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最新专利技术
  • 半导体器件、阵列基板以及显示面板
    半导体器件、阵列基板以及显示面板_绵阳惠科光电科技有限公司_202511687114.2
    本发明公开了一种半导体器件、阵列基板以及显示面板，涉及显示技术领域，其中，半导体器件包括基底、薄膜晶体管以及制冷层；薄膜晶体管包括源极、漏极、半导体层、栅极以及绝缘层，栅极设于基底，绝缘层设于基底，并覆盖栅极，半导体层设于绝缘层上，源极和漏...
    2026-03-11
  • 改善高压器件隔离区域漏电的方法
    改善高压器件隔离区域漏电的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511679217.4
    本申请提供一种改善高压器件隔离区域漏电的方法，包括：步骤一，提供一衬底，衬底中形成的隔离区将衬底分为低压器件区、中压器件区和高压器件区，在衬底上形成中压器件氧化层；步骤二，去除部分中压器件氧化层，仅在中压器件区和隔离区中的高压器件隔离区域保...
    2026-03-11
  • ESD防护结构及其形成方法、半导体器件
    ESD防护结构及其形成方法、半导体器件_浙江创芯集成电路有限公司_202511800216.0
    本申请实施例提供一种ESD防护结构及其形成方法、半导体器件，所述形成方法，包括：提供基底；在基底上形成漂移区；在漂移区内形成隔离的第一掺杂层和第二掺杂层；形成位于漂移区内第一体区和第二体区；在第一体区内形成相互隔离的第三掺杂层、第四掺杂层和...
    2026-03-11
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202511810621.0
    本公开涉及一种太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池的PN结的方块电阻为100Ω‑500Ω，所述PN结的深度在0.1μm以上，所述PN结的掺杂浓度在50×10‑21‑21cm‑3‑3以下，在所述PN结的方块电阻不变的情况下，所述PN结的掺杂浓...
    2026-03-11
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202511648047.3
    本申请涉及太阳能电池技术领域，具体涉及太阳能电池及其制备方法、光伏组件。本申请的太阳能电池包括：硅基体；硅基体具有相对设置的第一、第二表面；依次设置于第一表面的第一本征层、N型掺杂层和第一透明导电膜层；依次设置于第二表面的第二本征层、P型掺...
    2026-03-11
  • 背接触电池及其制备方法、光伏组件
    背接触电池及其制备方法、光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511990236.9
    本公开的实施例提供了一种背接触电池及其制备方法、光伏组件，涉及太阳能电池领域，背接触电池包括：硅基体，背面包括第一区、第二区和间隔区，相邻的第一区和第二区通过间隔区隔开，第一间隔子区相对于第二间隔子区更靠近第一区；第一载流子收集层，具有第一...
    2026-03-11
  • 一种具有压力反馈功能的光伏板层压机
    一种具有压力反馈功能的光伏板层压机_上海迪伐新能源设备制造有限公司_202511579254.8
    本发明公开了一种具有压力反馈功能的光伏板层压机，涉及层压机技术领域，光伏板层压机包括底座、输送装置、整平装置和层压装置，输送装置与底座紧固连接，输送装置用于将光伏件依次输送到整平装置和层压装置内，整平装置与底座紧固连接，整平装置用于去除光伏...
    2026-03-11
  • 一种基于多模块拼接的柔性太阳能电池
    一种基于多模块拼接的柔性太阳能电池_北京昇帆科技有限公司_202511783613.1
    本发明提供一种基于多模块拼接的柔性太阳能电池，由多个模块组成，每个模块包括电池组件和基板，所述电池组件粘贴在基板上，所述基板包括电路层和夹持所述电路层的第一覆盖层和第二覆盖层，所述电路层分为若干组电缆线，每组电缆线包括1根正电缆线和1根负电...
    2026-03-11
  • 一种高反射黑色太阳能背板
    一种高反射黑色太阳能背板_绍兴华源新材料科技有限公司_202511698924.8
    本发明公开了一种高反射黑色太阳能背板，包括白色反射层I、白色反射层II、白色反射层III、黑色反射层I和黑色反射层II；三层白色反射层中分别含有钛白粉，钛白粉在白色反射层中的含量符合：白色反射层I＜白色反射层II＜白色反射层III；黑色反射...
    2026-03-11
  • 一种BC电池互联用复合焊带结构及制备方法
    一种BC电池互联用复合焊带结构及制备方法_宏润泰阳(宣城)绿色能源有限公司_202511580168.9
    本发明公开一种BC电池互联用复合焊带结构及制备方法，解决现有BC电池互联短路频发、成本高、柔韧性差及绝缘可靠性低的问题。复合焊带包括复合金属芯、双层绝缘层及分段接触段；接触段去除绝缘层露镀镍银合金的金属芯，其余区域保留绝缘层；制备采用卷对卷...
