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最新专利技术
  • 微电子组件
    微电子组件_隔热半导体粘合技术公司_202512006873.4
    本公开涉及微电子组件。公开了扇出封装的各个实施例。公开了一种形成微电子组件的方法。该方法可以包括：使用无需介入粘合剂的直接粘合技术将至少一个微电子衬底的第一表面粘合到载体的表面，该微电子衬底在微电子衬底的至少一个表面上具有多个导电互连。该方...
    2026-04-20
  • 包括连接到引线框架的连接器元件的第一基板和第二基板的半导体封装
    包括连接到引线框架的连接器元件的第一基板和第二基板的半导体封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202511397459.4
    一种半导体封装(20)包括：多个引线(21.2)，所述多个引线(21.2)包括第一引线(21.2A)和第二引线(21.2B)；第一基板(22)，所述第一基板22连接到第一引线(21.2A)；第二基板(23)，所述第二基板(23)连接到一个或...
    2026-04-20
  • 半导体封装结构及其封装方法
    半导体封装结构及其封装方法_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511955958.0
    本申请公开一种半导体封装结构及其封装方法，涉及半导体技术领域，包括基岛、芯片和多个引脚，芯片贴装于基岛上，多个引脚沿基岛的周侧设置，芯片与引脚的内端部电连接，引脚的外端部设有凹槽，以使引脚的外端部形成悬臂梁结构，悬臂梁结构被分割为沿引脚的厚...
    2026-04-20
  • 布线基板和半导体装置
    布线基板和半导体装置_太阳控股株式会社_202511386527.7
    本发明提供即使在实施了回流处理的情况下也能够抑制翘曲并且还能够抑制设置为覆盖一部分布线层的固化物层产生裂纹的布线基板。一种布线基板，所述布线基板是具备基板、在所述基板的至少一个主表面上设置的布线层、设置为覆盖一部分所述布线层的固化物层、以及...
    2026-04-20
  • 一种光电同传垂直互联结构及其制备方法
    一种光电同传垂直互联结构及其制备方法_北京理工大学_202511691463.1
    本发明属于光电传输技术领域，涉及一种光电同传垂直互联结构，该结构包括依次形成在开设于衬底上的孔内的中空柱状介质层、中空柱状电信号传输层和同时具有中心支撑作用的柱状光信号传输层。中空柱状电信号传输层的材质为铜或钨，柱状光信号传输层的材质为能够...
    2026-04-20
  • 一种高阶玻璃基板结构及其制备方法
    一种高阶玻璃基板结构及其制备方法_厦门安捷利美维科技有限公司_202411367159.7
    本发明提供一种高阶玻璃基板结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一第一、二玻璃基板，分别形成贯穿第一、二玻璃基板的第一、二通孔，分别形成填充第一通孔并位于第一玻璃基板上、下表面的第一线路层、填充第二通孔并位于第二玻璃基板上、下表面的第二线路层...
    2026-04-20
  • 牵引逆变器模块、电力电子系统、用于制造牵引逆变器模块的方法和用于将牵引逆变器模块连接至DC链路电容器的方法
    牵引逆变器模块、电力电子系统、用于制造牵引逆变器模块的方法和用于将牵引逆变器模块连接至DC链路电容器的方法_英飞凌科技股份有限公司_202511301530.4
    一种牵引逆变器模块，包括：多个功率半导体管芯，所述多个功率半导体管芯连接在一起以形成包括半桥的逆变器电路，其中，所述逆变器电路被配置为以3电平拓扑模式操作；封装体，所述封装体封装所述功率半导体管芯；第一外部接触件和第二外部接触件，所述第一外...
    2026-04-20
  • 用于射频设备的层压基板
    用于射频设备的层压基板_意法半导体国际公司_202511434702.5
    本公开涉及用于射频设备的层压基板。一种用于射频RF的层压基板，包括：其中形成有第一槽的第一金属层，以及穿透到第一槽中的传输线，传输线；第二金属层，包括第二横向闭合槽；第三金属层，包括第三横向闭合槽；第四金属层，包括第四槽；介质层，被布置在每...
    2026-04-20
  • 用于射频设备的层压基板
    用于射频设备的层压基板_意法半导体国际公司_202511436286.2
    本公开涉及用于射频设备的层压基板。一种用于射频设备的层压基板，相继包括：第一金属层，在该第一金属层中形成有在其各侧中的一侧上至少部分地开放的第一槽，以及具有延伸到第一槽中的馈线；第二金属层，在该第二金属层中形成有第二横向闭合槽；第三金属层，...
    2026-04-20
  • 封装结构
    封装结构_武汉光谷信息光电子创新中心有限公司_202511933100.4
    本公开实施例提供一种封装结构。该封装结构包括：多个导电结构，导电结构沿第一方向延伸，导电结构包括沿第一方向相对设置的第一端部和第二端部，以及位于第一端部和第二端部之间的连接部；其中，由连接部至第一端部，导电结构沿第二方向的尺寸逐渐减小，由连...
