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最新专利技术
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511282098.9
    提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第一基底，包括单元阵列区域和在平面图中围绕单元阵列区域的第一划线区域；存储器单元阵列，在单元阵列区域上；坝结构，在第一划线区域上，坝结构在平面图中围绕存储器单元阵列，并且坝结构包括面对存...
    2026-03-20
  • 一种半导体存储器的制备方法
    一种半导体存储器的制备方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511424714.X
    本发明提供了一种半导体存储器的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，每一下电极顶部的侧壁上形成有第一支撑层，所述第一支撑层增大了相邻下电极顶部之间绝缘隔离材料的厚度，降低了相邻下电极发生短路的风险，并提高了半导体存储器的效能及可靠度。
    2026-03-20
  • 半导体存储器装置及其制造方法
    半导体存储器装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511835061.4
    半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤。在基板上形成容器层间介电层。在容器层间介电层上方形成中间氮化物层。在中间氮化物层上方形成容器氧化物层。将硼、碳、锗和砷中的至少一个离子植入容器氧化物层区域，转化为植入氧化物层。在植入氧化物层上方形成硬...
    2026-03-20
  • 存储器装置与其制造方法
    存储器装置与其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511868192.2
    形成存储器装置的方法，包含：蚀刻基板以形成自基板延伸的突出部分；在基板上方及突出部分的相对侧上形成第一隔离结构；形成切割突出部分及第一隔离结构的第一、第二及第三字元线沟槽；在第一、第二及第三字元线沟槽中相应地形成牺牲层；移除牺牲层的第一部分...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202610154983.7
    本公开关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、电子设备，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成沿垂直于衬底的表面的方向依次交替分布的第一半导体层和第二半导体层，第二半导体层包括层叠分布的第一锗硅层和第二锗硅层，第一锗硅层中的锗离子...
    2026-03-20
  • 多次可编程存储器及其制造方法、写入方法和擦除方法
    多次可编程存储器及其制造方法、写入方法和擦除方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411201982.0
    本发明提供一种多次可编程存储器及其制造方法、写入方法和擦除方法，多次可编程存储器包括擦除栅氧化层和擦除栅，擦除栅氧化层覆盖第二浮栅远离第一浮栅的侧壁并延伸覆盖部分NMOS器件区的浮栅氧化层，擦除栅位于擦除栅氧化层上，且擦除栅与第二浮栅之间通...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411205300.3
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供包括衬底、位于衬底上基于隔离沟槽分立设置的多个栅绝缘层和位于栅绝缘层上的浮栅层的基底；基底包括逻辑区和存储区；在隔离沟槽内形成浅沟槽隔离结构，至少位于存储区的浅沟槽隔离结构的顶面低于...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411260971.X
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，该方法包括：在衬底的存储区上形成间隔设置的第一存储单元和第二存储单元，所述第一存储单元的第一字线栅和所述第二存储单元的第二字线栅之间具有导电接触区；在所述导电接触区上形成辅助扩散层；在所述辅...
    2026-03-20
  • 半导体结构及形成方法
    半导体结构及形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411238388.9
    本发明提供一种半导体结构及形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底包括第一区；位于第一区上的若干分立排布的字线结构；位于字线结构一侧的选择管栅；位于衬底上且覆盖字线结构和选择管栅的第一介质层，第一介质层内具有空气柱，空气柱位于相邻字线结构之...
    2026-03-20
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510183272.8
    在本发明的一实施方式中，提供一种半导体存储装置，其能够降低制造成本。实施方式的半导体存储装置包含逐层交替地积层多个配线层(34)与多个绝缘层(35)而成的积层体、穿过积层体的存储器柱、及截断积层体的第1部件。多个绝缘层包含第1绝缘层。多个配...
    2026-03-20
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511271706.6
    一种半导体器件可以包括：位线，在第一水平方向上延伸；多个垂直沟道图案，在位线上并在第一水平方向上彼此分隔开；两条字线，在所述多个垂直沟道图案中的相邻的垂直沟道图案之间在第二水平方向上延伸，第二水平方向与第一水平方向相交；多个接触插塞，接触所...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411206259.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括：沿着垂直于衬底的方向堆叠的多个超晶格结构；沿着垂直于衬底的方向相邻的任意两个超晶格结构分别为靠近衬底的下超晶格结构和远离衬底的上超晶格结构；超晶格结构包括多个存储单元...
    2026-03-20
  • 半导体装置及其制备方法、存储器系统
    半导体装置及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411246734.8
    本申请实施例提供了一种半导体装置及其制备方法、存储器系统。该半导体装置包括存储阵列结构以及位于该存储阵列结构在第一方向上的一侧的外围电路结构。外围电路结构包括半导体器件、导电层以及焊盘结构。导电层位于位于半导体器件背离存储阵列结构的一侧，焊...
    2026-03-20
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510100437.0
    本发明提供一种能够实现高集成化的半导体装置。本发明的半导体装置具备多个第1电阻元件、绝缘层及多个第2电阻元件。多个第1电阻元件包含：多个扩散层，设置在半导体衬底的主面侧，在与半导体衬底的主面平行的第1方向延伸，在与半导体衬底的主面平行且与第...
    2026-03-20
  • 具有传输晶体管电路的存储器装置
    具有传输晶体管电路的存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510374392.6
    本公开涉及一种具有传输晶体管电路的存储器装置，包括：衬底，衬底上设置有在第一水平方向上彼此相邻的第一有源区域和第二有源区域。第一传输晶体管设置在衬底上，并具有在第一水平方向上横跨第一有源区域的第一栅极电极，第二传输晶体管设置在衬底上，并具有...
    2026-03-20
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511056845.7
    一种半导体存储器装置包括：模制结构，包括多个栅电极；栅电极切割图案，通过沿着平面切割所述多个栅电极将模制结构分离为多个块；多个第一电容器结构，在第一块内穿透模制结构，多个第二电容器结构，第一块是所述多个块中的至少一个块；多个第二电容器结构，...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制造方法、存储器系统
    半导体器件及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411239511.9
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统。该半导体器件包括第一堆叠结构、第一绝缘结构以及选择栅切线结构。第一堆叠结构包括交替设置的介电层和栅极层，栅极层包括第一栅极层和位于第一栅极层一侧的第二栅极层；第一绝缘结构穿过第一栅极...
    2026-03-20
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510185352.7
    驱动速度提高的半导体存储装置具备：跨过沿X方向排列的第一及第二区域设置的第一布线层；在Z方向上与第一布线层分离地排列的第二布线层；在相对于第二布线层与第一布线层相反的一侧，在Z方向上相互分离地设置的多个第三布线层；在Y方向上排列，各自沿X方...
    2026-03-20
  • 存储器装置的制造方法
    存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510444832.0
    本申请涉及存储器装置的制造方法。一种制造存储器装置的方法包括以下步骤：形成贯穿层叠结构的开口；形成包括第一部分和第二部分的沟道层，其中，所述第一部分在所述层叠结构的上表面上延伸，并且所述第二部分在所述开口的内侧表面上延伸；在所述沟道层的第一...
    2026-03-20
  • 半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统
    半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统_三星电子株式会社_202510966274.4
    提供了一种半导体装置和一种数据存储系统。该半导体装置包括：栅电极，其在第一方向上堆叠并且在第二方向上延伸；沟道结构，其在第一方向上延伸到栅电极中；接触插塞，其在第一方向上延伸并且分别电连接到栅电极；以及接触衬里层，其分别位于接触插塞的侧表面...
    2026-03-20
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