    2026-03-11
  • 一种高可靠性的光伏组件及系统
    一种高可靠性的光伏组件及系统_英利能源发展有限公司_202511674307.4
    本发明公开的一种高可靠性的光伏组件及系统，属于光伏技术领域，所述光伏组件包括：正极接线端子、负极接线端子和两组光伏单元；每组光伏单元均包括电池单元、汇流带和两个二极管；其中一个二极管连接于汇流带与电池单元的负极之间；另一个二极管连接于汇流带...
    2026-03-11
  • 共振隧穿光电二极管
    共振隧穿光电二极管_中国科学院半导体研究所_202511729475.9
    本公开提供一种共振隧穿光电二极管，涉及红外光电器件技术领域。该共振隧穿光电二极管包括：衬底；材料层，位于衬底上方，材料层包括：吸收区，增益区，用于调控红外信号的信号增益，增益区包括：下势垒层；势阱层，位于下势垒层上方；上势磊层，位于势阱层上...
    2026-03-11
  • 改善背反射金属格栅制造工序间隔时间的方法
    改善背反射金属格栅制造工序间隔时间的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511676121.2
    本申请提供一种改善背反射金属格栅制造工序间隔时间的方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底的背面依次形成层间介质层、阻挡层、金属层、第一金属硬掩模层、第一硬掩模层、第二金属硬掩模层和第二硬掩模层；步骤二，实施第一刻蚀，在第二金属硬掩模层和第二...
    2026-03-11
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610098801.9
    本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。图像传感器包括：衬底，包括光电感应区和逻辑区，衬底包括相对设置的正面和反面；多个光电二极管，由衬底的正面间隔设置在光电感应区；多个半导体器件，由衬底的正面间隔设置在逻辑区；至少一个...
    2026-03-11
  • 芯片封装结构和芯片封装方法
    芯片封装结构和芯片封装方法_苏州科阳半导体有限公司_202511799333.X
    本申请提供的一种芯片封装结构和芯片封装方法，涉及半导体技术领域。该芯片封装结构包括第一基板、第二基板、芯片和防反玻璃。第一基板设有第一通孔和分布在第一通孔外周的第一重布线层，第一重布线层连接有第一凸点和第二凸点；第一凸点相对第二凸点更靠近第...
    2026-03-11
  • 芯片封装结构和芯片封装方法
    芯片封装结构和芯片封装方法_苏州科阳半导体有限公司_202511799334.4
    本申请提供的一种芯片封装结构和芯片封装方法，涉及芯片封装技术领域。该芯片封装结构包括第一玻璃基板、第二玻璃基板和芯片。第一玻璃基板的一侧表面具有透光区和布线区；布线区位于透光区的外围；布线区设有第一布线层和与第一布线层电连接的至少两组连接端...
    2026-03-11
  • 一种量子点焦平面探测器及其制备方法
    一种量子点焦平面探测器及其制备方法_安徽量芯光电科技有限公司_202511801344.7
    本发明属于探测器相关领域，公开了一种量子点焦平面探测器及其制备方法，所述量子点焦平面探测器ROIC晶圆、像素绝缘层、金属层、空穴传输层、量子点层、缓冲层、电子传输层及公共电极层。像素绝缘层设于ROIC晶圆上表面，其上开设有阵列孔洞且延伸至R...
    2026-03-11
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610113824.2
    本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。图像传感器包括：衬底，所述衬底内间隔设置多个光电二极管；第一氧化区和第二氧化区，交替设置在相邻所述光电二极管之间的所述衬底内，所述第一氧化区和所述第二氧化区的形状不同，所述第一氧化...
    2026-03-11
  • 一种基于石英掩膜隔离扩散的TBC电池制备方法
    一种基于石英掩膜隔离扩散的TBC电池制备方法_江苏润阳世纪光伏科技有限公司_202511567369.5
    本发明公开了一种基于石英掩膜隔离扩散的TBC电池制备方法，其包括：S1、提供制有塔基和poly层的硅片；S2、提供石英隔离器件，其具有用于在硅片表面扩散形成叉指状PN结的扩散结构；扩散结构是由硼扩散石英管路和磷扩散石英管路相互交叉但互不相通...
    2026-03-11
  • 选择性发射极的制备方法、太阳能电池及其制备方法
    选择性发射极的制备方法、太阳能电池及其制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202511642369.7
    本公开涉及一种选择性发射极的制备方法、太阳能电池及其制备方法。选择性发射极的制备方法包括：提供衬底；衬底包括金属栅线接触区和非金属栅线接触区；对衬底进行离子扩散处理，在衬底的第一表面上形成第一掺杂多晶硅层；第一掺杂多晶硅层为重掺杂；在第一掺...
    2026-03-11
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