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最新专利技术
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202511140484.4
    本申请涉及一种显示面板及显示装置，显示面板包括基板及设于基板一侧的发光显示层，发光显示层包括多个像素组，多个像素组中的任意一个像素组包括：至少两个发光器件，至少两个发光器件设于基板；第一反光部件，第一反光部件设于其中任意一个发光器件的出光路...
    2025-11-30
  • 电子装置
    电子装置_三星显示有限公司_202510528778.8
    公开了一种包括显示装置的电子装置。该显示装置包括被构造为发射源光的显示面板和在显示面板上的光控制层。光控制层包括分隔壁、包含第一颜色转换材料的红光控制部以及包含第二颜色转换材料的绿光控制部。第一颜色转换材料包括红色量子点，并且第二颜色转换材...
    2025-11-30
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202511414864.2
    本申请涉及一种显示面板及显示装置，显示面板包括：基底；第一导电层，位于基底的一侧，第一导电层包括多条走线；多个发光元件，位于第一导电层远离基底的一侧，且与对应的走线电连接；油墨层，位于第一导电层远离基底的一侧；其中，走线包括多个第一开孔，显...
    2025-11-30
  • 一种Si基混合集成Micro-LED芯片及制备方法
    一种Si基混合集成Micro-LED芯片及制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511454136.4
    本申请公开了一种Si基混合集成Micro‑LED芯片及制备方法，芯片以Si衬底为核心集成载体，正面通过区域化选择性外延直接生长GaN基蓝绿光Micro‑LED阵列，同时通过晶圆键合集成AlGaInP基红光Micro‑LED阵列，背面集成CM...
    2025-11-30
  • 子面板、显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
    子面板、显示面板、显示装置及显示面板的制造方法_成都辰显光电有限公司_202410614378.4
    本申请实施例提供一种子面板、显示面板、显示装置及显示面板的制造方法，子面板包括发光层、第一光学调整层和第二光学调整层；第一光学调整层与发光层层叠设置并位于发光层的出光侧，第一光学调整层能够透射和反射发光层发出的光；第二光学调整层，设置于发光...
    2025-11-30
  • LED显示模组及其制备方法、LED显示屏
    LED显示模组及其制备方法、LED显示屏_海信视像科技股份有限公司_202511055041.5
    本申请提供一种LED显示模组及其制备方法、LED显示屏，涉及显示技术领域，该LED显示模组包括：玻璃基板、多个LED芯片、封装层、光学膜和侧边保护层，玻璃基板具有第一表面；多个LED芯片阵列排布在第一表面；封装层至少覆盖LED芯片和第一表面...
    2025-11-30
  • 一种低蓝光黄光LED装置及制备方法
    一种低蓝光黄光LED装置及制备方法_深圳市同一方光电技术有限公司_202510931138.1
    本申请涉及LED封装领域，尤其涉及一种低蓝光黄光LED装置及制备方法，包括：封装载体；设置于所述封装载体上的固晶胶；芯片，所述芯片邦定于所述固晶胶上；覆盖所述芯片的荧光粉层，由窄波黄绿粉(540‑550nm)与窄波橙黄粉(570‑600nm...
    2025-11-30
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510222211.8
    本发明涉及半导体装置及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体装置包括：基板；设置在所述基板上的第一电极；设置在所述基板上并远离所述第一电极的第二电极；以及被配置为连接所述第一电极和所述第二电极的片状导电片，其中，所述导电片包括连接至所述第一...
    2025-11-30
  • 一种堆叠全彩MicroLED器件
    一种堆叠全彩MicroLED器件_北京中微赛尔科技有限公司_202511123709.5
    本发明公开的堆叠全彩MicroLED器件，包括：衬底；LED半导体层，设置于所述衬底上，所述LED半导体层包括多个呈阵列排布的多个LED单元，相邻的LED单元能够被独立的驱动，所述LED单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，所述...
    2025-11-30
  • 高压发光二极管及发光装置
    高压发光二极管及发光装置_安徽三安光电有限公司_202410565990.7
    本发明属于半导体技术领域，尤其涉及高压发光二极管及发光装置，该高压发光二极管，高压发光二极管，包括：衬底；多个发光单元，设置于所述衬底上，且各发光单元之间通过隔离槽间隔；桥接电极，横跨于隔离槽上方，且将相邻两个发光单元电连接；其特征在于，所...
