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最新专利技术
  • 燃气轮机内衬用氧化铝耐火材料及制备方法
    燃气轮机内衬用氧化铝耐火材料及制备方法_洛阳迈乐耐火材料有限公司_202511315510.2
    本发明提供一种燃气轮机内衬用氧化铝耐火材料，组分包括主原料：按质量份数计，烧结莫来石14.9‑15份，板状刚玉76.8‑77.3份，α‑型氧化铝粉3.6份；制成原料还包括辅料，其使用量均为相对于主原料重量的百分比：三聚磷酸钠0.2%，莫来石...
    2026-02-21
  • 高致密氧化铝陶瓷的制备方法及高致密氧化铝陶瓷
    高致密氧化铝陶瓷的制备方法及高致密氧化铝陶瓷_苏州哈腾科技有限公司_202511481354.7
    本发明公开一种高致密氧化铝陶瓷的制备方法及高致密氧化铝陶瓷，制备方法包括以下步骤：在α‑Al2O3粉体中加入硅烷偶联剂乙醇溶液进行改性处理，得到改性粉体；对改性粉体进行掺杂处理，得到掺杂粉体，掺杂粉体中改性粉体质量百分比大于97.5%；在石...
    2026-02-21
  • 一种氧化铝平板陶瓷膜的制备方法
    一种氧化铝平板陶瓷膜的制备方法_雅安沃克林环保科技有限公司_202511376339.6
    本发明提供一种氧化铝平板陶瓷膜的制备方法，属于陶瓷膜技术领域。该方法包括以下步骤：配置打印浆料；采用光固化3D打印技术形成一层氧化铝分离层；脱脂预烧结；采用激光烧蚀技术对氧化铝分离层进行烧蚀；重复，得到氧化铝平板陶瓷膜半成品；烧结，得到氧化...
    2026-02-21
  • 一种高强度氧化铝悬式绝缘子的制备方法
    一种高强度氧化铝悬式绝缘子的制备方法_江西新龙电瓷电器制造有限公司_202511367958.9
    本发明公开了一种高强度氧化铝悬式绝缘子的制备方法，涉及到绝缘子领域，包括对坯料原料依次进行球磨、除杂、水分控制、干燥、修坯、烘干、上釉、烧结得到高强度氧化铝瓷绝缘子体。本发明中采用氧化铝代替铝矾土原料制备得到绝缘子，减少了铁钛杂质，同时添加...
    2026-02-21
  • 一种氧化铝基瓷绝缘子瓷体及其制备方法
    一种氧化铝基瓷绝缘子瓷体及其制备方法_江西省怡龙电气有限公司_202511334172.7
    本发明涉及氧化铝陶瓷材料制备技术领域，尤其是一种氧化铝基瓷绝缘子瓷体及制备方法。一种氧化铝基瓷绝缘子瓷体包括使用界面修复型氧化铝和烧结助剂制成；所述界面修复型氧化铝与所述烧结助剂的质量比为100 : (5‑10)；所述烧结助剂为氧化锆、稀土...
    2026-02-21
  • 耐高温特种陶瓷及其制备方法
    耐高温特种陶瓷及其制备方法_山东博晟新材料有限公司_202511305715.2
    本发明属于特种陶瓷制备技术领域，具体的涉及一种耐高温特种陶瓷及其制备方法。所述的耐高温特种陶瓷，以重量份数计，原料组成如下所示：煅烧高岭土22‑24份、红柱石20‑22份、板状刚玉30‑32份、方解石2.5‑4.5份、磷酸铈1.3‑2.3份...
    2026-02-21
  • 一种辐射制冷低温共烧Al2O3陶瓷片及其制备方法
    一种辐射制冷低温共烧Al2O3陶瓷片及其制备方法_扬州大学_202511304933.4
    本发明公开了建筑工程材料领域内的一种辐射制冷低温共烧Al2O3陶瓷片及其制备方法，该方法步骤为：1)在高速混合机中加入玻璃粉、Al2O3填料、有机粘接剂、分散助剂于低转速搅拌混合，加入增塑剂后启动高速搅拌混合至温度达到70±5℃，转至低转速...
