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最新专利技术
  • 半导体功率器件及其制备方法
    半导体功率器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202610122218.7
    本发明涉及一种半导体功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，在该半导体功率器件中，由于栅极沟槽的深度大于源区的深度，且小于阱区的深度，使得形成的第一栅极部的拐角处被阱区包围，降低了拐角处的最大电场强度，显著提升了器件可靠性，另外，此时第一...
    2026-03-17
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411123940.X
    本发明公开了一种半导体结构及其形成方法、电子设备，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的深P型阱以及第一深N型阱；所述深P型阱设置于所述衬底上的部分区域，所述第一深N型阱设置于所述衬底上的另一部分区域；所述深P型阱的纵向高度大于所述第一深...
    2026-03-17
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411123990.8
    一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区；在第一区和与第一区相邻的衬底上形成初始栅极结构；在衬底上和初始栅极结构上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构暴露出部分所述初始栅极结构表面；以所述第一掩膜结构为掩膜...
    2026-03-17
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411127342.X
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底，包括器件区和环绕器件区的保护区，器件区包括沿平行于衬底表面方向分布的体区和漂移区，漂移区位于相邻的体区之间，体区和漂移区内离子的导电类型相反，保护区包括第一保护区和第二保护区，第一保护区位于...
    2026-03-17
  • 横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
    横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511745986.X
    本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。该晶体管在漂移区上方设置由掺杂半导体层和第二导电类型抬升外延层构成的表面电场降低层。该结构通过引入P型反型掺杂降低表面电场，在不牺牲导通电阻的前提下显著提升击穿电压，拓宽了安全工作区...
    2026-03-17
  • 一种助力碳中和的SiC功率器件终端结构及其制备方法
    一种助力碳中和的SiC功率器件终端结构及其制备方法_龙腾半导体股份有限公司_202511801165.3
    本发明涉及一种助力碳中和的SiC功率器件终端结构及其制备方法，终端结构包括：N型衬底、N型外延层、第一P型区域、若干第二P型区域和至少一个P型TOP区，其中，N型外延层位于N型衬底上；第一P型区域、若干第二P型区域和至少一个P型TOP区均从...
    2026-03-17
  • 半导体器件和半导体工艺方法
    半导体器件和半导体工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511501702.2
    本申请提供了一种半导体器件和半导体工艺方法，涉及半导体工艺技术领域，以解决环栅场效应晶体管的内侧墙难以兼顾较低的寄生电容和对源漏层生长适当的选择性的问题。半导体器件，包括环栅器件，环栅器件包括内墙空腔，内墙空腔中至少设置有硅氧碳氮层和氮化硅...
    2026-03-17
  • 一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法
    一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511696506.5
    本发明公开一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，以解决现有技术中的氧化物薄膜晶体管稳定性和可靠性较差的问题。氧化物薄膜晶体管包括：半导体衬底，半导体层设置在半导体衬底上，第一栅介质层设置在部分半导体层上，第一栅电极设置在...
    2026-03-17
  • 应用于SRAM存储器的浮栅晶体管结构及其制备方法
    应用于SRAM存储器的浮栅晶体管结构及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511768140.8
    本发明公开应用于SRAM存储器的浮栅晶体管结构及其制备方法，涉及浮栅晶体管技术领域，以解决现有技术中单个浮栅晶体管存储容量有限的问题。浮栅晶体管结构包括：半导体衬底；浮栅堆叠结构，设置在所述半导体衬底的部分区域上；控制栅堆叠结构，设置在所述...
    2026-03-17
  • 非易失性存储单元、制备方法及操作方法
    非易失性存储单元、制备方法及操作方法_中国科学院半导体研究所_202511559097.4
    本公开提供一种非易失性存储单元、制备方法及操作方法，非易失性存储单元包括：Si/SiGe异质结构的外延层，包括依次层叠的SiGe缓冲层、Si量子阱层、SiGe势垒层以及Si盖层，Si量子阱层用作载流子通道，SiGe势垒层用作隧穿势垒，Si盖...