    2026-04-20
  • 半导体器件、电子系统和制造半导体器件的方法
    半导体器件、电子系统和制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202511395345.6
    提供了半导体器件、电子系统和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括贯通通路的基板；在基板的第一表面上的第一再分布层；在基板的与第一表面相反的第二表面上的第二再分布层；在第二再分布层的背对基板的表面上的半导体芯片；以及包括在基板、第一...
    2026-04-20
  • 布线结构、其制备方法及半导体器件
    布线结构、其制备方法及半导体器件_普冉半导体(上海)股份有限公司_202512002230.2
    本发明涉及一种用于半导体器件的布线结构、其制备方法及半导体器件。所述布线结构包括隔离区域与金属布线层，金属布线层包含至少一条正常走线，正常走线中与隔离区域相邻的部分为走线段；在所述走线段朝向隔离区域的一侧布置至少一条保护线，保护线与正常走线...
    2026-04-20
  • 降低电子设备两侧上的电导体的电阻
    降低电子设备两侧上的电导体的电阻_马维尔亚洲私人有限公司_202510872289.4
    一种电子设备，包括(a)半导体衬底，(b)形成在半导体衬底第一侧上的多个晶体管，以及(c)形成在半导体衬底的第一侧上的第一组金属互连层，以及形成在半导体衬底的与第一侧相反的第二侧上的第二组金属互连层，第一组金属互连层和第二组金属互连层中的每...
    2026-04-20
  • 半导体结构的制备方法、铜电镀液
    半导体结构的制备方法、铜电镀液_湖北通格微电路科技有限公司_202511832604.7
    本申请涉及一种半导体结构的制备方法、铜电镀液。半导体结构包括依次层叠设置的玻璃基底、阻隔层、介电层、缓冲层和重分布层，阻隔层包括二氧化硅，介电层包括苯并环丁烯，缓冲层包括钽和钛钨中的至少一种。以苯并环丁烯作为介电层，其介电常数较低，高频信号...
    2026-04-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_通富微电子股份有限公司_202512018316.4
    一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：印刷电路基板；与印刷电路基板键合连接的封装结构，封装结构包括基底，其内具有若干导电插塞；位于基底内的填充层，其材料的热膨胀系数大于基底的材料热膨胀系数；位于基底上的顶层重布线层和底层重布线层；与顶层...
    2026-04-20
  • 具有集成无源组件和半导体装置的微电子组合件
    具有集成无源组件和半导体装置的微电子组合件_德州仪器公司_202511335294.8
    本公开涉及具有集成无源组件和半导体装置的微电子组合件。实例设备包含：导电立柱凸块(图6A，625)，其位于多层电路衬底(602)的装置侧表面上，布置成安装无源组件；至少一个半导体裸片(614)，其倒装芯片安装到所述多层电路衬底的所述装置侧表...
    2026-04-20
  • 一种用于倒装工艺中的芯片压合方法及设备
    一种用于倒装工艺中的芯片压合方法及设备_南京屹立芯创半导体科技有限公司_202511709647.6
    本发明涉及一种用于倒装工艺中的芯片压合方法及设备，该方法包括如下步骤：S1、在芯片具有超细节距凸块的一侧设置非导电材料；S2、在载体的焊盘或凸块上与芯片的凸块进行倒装放置；S3、将步骤S2中的载体与芯片放置在一个可设置温度、压力及真空切换配...
    2026-04-20
  • 用于芯片封装不同高度金属BUMP的电镀方法
    用于芯片封装不同高度金属BUMP的电镀方法_成都奕成集成电路有限公司_202512025452.6
    本发明公开了用于芯片封装不同高度金属BUMP的电镀方法，涉及芯片技术领域，包括S1、在沉积了导电的种子层的重布线层表面涂覆光刻胶，形成PR层；S2、在PR层开设多个电镀孔，至少有两个电镀孔的直径不同；S3、利用电镀工艺在所有的电镀孔中沉积金...
    2026-04-20
  • 超声辅助大芯片热压键合头及热压键合方法
    超声辅助大芯片热压键合头及热压键合方法_上海骄成半导体设备技术有限公司_202512059414.2
    本发明的实施例提供了一种超声辅助大芯片热压键合头及热压键合方法，涉及半导体封装设备技术领域。旨在改善现有超声辅助键合技术功能单一，振动模式不可调，无法灵活适配大尺寸芯片键合中不同材料、不同界面结构或不同工艺阶段对能量作用方向的差异化需求的问...
    2026-04-20
  • 一种超声能量与压力协同耦合的超声键合工艺
    一种超声能量与压力协同耦合的超声键合工艺_江苏圣创半导体科技有限公司_202610263584.4
    本发明涉及高精度制造技术领域，尤其涉及一种超声能量与压力协同耦合的超声键合工艺，包括：基于引线材质匹配预设的键合压力目标值及超声功率范围；使压电陶瓷在超声功率范围内产生振动，经变幅杆放大后传输至劈刀；根据视觉系统定位焊点坐标，控制音圈电机驱...
    2026-04-20
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