    2026-02-21
  • 一种适用于高精度薄层光固化打印的浆料及其制备方法
    一种适用于高精度薄层光固化打印的浆料及其制备方法_武汉理工大学_202511281455.X
    本发明公开了一种适用于高精度薄层光固化打印的浆料，各组分及其所占重量份数包括：陶瓷粉体15~75份，复合光敏树脂单体20~80份，光引发剂0.1~10份，分散剂0.1~10份，流变助剂0.01~20份；所述复合光敏树脂单体包含单官能度光敏树...
    2026-02-21
  • 一种减小氧化铝陶瓷色差的方法
    一种减小氧化铝陶瓷色差的方法_华南理工大学_202511114900.3
    本发明公开了一种减小氧化铝陶瓷色差的方法，属于无机非金属材料技术领域。该方法包括以下步骤：通过干压或者等静压制备氧化铝陶瓷坯体；将镧盐溶解于水中，配制成含镧溶液；通过浸渍、刷涂或喷涂方式让溶液均匀、充分地进入素坯；将素坯高温烧结。该方法能显...
    2026-02-21
  • 一种高强高抗蚀镁铬砖及其制备方法
    一种高强高抗蚀镁铬砖及其制备方法_河南瑞泰耐火材料科技有限公司_202511397556.3
    本发明属于耐火材料技术领域，公开了一种高强高抗蚀镁铬砖，由以下质量百分比的组分制备而成：粒度5~3mm的铬‑36镁铬熔块6～10%、粒度3~1mm的铬‑36镁铬熔块12～16%、粒度3~1mm的铬‑20镁铬熔块30～34%、粒度1~0mm的...
    2026-02-21
  • 一种高耐压强度蓄热砖及其制备工艺
    一种高耐压强度蓄热砖及其制备工艺_山东自贸区金喆新能源科技有限公司_202511527563.0
    本发明公开了一种高耐压强度蓄热砖及其制备工艺，属于耐火材料技术领域，所述工艺包括以下步骤：原料预处理、铁的萃取、钙的萃取、浓缩结晶、制备微晶粉末、原料称取、混合、分段加压成型、高温烧结和后处理。本发明通过对菱镁矿原料进行精细预处理，有效去除...
    2026-02-21
  • 一种采用铜渣浮选尾矿制备多组分镁质耐火材料的方法
    一种采用铜渣浮选尾矿制备多组分镁质耐火材料的方法_巩义通达中原耐火技术有限公司_202511483321.6
    本发明属于镁质耐火材料领域，涉及一种采用铜渣浮选尾矿制备多组分镁质耐火材料的方法。所述耐火材料的原料组成为：6~12wt%的粒径为3~5mm的烧结镁砂颗粒、23~31wt%的粒径为1~2.8mm的烧结镁砂颗粒、20~28wt%的0.1~0....
    2026-02-21
  • 一种以盐湖水氯镁石为原料制备镁碳砖的方法及镁碳砖
    一种以盐湖水氯镁石为原料制备镁碳砖的方法及镁碳砖_西部矿业股份有限公司_202511430035.3
    本发明公开了一种以盐湖水氯镁石为原料制备镁碳砖的方法及镁碳砖，利用溶解‑析出法得到盐湖水氯镁石，通过直接分解法制备高纯度氧化镁粉体；将高纯氧化镁粉体进行研磨、干燥、压球、煅烧后得到高纯烧结镁砂；高纯烧结镁砂经破碎成粒径不同的高纯烧结镁砂粒度...
