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  • 本发明涉及具有用于高精度键合的纳米海绵电极焊盘的mLED器件及其制造方法。根据本发明的实施例提供了具有用于高精度键合的纳米海绵电极焊盘的mLED器件,该mLED器件包括:器件结构,该器件结构包括:具有n型导电性的n型半导体层;具有p型导电性...
  • 一种发光器件,包括:用于产生蓝光的发光二极管(LED);用于产生绿光的绿色荧光粉;以及用于产生红光的锰激活氟化物窄带红色荧光粉;其中,光谱的红色区域的最大强度与光谱的黄色至橙色区域的最小强度之比约为5.0至15.0。
  • 提供了发光装置。根据本发明的发光装置包括基板结构、第一上表面电极、第二上表面电极、发光元件、第一下表面电极、第二下表面电极和透光构件。第一上表面电极在一个区域中形成在第一通孔组上。第二上表面电极在一个区域中形成在第二通孔组上。发光元件跨第一...
  • 本发明的课题在于,提供一种发光装置,可使光提取效率的提高与介电膜和透光性部件间的接合强度的提高两全。技术方案是一种发光装置,其具有含发光层的半导体部,设置于所述半导体部的上表面、含氧化物的介电膜,以及设置于所述介电膜的上表面的透光性部件,所...
  • 本申请涉及发光装置及发光装置的制造方法。提供了能够抑制发光元件的气密密封的破坏的发光装置及其方法。该发光装置包括基板结构、第一上表面电极、第二上表面电极、发光元件、第一下表面电极、第二下表面电极和透光构件。第一上表面电极在一个区域中形成在第...
  • 本发明公开了一种发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管,涉及光电器件领域。发光二极管外延结构包括衬底,依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;其中,多量子阱层包括交替层叠的InG...
  • 本发明公开一种半导体元件,包括基底、位于基底上的半导体叠层、以及位于半导体叠层上的第一半导体层。半导体叠层包括与基底相邻的第一半导体结构、位于第一半导体结构上的第二半导体结构、以及位于第一半导体结构与第二半导体结构之间的第一主动区域。第一半...
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种倒装银镜发光二极管芯片制备方法及倒装银镜发光二极管芯片。所述的制备方法通过改进P型第一绝缘层通孔和N型第一绝缘层通孔的制备工艺,在光刻板上设置部分曝光区域,保留P型区开孔的部分光刻胶,刻蚀后P型区开...
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法,该制备方法通过沉积不同腐蚀速率的第二绝缘层子层,结合光刻保护工艺,可在BOE腐蚀后保留开孔上方的部分第二绝缘层,从而避免BOE溶液钻腐,防止了形成Al金属空洞,提...
  • 本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法,涉及半导体技术领域,该太阳能电池中第一表面的第一区域设置第二绒面结构,可以使太阳能电池的反射率更低,从而具有更高的陷光效率,第一表面的突出部设置第一绒面结构,由于第一绒面结构中的第一金字塔结构的尺寸大,...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,太阳电池包括硅衬底、第一掺杂层、第二掺杂层、第一焊盘、第二焊盘、第一电极和第二电极;第一掺杂层和第二掺杂层间隔设于硅衬底的表面上,第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型不同;第一电极和第二电极分别设...
  • 本发明涉及一种太阳电池及其制备方法。上述太阳电池包括硅衬底,所述硅衬底的相对设置的两侧上分别设置有功能膜层,各所述功能膜层连接有栅线,至少一侧上的所述功能膜层与所述硅衬底的该侧在局部区域上共同内陷而形成陷光槽,所述陷光槽的槽壁具有第一绒面结...
  • 本发明涉及太阳电池技术领域,公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,太阳电池包括:硅基底,硅基底具有受光面、背光面和侧面;受光面和/或背光面具有第一金字塔结构,第一金字塔结构的塔底的对角线长度D1满足:0μm<D1≤5μm,高度H1满足:0...
  • 本发明提供一种芯片组件、光学模组及其制备方法和电子设备,其中所述芯片组件包括基座和芯片,所述基座具有一安装槽和透光槽,其中所述安装槽和所述透光槽相连通并沿光轴方向贯穿所述基座,其中所述芯片被设置在所述基座的所述安装槽,所述芯片的反面设有电连...
  • 本申请涉及一种太阳能电池、光伏组件以及太阳能电池的制造方法,包括衬底、紫外隔绝层以及减反射膜。紫外隔绝层设于衬底的至少一侧。减反射膜设于紫外隔绝层背离衬底的一侧。上述太阳能电池,其具有位于减反射膜内侧的紫外隔绝层。紫外隔绝层作为太阳能电池的...
  • 本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:电池本体,电池本体包括:沿其厚度方向相对的第一面和第二面,以及连接第一面和第二面的侧表面,侧表面包括:切割面和非切割面;形成在切割面上的切割面钝化层,切割面钝化层中具有...
  • 本发明涉及太阳电池技术领域,公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,所述太阳电池包括:硅基底;功能层,所述功能层设于所述硅基底上,所述功能层中含有Si‑H键;防紫外线层,所述防紫外线层设置于所述功能层背离所述硅基底的一侧表面上,所述防紫外线...
  • 本发明公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,该太阳电池包括:硅基底,硅基底具有图形化区域和非图形化区域;钝化接触结构,钝化接触结构包括依次叠层设置于硅基底表面的介质层和掺杂层,掺杂层包括依次叠层设置于介质层表面的第一掺杂多晶硅层、氮氧化...
  • 本公开提供了一种太阳电池、太阳电池的制备方法及光伏组件。该太阳电池包括衬底、叠层钝化结构和第一掺杂层,所述叠层钝化结构和所述第一掺杂层依次叠置于所述衬底上。所述叠层钝化结构包括非晶钝化层和晶化钝化层,非晶钝化层的材料包括非晶氧化铝,晶化钝化...
  • 本公开提供了一种太阳电池、太阳电池的制备方法及光伏组件。该太阳电池包括衬底、减反射钝化叠层、第一钝化层和第一掺杂层,减反射钝化叠层、第一钝化层和第一掺杂层依次叠置于衬底上。减反射钝化叠层包括多个层叠设置的减反射子层,多个减反射子层的材料各自...
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