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最新专利技术
  • 高模量细旦竹纤维制备方法及系统
    高模量细旦竹纤维制备方法及系统_上海里奥纤维企业发展有限公司_202511359595.4
    本申请涉及高模量细旦竹纤维制备方法及系统，涉及生物质纤维制备技术领域，其中制备方法包括竹材预处理；溶解处理；微梯度凝固；纺丝牵伸：对凝固后的纤维进行气隙控制和多级牵伸；水洗后处理：对纤维进行水洗、柔软整理、干燥和卷绕处理。本发明创新性地设计...
    2026-02-22
  • 一种改性云母粉、聚酰胺纤维及制备方法
    一种改性云母粉、聚酰胺纤维及制备方法_罗莱生活科技股份有限公司_202511420406.X
    本发明提供一种改性云母粉、聚酰胺纤维及制备方法。该改性云母粉由氨基硅烷对云母粉改性而得，氨基硅烷由原料A和原料B经开环加成反应制得，原料A选自芳香多胺或芳香多胺衍生物或二者的组合物，原料B选自环氧基硅烷。本发明中，原料B中的环氧基团与原料A...
    2026-02-22
  • 一种聚酰亚胺纤维及其制备方法和应用
    一种聚酰亚胺纤维及其制备方法和应用_江苏先诺新材料科技有限公司_202511284216.X
    本发明提供一种聚酰亚胺纤维及其制备方法和应用，该纤维的纤维表面平均粗糙度Ra≤40nm的区域面积≥70%，该制备方法包括以下步骤：(a)将经过滤、脱泡的纺丝原液计量后，通过喷丝头挤出，进行纺丝；纺丝时，采用干喷湿纺纺丝工艺，穿过3mm~20...
    2026-02-22
  • 一种高强中模型碳纤维原丝蒸汽牵伸装置及牵伸工艺
    一种高强中模型碳纤维原丝蒸汽牵伸装置及牵伸工艺_中简科技股份有限公司_202511602707.4
    本发明提供一种高强中模型碳纤维原丝蒸汽牵伸装置及牵伸工艺，涉及蒸汽牵伸装置技术领域，本发明包括机体，所述机体的外表面一侧设置有进汽管，所述架板的外表面设置有干燥装置，所述干燥装置包括转轴，所述转轴的外表面固定连接有海绵辊，所述架板的一侧设置...
    2026-02-22
  • 一种干喷湿纺喷丝装置及工作方法
    一种干喷湿纺喷丝装置及工作方法_山东宽原新材料科技有限公司_202511376836.6
    本发明提供一种干喷湿纺喷丝装置及工作方法，涉及碳纤维制造领域，针对目前原液温度与喷丝孔适配度不足导致输出纤维均一性较差的问题，中心加热件直接内置在喷丝基板的凹槽内，取代现有外部径向加热方式，可直接对环形喷丝腔内侧区域进行加热，减少热量传递过...
    2026-02-22
  • 一种水杯底孔管结合微流体控制纺丝头、纺丝装置及纳米纤维和方法
    一种水杯底孔管结合微流体控制纺丝头、纺丝装置及纳米纤维和方法_上海理工大学_202511158226.9
    本发明公开了水杯底孔管结合微流体控制纺丝头、纺丝装置及纳米纤维和方法，水杯底孔管结合微流体控制纺丝头包括毛细管汇总入口管、系列不锈钢毛细管及水杯；毛细管汇总入口管位于水杯的上方，毛细管汇总入口管的一端与所有的系列不锈钢毛细管的一端连接，所有...
    2026-02-22
  • 一种麻类韧皮纤维的加工工艺
    一种麻类韧皮纤维的加工工艺_泰兴诺得亚麻纺织有限公司_202511458117.9
    本发明涉及纤维加工技术领域，具体涉及一种麻类韧皮纤维的加工工艺。该工艺采用二氧化硫与二氧化碳混合气体对原麻进行气相活化、利用雾化气溶胶形式的改性复合酶制剂进行酶催化脱胶，并耦合微波处理以强化反应，有效脱除胶质并保护纤维结构。结合涡流分离器高...
    2026-02-22
  • 一种制备On-DNA二硫代氨基甲酸酯结构化合物的方法
    一种制备On-DNA二硫代氨基甲酸酯结构化合物的方法_康龙化成(宁波)科技发展有限公司_202511231069.X
    本申请属于DEL库的构建领域，具体涉及一种制备On‑DNA二硫代氨基甲酸酯结构化合物的方法。包括On‑DNA二级胺，与二硫化碳，卤代物在一定温度和溶剂条件下反应，生成On‑DNA二硫代氨基甲酸酯结构化合物的步骤。本申请的制备方法可以一次性获...
    2026-02-22
  • 一种两步制绒添加剂、两步制绒液、制备方法及用途
    一种两步制绒添加剂、两步制绒液、制备方法及用途_浙江奥首材料科技有限公司_202511248095.3
    本发明提供一种两步制绒添加剂、两步制绒液、制备方法及用途，所述两步制绒添加剂包括第一制绒剂和第二制绒剂；所述第一制绒剂包括重量配比如下的各组分：出绒剂0.1‑2份；第一表面活性剂0.01‑0.5份；第一蚀刻催化剂0.5‑5份；第一无机碱1‑...
    2026-02-22
  • 氧化镓中高能重离子辐照缺陷的修复方法及其评估方法
    氧化镓中高能重离子辐照缺陷的修复方法及其评估方法_中国科学院近代物理研究所_202511313230.8
    本发明属于半导体或其部件的制造或处理技术领域，涉及一种氧化镓中高能重离子辐照缺陷的修复方法及其评估方法，包括以下步骤：将氧化镓单晶制备成氧化镓纳米片；对氧化镓纳米片进行高能重离子辐照，以产生辐照缺陷；对经过高能重离子辐照的氧化镓纳米片进行高...
