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  • 本公开涉及具有锁存电路的存储器及存储系统。存储器可以包括:存储阵列,其被配置为在其中存储写入数据并且提供存储在其中的写入数据作为读取数据;非易失性存储电路,其被配置为在其中存储修复信息;修复锁存电路,其被配置为在启动操作期间从非易失性存储电...
  • 本申请公开了一种DRAM的字线物理地址测试方法、装置及存储介质,涉及测试技术领域,其方法包括:分别确定所述DRAM的各个内存区域中的同区域WL以及同区域WL对应的邻区域WL;基于各个同区域WL对应的邻区域WL,确定各个内存区域之间的区域相互...
  • 本申请公开了一种Flash预分析方法、装置、存储控制芯片及存储介质。该方法通过对局部数量的Block中各Page读写校验,作为Plane读写校验的参考依据,以局部结果代表Flash的品质,实现Flash的品质预分析,以此来提高存储产品的量产...
  • 本发明属于电路测试技术领域,公开了一种面向大容量存储器晶圆的分选测筛方法及装置,包括探针卡,所述探针卡上集成有测试激励电路和多版本管理电路,工作时,向待测存储器晶圆提供动态可调的电源参数,并生成满足待测存储器晶圆工作需要的接口时序,基于电源...
  • 本发明提供一种静态随机存取内存(SRAM)操作的评估电路。评估电路包括环振控制电路以及相互串接为一个SRAM串的多个SRAM实例。其中,SRAM串中的一个中间SRAM实例的字线致能信号输入端耦接至前级SRAM实例的内部信号输出端,以及中间S...
  • 本发明涉及接口电路、存储器控制器及用以校正于一存储器控制器的一接口电路内的多个信号处理装置的方法。该方法包括:于一链接程序中与一主机装置协商接口电路于一校正程序中的一运作模式;以及于校正程序中校正第一信号处理装置的一特性值与第二信号处理装置...
  • 在某些方面,一种存储装置包括:存储串,包括漏极选择栅极(DSG)晶体管、存储单元和源极选择栅极(SSG)晶体管;位线,耦合到DSG晶体管;源极线,耦合到SSG晶体管;以及外围电路,通过位线和源极线耦合到存储串。外围电路被配置为在编程操作的预...
  • 本发明提出一种读取电压的决定方法、存储器存储装置与存储器控制电路单元。此方法包括:设定第一管理单元以及第二管理单元,其中第一管理单元中字元线的数量大于第二管理单元中字元线的数量,第一管理单元中的字元线对应相同的读取电压组,第二管理单元中的字...
  • 本发明公开了一种单电源嵌入式闪存启动电路,包括:单边延时模块,其将原始输入信号上升沿和下降沿分别延时形成第一输入信号和第二输入信号输出至与非门第一输入;与非门,其第二输入连接原始输入信号,其输出连接启动模块输入;启动模块,其用于产生偏置信号...
  • 本发明提供一种存储器控制方法与存储装置。所述方法包括:检测对应于第一实体单元的读取事件;响应于读取事件,取得对应于第一实体单元的元数据;根据元数据,取得对应于第一实体单元的健康度评估值;根据健康度评估值与临界值之间的相对数值关系,取得电压调...
  • 一种操作包括单元串的非易失性存储器设备的方法包括:对单元串的第一串选择晶体管执行编程操作,基于第一参考电压对第一串选择晶体管执行第一读取操作,以及对单元串的连接到第一串选择晶体管的第二串选择晶体管执行编程操作,以:响应于通过第一读取操作获得...
  • 本申请案涉及在编程‑验证操作内暂停以缩短暂停等待时间。一种存储器装置包含具有多个存储器单元的存储器阵列。控制逻辑与所述存储器阵列可操作地耦合。所述控制逻辑在将多种数据状态编程到所述存储器阵列的一组所述多个存储器单元的同时接收暂停命令。所述控...
  • 本公开涉及用于非易失性存储器设备的SLC子块模式。存储器设备包括具有布置在字线中的存储器单元的阵列的存储块,该字线被划分为子块,该子块中的每一者与单独的读取使用阈值相关联。控制电路被配置为:对该字线的该存储器单元进行编程以包括数据;对多个子...
  • 本申请提供了一种存储器、存储器的操作方法及存储器系统,涉及半导体芯片技术领域。该存储器包括存储阵列和耦接于存储阵列的外围电路,存储阵列包括存储块,存储块通过字线与外围电路耦接。其中,存储块包括已编程存储单元和未编程存储单元,已编程存储单元包...
  • 本申请涉及用于存储器系统的次要接口。一种存储器系统可经由第一接口接收命令,所述第一接口包括第一组一或多个输入/输出I/O引脚且根据包括第一调制方案及第一数据速率的第一通信协议进行操作。所述存储器系统可基于接收到所述命令,经由第二接口接收针对...
  • 本申请涉及非易失性存储器初始化,例如与非NAND初始化。存储器系统的一或多个裸片可在所述存储器系统的一或多个控制器完成唤醒过程之前执行自动触发的初始化过程。例如,所述存储器系统可从空闲状态转变到唤醒状态。因此,所述一或多个裸片可响应于第一电...
  • 本发明提供了一种热辅助磁记录头,包括激光器、光波导、近场换能器、记录单元,记录单元设置有多个,近场换能器设置于光波导的延伸端且能够接收光波导所传递的光并转换为热,近场换能器包括多个发热端,记录单元的数量不少于发热端的数量,发热端、记录单元朝...
  • 本发明提供了一种热辅助磁记录装置,包括激光器、分束器、记录单元,记录单元包括光波导、近场换能器、写极,记录单元设置有多个;通过对待写入位置的存储介质进行加热以使其达到居里温度并进行数据的写入,从而降低了写极需要提供的磁场强度,待存储介质冷却...
  • 本公开涉及自定时存储器电路。一种被包括在存储器电路的虚设行中的虚设SRAM单元,存储器电路包括由交叉耦合锁存器电路装置连接的第一和第二数据存储节点。第一传输门晶体管具有连接到第一数据存储节点的第一源极/漏极节点,连接到接地节点的第二源极/漏...
  • 一种电子电路,其具有:单元阵列,其具有多个存储器单元,各个存储器单元分别具有双稳态电路和非易失性元件,双稳态电路易失性地存储数据,非易失性元件非易失性地存储双稳态电路中所存储的数据,并将非易失性地存储的数据恢复到双稳态电路中;以及控制电路,...
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