    2026-02-21
  • 一种脱氮型复合坩埚的制备方法及其在高温合金熔炼中的应用
    一种脱氮型复合坩埚的制备方法及其在高温合金熔炼中的应用_烟台南山学院_202511281468.7
    本发明公开了一种脱氮型复合坩埚的制备方法及其在高温合金熔炼中的应用，涉及高温合金技术领域。本发明包括以下步骤：称取复合坩埚各材料，各材料按质量比，包括：MgO 28‑30份、CaO 25‑26份、Al2O3 10‑11份、ZrO2 10份、...
    2026-02-21
  • 高透明Yb掺杂钇镓石榴石激光陶瓷及其制备方法和应用
    高透明Yb掺杂钇镓石榴石激光陶瓷及其制备方法和应用_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511429922.9
    本发明提供了一种高透明Yb掺杂钇镓石榴石激光陶瓷及其制备方法，所述陶瓷的组分为(YbxY1‑x)3Ga5O12，其中0.001≤x≤0.2，通过共沉淀制备原料粉体后成型，进行氧气预烧结合热等静压烧结制备。本发明的技术方案具备制备工艺简单，成...
    2026-02-21
  • 一种掺杂氧化镍基靶材及其制备方法与应用
    一种掺杂氧化镍基靶材及其制备方法与应用_中山智隆新材料科技有限公司_202511311806.7
    本发明属于靶材技术领域，公开了一种掺杂氧化镍基靶材及其制备方法与应用。该掺杂氧化镍基靶材的原料组分包括氧化镍、氧化锂和其他金属氧化物，其中：其他金属氧化物选自氧化铜、氧化钴、氧化银中的至少一种。本发明制备的掺杂氧化镍基靶材，可用于RPD镀膜...
    2026-02-21
  • 一种氧化铟铈靶材的制备方法及其应用
    一种氧化铟铈靶材的制备方法及其应用_中山智隆新材料科技有限公司_202511283938.3
    本发明属于镀膜材料技术领域，提供了一种氧化铟铈靶材的制备方法及其应用。本发明金属氧化物In2O3和CeO2以及盐类按特定的比例混合，进行煅烧，得到氧化铟铈粉末，然后加入水和第一分散剂，得到浆料，进行喷雾干燥，制得造粒粉体，接着成型、冷等静压...
    2026-02-21
  • 一种多元掺杂氧化铟锗陶瓷靶材及其制备方法
    一种多元掺杂氧化铟锗陶瓷靶材及其制备方法_安徽工程大学_202511266745.7
    本发明属于靶材技术领域，公开了一种多元掺杂氧化铟锗陶瓷靶材及其制备方法。所述陶瓷靶材的成分包含氧化铟、氧化锗和掺杂氧化物，所述掺杂氧化物为氧化铈、氧化铪或氧化钛中的一或两种；将In2O3粉体、GeO2和掺杂氧化物粉体混合，之后将混合粉体球磨...
    2026-02-21
  • 一种氧化铈掺杂氧化铟基靶材及其制备方法和应用
    一种氧化铈掺杂氧化铟基靶材及其制备方法和应用_中山智隆新材料科技有限公司_202511259907.4
    本发明公开了一种氧化铈掺杂氧化铟基靶材及其制备方法和应用，按重量份计，包括如下的制备原料：氧化铟97～99份、氧化铈1～3份和金属氧化物0.01～0.05份，所述金属氧化物包括氧化铝、氧化锆和氧化钛中的至少一种。本发明提出一种氧化铈掺杂氧化...
    2026-02-21
  • 一种五元半导体氧化物靶材及其制备方法和应用
    一种五元半导体氧化物靶材及其制备方法和应用_中山智隆新材料科技有限公司_202511206256.2
    本发明公开了一种五元半导体氧化物靶材及其制备方法和应用。所述靶材包括以下制备原料：In2O3粉末、Ga2O3粉末、ZnO粉末、SnO2粉末。其制备方法包括：将原料粉末球磨制得浆料，经喷雾造粒得到造粒粉末，再经等静压成型获得素坯，最后在氧气气...
    2026-02-21
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