    2026-03-17
  • 一种用于制造半导体衬底量子模拟器的原子级构筑方法
    一种用于制造半导体衬底量子模拟器的原子级构筑方法_西安交通大学_202511754824.2
    本发明公开了一种用于制造半导体衬底量子模拟器的原子级构筑方法，首先采用真空热蒸镀的方法，以可控的沉积速率在半导体衬底上沉积单个分布的金属原子，再利用扫描隧道显微镜(STM)的纵向操纵方法，通过精确调控针尖的拖动速度、隧道结偏压与隧穿电流，对...
    2026-03-17
  • 半导体装置
    半导体装置_鸿海精密工业股份有限公司_202411120602.0
    一种半导体装置包含基板、漂移区、外围区、至少一第一保护环以及至少一第二保护环。漂移区位于基板上且具有第一导电特性。外围区位于漂移区上且具有第二导电特性。第一保护环位于漂移区上以及外围区的一侧且具有第二导电特性。第二保护环位于漂移区上以及外围...
    2026-03-17
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411149575.X
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，在有源区的顶角处形成多级阶梯式结构，增加了有源区顶角处的表面面积，同时增加了器件隔离结构和有源区侧壁之间的距离，在后续原位生长栅氧化层时，避免器件隔离结构对栅氧化层的挤压，并改善栅氧化层的生长速率统一化及...
    2026-03-17
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202411154999.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括依次层叠设置的衬底、N+型氮化镓外延层、N‑型氮化镓外延层以及第一AlGaN层；P型氮化镓外延层，由第一AlGaN层远离衬底一侧的表面延伸至N‑型氮化镓外延层中；第二AlGaN层，位于第...
    2026-03-17
  • 具有P型局域结构的超结MOS元胞结构及其制备方法
    具有P型局域结构的超结MOS元胞结构及其制备方法_西安龙飞电气技术有限公司_202511777984.9
    本发明公开了一种具有P型局域结构的超结MOS元胞结构及其制备方法，包括衬底、叠加于衬底之上的缓冲层、叠加于缓冲层之上的外延层、叠加于N柱上表面两侧阶梯区域的Pbody区以及位于N柱上表面、Pbody区上表面和N+区上表面部分区域之上的栅极结...
    2026-03-17
  • 一种芯片结构及其制备方法
    一种芯片结构及其制备方法_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202511906574.X
    本发明公开了一种芯片结构及其制备方法。芯片结构包括：有源层和设置于所述有源层上的互连层；其中，所述有源层和所述互连层均包括拼接区，所述拼接区为制备所述有源层和所述互连层时，相邻的不同曝光场的交叠区域和/或边缘区域；其中，所述芯片结构采用梯度...
    2026-03-17
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610003784.6
    一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的第一环状隔离结构以及第一外延层；位于所述衬底上且形成在所述第一外延层内的第二环状隔离结构；至少部分位于所述第二封闭环状内部衬底内的第一埋层，以及至少部分位于所述第二封闭环...
    2026-03-17
  • 场板介质层及其制备方法
    场板介质层及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610117002.1
    本公开涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种场板介质层及其制备方法。场板介质层的制备方法包括：提供衬底，衬底内具有阱区，且衬底上定义有第一区域以及第二区域，阱区穿越第一区域与第二区域；使用预设离子向阱区进行离子注入，于第一区域的阱区内形成漂移...
    2026-03-17
  • 半导体装置以及半导体模块
    半导体装置以及半导体模块_富士电机株式会社_202510840426.6
    本发明提供一种半导体装置，其具备设置在半导体基板的正面的上方的保护膜、以及设置在所述半导体基板的正面的上方的正面电极，所述正面电极具有通过在所述保护膜设置的多个开口部露出的多个键合区和试验用的多个试验用区，在俯视所述半导体基板时，各个试验用...
    2026-03-17
  • 具有低接触电阻的接触件结构及其制造方法
    具有低接触电阻的接触件结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411248846.7
    本发明公开一种具有低接触电阻的接触件结构及其制造方法，其中该具有低接触电阻的接触件结构包含一介电层位于一基底上、一接触孔形成在该介电层中并露出该基底、一N型或P型金属氧化物薄膜位于该接触孔的表面上、一阻障层位于该金属氧化物薄膜上、以及一接触...
    2026-03-17
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