清洗机及清洗方法,包括:底座,所述底座上固定有箱体;支撑组件,设置于箱体内部,所述支撑组件包括支撑盘,所述支撑盘上的边缘位置对称设置有多组限位支撑机构,通过所述限位支撑机...
  • 本申请公开一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法,包括摆臂;加热夹具、控制装置;加热夹具带动硅片旋转;控制装置执行以下步骤,包括:将硅片刻蚀区域划分为多个同心环形区域;根据硅片膜厚分布数据,确定硅片膜厚均值、环形区域膜厚差异和硅片局部区域膜厚差异;...
  • 本发明公开了一种基于HF与乙醇混合气体的气相刻蚀系统及其工艺,气相刻蚀系统包括气相刻蚀设备、乙醇气柜、HF气柜与真空传输模块,乙醇气柜、HF气柜分别通过管道与气相刻蚀设备的进气口连通,气相刻蚀设备的出气口还连通设置有第一干式真空泵,气相刻蚀...
  • 本发明公开了一种半导体器件封装系统及其方法,包括工作台,和固定于工作台上的第一固定架,以及工作台上的送料组件,所述第一固定架内设置有封装组件,所述送料组件包括设置于工作台上直线电机模组,所述直线电机模组用于驱动治具板水平往复移动,所述封装组...
  • 本公开实施例提供一种离子注入方法、制造设备、设备、介质及程序产品,方法包括:获取离子注入机台执行晶圆的多次离子注入处理后,所述晶圆对应的多组电阻信息;其中,一组电阻信息对应晶圆的一次离子注入处理,且每次离子注入处理所对应的工艺参数一致,而晶...
  • 本发明公开了一种晶圆生产加工的槽式清洗机,本发明涉及清洗机技术领域,包括清洗组件,该清洗组件用于晶圆清洗时清洗液喷淋导流,所述清洗组件的底部固定安装有箱体,所述箱体的表面转动安装有防护门。该晶圆生产加工的槽式清洗机,通过工作人员将放置板与限...
  • 本发明公开了一种快锁式键合机,包括基座、下腔体和盖板,所述盖板上连接有下压臂,所述下压臂的第一端与基座的支撑臂铰接,所述下压臂的第二端设置锁紧凹槽,所述基座上设有锁紧机构,所述锁紧机构包括锁紧支座,所述锁紧支座上设有门扣式快速夹具,所述门扣...
  • 本发明公开了一种晶圆保护膜贴附的激光自适应裁边系统及方法,所述系统包括晶圆承载台;膜材识别单元,包括光源、红外光谱仪和探测器,基于近红外特征吸收峰识别保护膜类型;激光发射单元,设置在所述晶圆承载台上方,根据所述晶圆保护膜类型自动调整激光裁切...
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