Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明涉及喷丝技术领域, 具体地涉及一种制备双组份深染并列阳锦喷丝组件, 包括砂杯板、第一分配板、第二分配板、第三分配板和喷丝处理结构, 所述砂杯板的下端固定连接有第一分配板, 第一分配板的下端固定连接有第二分配板, 第二分配板的下端固定连...
  • 本发明属于纺织技术领域, 具体涉及一种壳聚糖抗菌卫材纤维制备装置及其工艺, 包括箱体、熔融纺丝机、接触辊、卷绕机和控制器, 箱体用于提供一个恒温保湿的环境;熔融纺丝机用于纺织出丝线;接触辊用于给丝线上油;卷绕机用于缠绕上油后的丝线;熔融纺丝...
  • 本发明公开了一种扁嘴线形无针式静电纺丝喷头及其纺丝系统和工作方法。本发明的喷头包括喷头本体, 喷头本体的底部呈圆形, 顶部呈弧面长条形;喷头本体的底部与纺丝液通道连通, 喷头本体的顶部与喷嘴内部连通;喷嘴包括弧形回流腔和条状喷嘴, 弧形回流...
  • 本发明涉及喷丝板清洁的技术领域, 具体涉及一种高温清洗设备的自动启停与温控结合的控制方法及装置, 所述方法包括:在待清洁纺丝组件位于所述高温清洗设备的内部空腔中的情况下, 自动启动所述高温清洗设备包括的真空泵, 并在所述真空度匹配预设的真空...
  • 本发明涉及控制系统技术领域, 尤其涉及一种高强聚乙烯纤维熔体流控系统及方法。包括熔体输送单元、压力调节单元、温度控制单元、流量监测单元以及中央控制单元;所述熔体输送单元用于输送高强聚乙烯纤维熔体;所述压力调节单元设置于熔体输送单元的管路中,...
  • 本发明公开了一种抗菌锦纶长丝生产用挤出机及其使用方法, 涉及锦纶长丝生产技术领域, 包括基座和机筒, 所述机筒的一端安装有驱动电机, 另一端安装有纺丝组件, 所述机筒内部安装有螺杆, 所述螺杆一端与驱动电机可传动的连接, 另一端与纺丝组件可...
  • 本发明涉及纤维生产设备技术领域, 公开了莱赛尔纤维生产用加热循环系统及其加热循环方法, 该系统包括:溶解机、分区式夹套、热水循环回路、物料处理回路、多维状态感知系统及中央控制系统。该方法包括:通过多维状态感知系统获取溶解机内的扭矩信号和热水...
  • 本发明公开了一种轮动抵压式亚麻纤维脱胶机构及其脱胶工艺, 包括脱胶筒、容置单元、偏心式抵压盘;本发明在脱胶筒内部, 通过多孔抵压板、伸缩挡片、上定位板、下定位板围成多个抵压空腔, 如此使得亚麻纤维分散于多个抵压空腔内进行清洗挤压, 避免大量...
  • 本发明涉及到一种羽绒清洗技术领域, 具体涉及到一种羽绒水洗机。包括箱体, 其特征在于, 箱体内转动连接有转轴, 转轴与固定在箱体上的第一驱动单元连接, 转轴下方的箱体内设置有滤箱, 滤箱前侧开设有加绒孔, 滤箱上端固定有上弧形滤网, 上弧形...
  • 本发明提供了一种氧化镓氢化物气相外延片的加工方法, 属于半导体技术领域。本发明的氧化镓氢化物气相外延片的加工方法包括以下步骤:提供氧化镓氢化物气相外延片;对所述氧化镓氢化物气相外延片依次进行背面减薄、背面腐蚀、正面减薄和正面抛光;所述背面减...
  • 本发明公开了一种氮化铝薄膜的远程外延生长方法, 包括如下步骤:对硅衬底依次进行表面清洁、氩气蚀刻、退火处理、表面氮化处理, 在所述硅衬底的表面形成Si3N4层;在硅衬底具有Si3N4层的一侧表面上形成单层石墨烯层;在所述单层石墨烯层上远程外...
  • 本申请属于半导体技术领域, 具体涉及一种剥离方法、应用该剥离方法的单晶薄膜制备方法及单晶薄膜。该剥离方法包括:自功能性晶圆的第一表面依次注入第一离子和第二离子, 形成包含薄膜层、分离层和余质层的离子注入片, 第一离子和第二离子聚集在分离层;...
  • 本发明涉及3‑氨基‑1, 2, 4‑三氮唑硝酸盐的多晶型非线性光学晶体材料及其制备与应用, 该多晶型材料的化学式为(C2H5N4)(NO3), 分子量为147.11, 具体包括两类晶型:(1)α‑(C2H5N4)(NO3)属于三斜晶系, 空...
  • 本发明提供了一种碱金属稀土硫酸盐晶体及其应用, 碱金属稀土硫酸盐晶体的化学式为ARE(SO4)2, 属于非中心对称单斜晶系, 其中, A为碱金属元素, 选自K、Rb、Cs元素中的任意一种;RE为稀土元素, 选自La、Ce、Y元素中的任意一种...
  • 本发明公开了一种氮化镓薄膜的远程外延生长方法, 包括如下步骤:对硅衬底依次进行表面清洁、氩气蚀刻、退火处理、表面氮化处理, 所述硅衬底的表面形成Si3N4层;在硅衬底具有Si3N4层的一侧表面上形成单层石墨烯层;在所述单层石墨烯层上远程外延...
  • 本发明公开了一种利用铸造法生长半绝缘氧化镓晶体的方法, 包括以下几个步骤:原料的处理:将氧化镓粉末和掺杂原料粉末放入铱金坩埚中, 加热熔完全熔化, 增加中频感应线圈功率使得氧化镓熔体温度升高并保温, 降温至氧化镓的熔点;晶体的生长:打开观察...
  • 本发明涉及晶体制造技术领域, 尤其是一种用于制备钇铝石榴石晶体的熔化炉, 包括有支撑座和设置于所述支撑座顶部的抬升加热组件, 所述抬升加热组件包括有设置于所述支撑座顶部的加热件和设置于所述加热件内部的抬升盛料件, 所述加热件的端部设置有往复...
  • 本发明公开了一种高含量(202)/(222)/(123)高指数晶面的YFeO3晶体材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤:按照Y3+:Fe3+=1:1的摩尔比称取Y(NO3)3·6H2O和Fe(NO3)3·9H2O倒入烧杯, 溶于去离子...
  • 本发明提供了一种用于大尺寸单晶钙钛矿的减薄液及减薄方法, 其中用于大尺寸单晶钙钛矿的减薄液, 包括去离子水以及分散在去离子水中的纳米粉末, 所述纳米粉末的质量占比为5‑15wt%。去离子水解钙钛矿单晶待减薄层, 其表面会生成质地松散的产物,...
  • 本发明公开了一种基于光照和肖特基势垒层耦合的单晶硅挠曲电系数的增强方法, 包括:在单晶硅样片的上下表面分别蒸镀电极材料形成叠层结构, 叠层结构包括顶电极、单晶硅样片和底电极;当顶电极和底电极分别与单晶硅样片形成肖特基势垒层, 且两势垒的内建...
技术分类