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  • 本发明公开了一种喷淋盘冷却结构及半导体设备,喷淋盘冷却结构包括喷淋盘主体、连接件和接触面积调节组件,接触面积调节组件与连接件连接,用于通过调节与连接件的接触面积来动态调节喷淋盘主体的冷却效率。本发明通过引入接触面积调节组件,提供了一种动态调...
  • 本发明公开了一种甲基碘化胺薄膜的制备方法和MAPbI3钙钛矿薄膜的制备方法,属于电池技术领域。所述甲基碘化胺薄膜的制备方法,包括以下步骤:依次将甲胺和氢碘酸进行原子层沉积并重复得到甲基碘化胺薄膜。所述制备方法首次通过原子层沉积(ALD)方法...
  • 本发明公开了一种气体供应装置、薄膜生长设备及薄膜生长方法。气体供应装置包括:远程等离子体源,用于将反应气体至少部分地解离为等离子体;磁偏转筛选器,其与所述远程等离子体源的出口连通,用于对所述等离子体进行筛选,输出选定元素的带电粒子。通过气体...
  • 本发明公开一种硫化锂制备用的气相沉积炉及生产系统,涉及到气相沉积炉领域,其包括气相沉积炉,所述气相沉积炉上转动安装有炉盖,并且所述气相沉积炉内活动安装有基座,所述基座上安装有放置台,所述气相沉积炉的一侧连接有吸尘器;还包括转移封闭装置和随动...
  • 本发明涉及一种应用于化学气相沉积的工装结构及其原位自清洁方法,属于高温沉积装备技术领域,解决了现有清除工装表面有害涂层的方法效率低、易损伤工装、引入污染物、成本高的问题。所述方法包括:采用表面具有微结构的工装对基底进行固定,进行化学气相沉积...
  • 本发明提供了一种工艺腔室及一种半导体器件的加工方法。该工艺腔室包括,第一RPS入口、第二RPS入口、加热盘和升降机构。该第一RPS入口位于工艺腔室的顶部,至少用于提供第一清洁气体。该第二RPS入口位于工艺腔室的侧壁,至少用于提供第二清洁气体...
  • 本发明涉及原子层沉积技术领域,尤其涉及一种用于微纳米颗粒连续原子层沉积装置,包括按特定模式布置的原子层沉积粉体腔,依次为第一粉体腔、吹扫区粉体腔、第二粉体腔,实现清洗和反应的空间隔离;所述原子层沉积粉体腔包括连通吹扫区粉体腔的加料斗、进气孔...
  • 本发明涉及一种MOCVD设备维护后反应腔内生长环境恢复及验证方法。该发明包括:通入氢气至MOCVD设备反应腔,分别进行低温、中温和高温烘烤,然后将三甲基铝和特种气体通入设备反应腔中,使得水氧分子和三甲基铝发生反应。再通入三甲基铝、三甲基镓和...
  • 本发明涉及二维半导体材料合成技术领域,具体涉及一种高真空密闭空间制备MoS2薄膜的方法。首先将作为MoS2薄膜前驱体的固态硫源、钼前驱体和卤素盐的混合物以及生长衬底置于密封真空容器的两端;其次,在双温区管式炉内,将真空容器中的混合物和生长衬...
  • 本发明公开了一种石墨烯基半导体二维异质结薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)取三温区管式炉,所述三温区管式炉从左至右依次为第一温区、第二温区、第三温区;向第一温区加入Mo源,第二温区通入碳源,第三温区通入S源;(2)将衬底放入所述第二温区,...
  • 本发明公开了一种多晶金刚石膜的制备方法及应用,所述制备方法,包括:S1、将泡沫铜压铸在铜衬底上形成铜基底;S2、对铜基底进行酸洗去除氧化层;S3、对铜基底表面涂覆金刚石粉悬浮液种子层;S4、将涂覆有金刚石粉悬浮液种子层的铜基底置于CVD反应...
  • 本发明提供一种金刚石薄膜修饰的高性能微通道板的制备方法,包括以下步骤:对微通道板基板进行氧化处理,使基板表面及通道内壁均形成SiO2绝缘层;对生长表面进行负偏压脉冲处理,清洁并活化生长表面;对活化后的生长表面进行氢等离子体刻蚀处理,在生长表...
  • 本发明涉及真空镀膜机技术领域,尤其涉及薄膜电容器生产用真空镀膜机,包括镀膜箱,所述镀膜箱的内部设置有真空镀膜机构和薄膜清洁机构,镀膜箱上设置有密封隔离机构和辅助温控机构,辅助温控机构用于维持密封隔离机构低温,密封隔离机构包括固定安装在镀膜箱...
  • 本申请提供了一种工艺炉的尾气防倒吸系统及其控制方法,涉及了半导体和光伏技术领域。工艺炉的尾气防倒吸系统包括调节阀组件、供气组件、液位传感器、压力传感器以及控制组件,调节阀组件设置于真空泵和过滤罐之间位置,以及设置于过滤罐和环保罐之间的位置,...
  • 本发明涉及真空镀膜技术领域,公开一种镀膜监控机构,监测端头用于获取监控片上与薄膜厚度关联的信息,与外壳上开设的监测孔对应设置;监控片装载板上设有多个用于放置监控片的监控位,至少部分的监控位呈直线式且延第一方向排列;监控片切换模块用于使监控片...
  • 本申请公开了一种一次性免清洗载板的制作方法及一次性免清洗载板,应用于半导体设备零部件制造领域。所述载板具有一个或多个通孔。所述挡盖包括遮挡部和卡插部。所述制作方法包括:采用冲压成型方式制作所述载板,将所述一个或多个挡盖安装至所述一个或多个通...
  • 本发明公开了一种用于真空镀膜机的工件载架及真空镀膜机,工件载架包括公转轴和转动安装在公转轴上的公转架,公转架上安装有多根用于连接安装工件的自转轴,自转轴的轴线沿公转架径向方向延伸,各自转轴与公转轴之间设有在公转架转动时驱使自转轴同步转动的联...
  • 本发明公开了一种用于真空镀膜机的工件载架及真空镀膜机,工件载架包括公转轴和转动安装在公转轴上的公转架,公转架上安装有多根用于连接安装工件的自转轴,自转轴的轴线沿公转架径向方向延伸,各自转轴与公转轴之间设有在公转架转动时驱使自转轴同步转动的联...
  • 本发明公开了一种真空镀膜机用工件载架及真空镀膜机,工件载架包括公转轴和转动安装在公转轴上的公转架,公转架上安装有多根用于连接安装工件的自转轴,自转轴以能摆动的方式安装在公转架上,各自转轴与公转轴之间设有在公转架转动时驱使自转轴同步转动的转动...
  • 本发明公开了一种用于大面积均匀镀膜的磁控溅射镀膜机,包括:机壳,机壳的上表面均固定安装有导轨杆,两组导轨杆的外表面滑动安装有密封盖,密封盖的下表面固定连接有波纹垫圈,以此使密封盖能够通过导轨杆的滑动导向来通过波纹垫圈对密封腔的上端封堵,密封...
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