    2026-02-22
  • 立式扩散炉管装置
    立式扩散炉管装置_厦门东微电子装备有限公司_202511166777.X
    本发明提供一种立式扩散炉管装置，属于半导体设备领域，包括外管、内管和气体换向模组、第一气管、第二气管，气体换向模组用于切换第一气管、第二气管与均气室、排气室之间的反应气体流向，本方案通过气体换向模组，并配合气泵的气压定向控制实现反应气体在立...
    2026-02-22
  • 一系列立方结构的铷铯铼硫碘晶体和一系列三方结构的铷铯铼硫氯晶体及其制备方法
    一系列立方结构的铷铯铼硫碘晶体和一系列三方结构的铷铯铼硫氯晶体及其制备方法_北京高压科学研究中心_202511004789.2
    一系列立方结构的铷铯铼硫碘晶体和一系列三方结构的铷铯铼硫氯晶体及其制备方法，属于光电功能材料及其制备技术领域。本发明的晶体化合物包括一系列立方结构的(Rb1‑xCsx)6Re6S8I8以及一系列三方结构的(Rb1‑xCsx)5Re6S8Cl...
    2026-02-22
  • 一种制备半水石膏晶须的方法
    一种制备半水石膏晶须的方法_中国科学院过程工程研究所_202410731325.0
    本发明公开了一种制备半水石膏晶须的方法，所述方法采用二水石膏原料加水配制为原料料浆，添加二水石膏原料质量分数0.01～0.5％的碱性助剂，混合均匀加入反应釜中，在密闭反应釜内120～180℃反应0.2～1.5h后将釜内料浆快速过滤，并在40...
    2026-02-22
  • 一种五级温控磷化铟单晶生长炉
    一种五级温控磷化铟单晶生长炉_华冠半导体(河源)有限公司_202511288387.X
    本发明公开一种五级温控磷化铟单晶生长炉，属于磷化铟单晶生长炉技术领域，包括炉体支架，炉体支架上设有炉体固定杆，炉体固定杆内设有带有电磁屏蔽的炉体，炉体的顶面设有封盖板，炉体内设有多个电加热线圈组，电加热线圈组所围炉胆内设有石英杜瓦管支撑座，...
    2026-02-22
  • 外延结构及制备方法、HEMT器件及制备方法
    外延结构及制备方法、HEMT器件及制备方法_芯联动力科技(绍兴)有限公司_202511613921.X
    本申请实施例涉及一种外延结构的制备方法、外延结构、HEMT器件的制备方法以及HEMT器件，其中方法包括：提供衬底；在衬底上外延生长BxAl1‑xN成核层，其中，0＜x≤1；在BxAl1‑xN成核层上外延生长ByAl1‑yN渐变缓冲层，其中，...
    2026-02-22
  • 一种提高PVT法生长碳化硅单晶生长速率的装置及方法
    一种提高PVT法生长碳化硅单晶生长速率的装置及方法_宁夏创盛新材料科技有限公司_202511292211.1
    本申请涉及碳化硅生长技术领域，尤其是涉及提高PVT法生长碳化硅单晶生长速率的装置，装置包括：坩埚，坩埚包括容纳籽晶的坩埚上部、容纳原料的坩埚下部以及位于坩埚上部和坩埚下部之间的坩埚中部；喷气组件，喷气组件包括：喷嘴，喷嘴设置有多个，多个喷嘴...
    2026-02-22
  • 碳化硅多晶衬底及制造多片碳化硅多晶衬底的方法
    碳化硅多晶衬底及制造多片碳化硅多晶衬底的方法_青禾晶元(天津)半导体材料有限公司_202511237596.1
    本发明涉及一种碳化硅多晶衬底及制造多片碳化硅多晶衬底的方法，所述方法包括：第一气体与第二气体进入沉积腔室，在基材的表面沉积碳化硅层；沉积结束，停止通入第一气体与第二气体，分割得到若干复合锭子；所述复合锭子包括基材以及沉积在基材表面的碳化硅层...
    2026-02-22
  • 单晶薄膜、其制备方法及应用
    单晶薄膜、其制备方法及应用_甬江实验室_202410733613.X
    本发明提供一种单晶薄膜、其制备方法及应用。该单晶薄膜包括依次层叠设置的功能层、过渡层以及衬底，所述功能层的材料包括铌酸锂单晶、钽酸锂单晶中的至少一种；所述过渡层的晶格常数与所述功能层的晶格常数的差值的绝对值小于等于5％；所述过渡层的晶格常数...
    2026-02-22
  • 单晶炉观察视窗的防污染装置、方法及单晶炉
    单晶炉观察视窗的防污染装置、方法及单晶炉_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511538981.X
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种单晶炉观察视窗的防污染装置、方法及单晶炉；通过在单晶炉观察视窗内表面的一侧供给惰性气体，形成覆盖所述单晶炉观察视窗的内表面的气流层，在所述单晶炉观察视窗的内表面另一侧，对炉内的气体进行抽吸，引导所述...
    2026-02-22
  • 提高直拉单晶硅收尾成活率的控制方法、装置、电子设备及存储介质
    提高直拉单晶硅收尾成活率的控制方法、装置、电子设备及存储介质_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511538313.7
    本发明提供提高直拉单晶硅收尾成活率的控制方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体拉晶技术领域，在直拉单晶收尾时，根据坩埚内剩料比例匹配对应的收尾工艺，以最大限度地避免了因参数不匹配而导致的位错反延(如晶棒扭曲，直径、拉速等突然变化，设备异...
    2026-02-22
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