    2025-11-30
  • 一种微型发光二极管阵列的制备方法及芯片
    一种微型发光二极管阵列的制备方法及芯片_北京大学_202511508814.0
    本发明提供了一种微型发光二极管阵列芯片制备方法及芯片，涉及微型发光二极管显示技术领域，包括：在微型发光二极管外延片的上表面制备两种掩膜阵列，并根据其覆盖范围将微型发光二极管外延片划分为隔离区、保护区和像素区；实施离子注入，使得隔离区、保护区...
    2025-11-30
  • 一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法
    一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511476491.1
    本申请公开了一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法，包括以下步骤：S1，外延清洗；S2，图形化光刻；S3，ICP干法刻蚀；S4，S4，湿法修复药液配置；S5，侧壁损伤湿法处理；S6，后处理；S7，效果表征；本申请针对...
    2025-11-30
  • 一种Micro-LED微显示器件及其制备方法
    一种Micro-LED微显示器件及其制备方法_南昌大学_202510999100.8
    本发明公开了一种Micro‑LED微显示器件及其制备方法，涉及半导体显示技术领域，通过简单的技术方案即可解决现有技术中存在的光学串扰、电流分布不均的问题。制备方法包括以下步骤：在衬底上生长GaN基外延层；对GaN基外延层进行台面刻蚀，在中心...
    2025-11-30
  • 一种显示芯片的制作方法、显示芯片和显示装置
    一种显示芯片的制作方法、显示芯片和显示装置_重庆康佳光电科技有限公司_202410551165.1
    本申请涉及一种显示芯片的制作方法、显示芯片和显示装置。显示芯片的制作方法包括在驱动基板上设置第一外延层；将第一外延层制作为第一发光层，第一发光层包括第一发光单元以及第一公共导电层；第一发光单元与驱动线路电连接，用于在通电时发出第一波长的光线...
    2025-11-30
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511516239.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管至少包括外延叠层和过渡层，外延叠层包括N型半导体层、P型半导体层以及位于N型半导体层和P型半导体层之间的有源层；有源层包括第一类量子阱层和第二类量子阱层，第一类量子阱...
    2025-11-30
  • 一种键合线和发光器件
    一种键合线和发光器件_深圳循光科技有限公司_202511527258.1
    本发明涉及发光器件技术领域，公开了一种键合线和发光器件，键合线包括导电的第一分部和导电的第二分部；第二分部具有容纳腔，第二分部远离第一分部的一端与基板上的电路电连接；第一分部的第一端被限位于容纳腔内，且与第二分部的内侧壁电连接，第二端与发光...
    2025-11-30
  • LED封装结构、背光模组和显示设备
    LED封装结构、背光模组和显示设备_深圳创维显示科技有限公司_202511144124.1
    本申请公开了一种LED封装结构、背光模组和显示设备，涉及显示技术领域，公开了LED封装结构，包括：蓝光晶片，设置于蓝光晶片出光侧的第一荧光层以及设置于第一荧光层出光侧的第二荧光层；在蓝光晶片的激发下，第一荧光层的发射波长为520～575nm...
    2025-11-30
  • 一种双色温COB用高亮度五面发光CSP及其制备方法
    一种双色温COB用高亮度五面发光CSP及其制备方法_天津德高化成科技有限公司_202511521840.7
    本发明涉及LED封装技术领域，具体为一种双色温COB用高亮度五面发光CSP及其制备方法，至少包括倒装LED芯片和荧光胶膜，所述倒装LED芯片的五个发光面覆盖所述荧光胶膜；所述荧光胶膜的制备原料至少包括硅胶和KSF，所述荧光胶膜中KSF的质量...
    2025-11-30
  • 发光单元
    发光单元_隆达电子股份有限公司_202510421847.5
    本发明公开一种发光单元。发光单元包括基板、发光元件、导光元件及调光层。发光元件设置于基板上。导光元件设置在发光元件上，且包括中心部分、第一部分及第二部分。第一部分具有第一粗糙度，且第二部分具有第二粗糙度。调光层设置在导光元件的顶表面上，且设...
    2025-11-30
  • 光电子半导体芯片
    光电子半导体芯片_欧司朗OLED股份有限公司_202511031594.7
    在一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生具有最大强度的波长L的辐射的有源区(23)。镜(3)包括覆盖层(31)。覆盖层(31)由对于辐射可穿透的材料构成并且具有0.5L和3L之间的光学厚...
    2025-11-30
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