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  • 本公开涉及一种太阳能电池及其激光残留的清洗方法、及其制备方法。太阳能电池中激光残留的清洗方法包括:提供太阳能电池半成品;对太阳能电池半成品进行激光处理,形成激光区;其中,激光区包括中心区域和边缘区域,边缘区域与中心区域的平整度的差值为第一差...
  • 本申请涉及一种电池片的生产方法,包括:在电池片上印刷栅线电极;对所述栅线电极进行烧结;切割所述电池片;在所述电池片的切割边缘形成钝化层,所述钝化层具有延伸至所述电池片的受光面上的延伸部;对所述延伸部施加激光。在本申请中,通过向延伸部施加激光...
  • 本发明涉及光伏太阳能板加工技术领域,具体为一种光伏太阳能板加工用贴合装置。包括基架,还包括:载台,转动安装于基架上,载台上放置有待贴合太阳能板,定位夹持系统,用于待贴合太阳能板在载台上的四角定位,直线驱动模块,安装于基架上,直线驱动模块上传...
  • 本发明公开了一种光伏组件层压机,涉及光伏组件加工技术领域。本发明包括机架,所述机架两侧分别设置有入料装置及出料装置,所述机架的一侧设置有传送装置,所述传送装置固定安装有下压装置,所述下压装置安装有取料组件及压合装置,所述机架滑动安装有承接组...
  • 本发明提供了一种溴化铯铅量子点/单层二硫化钼0D/2D异质结光电传感器及其制备方法,属于光电器件技术领域。采用Au/p++型硅衬底/SiO22结构构建图案化底电极;机械剥离法制备单层二硫化钼(MoS22)薄膜并转移至图案化硅片电极上;将量子...
  • 本发明提供一种BC电池掩膜及其制备方法和应用,属于光伏技术领域,制备方法包括以下步骤:提供背面形成有掺杂多晶硅层的硅片;对所述硅片进行热氧化处理,在所述掺杂多晶硅层表面形成SiO22层;将经过处理的硅片置于PECVD反应腔中,在维持真空环境...
  • 本发明涉及光伏电池制造技术领域,公开了一种背接触光伏电池及其制备方法。该方法包括:在硅片背面的p区和n区分别制备p型多晶硅层和n型多晶硅层;在p型多晶硅层和n型多晶硅层的背表面分别印刷p区金属浆料和n区金属浆料,烧结,以分别制得p区金属电极...
  • 本发明涉及一种太阳能光伏板的汇流条贴覆装置,包括固定底板,在固定底板的顶部后侧通过料卷挡板电机安装架安装有料卷挡板电机,料卷挡板电机的输出轴通过料卷挡板转轴与位于固定底板前侧的料卷挡板相连接,在固定底板的底部前侧安装有下压组件;在下压组件右...
  • 本发明属于半导体感光元件技术领域,具体涉及一种SiC基半导体感光元件及其制备方法。本发明通过高温热解与脉冲激光辅助相结合的手段,在高温辅助下使SiC表面C‑Si键活化,激光辐照使C‑Si键断裂;同时,吸附在SiC表面的掺杂元素以原子形式嵌入...
  • 本发明提供了一种TBC太阳能电池背接触电极及其制备方法与TBC太阳能电池,所述制备方法包括:通过激光化学沉积,同步完成抗反射层的激光开槽与种子层的化学沉积,再在所得种子层的表面制备金属化电极,得到TBC太阳能电池背接触电极;所述激光化学金属...
  • 本发明公开了用于光伏组件的生产工艺优化方法及系统,涉及光伏生产技术领域。方法包括:对目标光伏组件进行正面焊接,并利用红外热像监控焊头与焊缝区域热分布,解析获得焊缝峰值温度分布;对正面焊接后的多个焊接尾端按预设指标进行可焊性识别,获得尾端可焊...
  • 本公开涉及光伏领域,提供一种太阳能电池片及其制作方法、光伏组件,其中,太阳能电池片的制作方法包括:提供初始电池片,初始电池片包括基底,基底包括第一区,掺杂导电区位于第一区,第一功能层位于掺杂导电区远离基底的表面,第二功能层,第二功能层位于第...
  • 本申请涉及光伏电池技术领域,特别是涉及太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件。所述太阳能电池的制备方法包括:提供N型硅基底;在N型硅基底的背面进行硼扩散形成硼扩层和BSG层,并将背面划分为交替排布的第一区域和第二区域;对第一区域进行激光...
  • 本发明公开了一种光伏组件包括:电池单元组、连接结构。电池单元组包括串联和/或并联的多个电池串;连接结构包括旁路条,旁路条设于相邻电池单元组之间,旁路条包括第一非引出部、第二非引出部和引出部,引出部连接在第一非引出部和第二非引出部之间,引出部...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池及制备方法、光伏组件及光伏系统,可以为串接结构和连接线设置不同的制备材料,分别对应串接结构和连接线的需求,提高太阳能电池的性能。包括:硅基底;主栅,设于硅基底,包括若干串接结构和连接线,连...
  • 本发明公开了一种异质结电池结构及抗衰减方法,涉及太阳能电池领域,在单晶硅片基底的背光面和受光面的掺杂非晶/微晶薄膜层上均设置的SiOx‑TCO‑SiNx梯度折射薄膜层;所述SiOx‑TCO‑SiNx梯度折射薄膜层为受光面向内依次包括SiNx...
  • 一种太阳能电池及其制作方法,太阳能电池包括衬底、外延结构、背电极、欧姆接触层、栅线电极、顶电极和透明导电层。外延结构设于衬底的一侧表面上。背电极设于衬底背离外延结构一侧的表面上。欧姆接触层设于外延结构背离衬底的表面,并设有裸露外延结构部分表...
  • 本申请涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种太阳电池及光伏组件。太阳电池,包括电池本体以及多根集电栅线。多根集电栅线设置在电池本体的表面上,集电栅线的长度延伸方向为第一方向,且多根集电栅线沿第二方向间隔设置,第二方向与第一方向相交。电池本体沿第...
  • 本申请提供了背接触太阳电池,包括硅衬底、第一金属栅线、第二金属栅线、第一钝化层、第二钝化层和保护层;第一金属栅线和第二金属栅线设于硅衬底背面,相邻的部分第一金属栅线和第二金属栅线之间间隔形成保护层容置区;第一钝化层设于硅衬底正面,第二钝化层...
  • 本申请涉及一种改善UVID的TOPCon电池制备方法和TOPCon电池,对处理后的硅基底背面沉积第一隧穿氧化层和阻挡多晶硅层,在沉积的阻挡多晶硅层上再次沉积第二隧穿氧化层和掺杂多晶硅层;在硅基底的背面形成二氧化硅掩蔽膜,并进行背面磷扩散;在...
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