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最新专利技术
  • 一种用于芯片封装的真空共晶炉
    一种用于芯片封装的真空共晶炉_四川景恒科技有限公司_202511715807.8
    本发明公开了一种用于芯片封装的真空共晶炉，涉及真空共晶炉技术领域。本发明包括：炉体，所述炉体的上端面上安装有密封座，所述密封座上铰接有密封盖，所述密封座内安装有加热盘；检测组件，安装在密封盖上且用于检测芯片烧结度；芯片夹板，竖直滑动插设在密...
    2026-02-28
  • 一种适用引线框架和高密度基板的工装夹具结构
    一种适用引线框架和高密度基板的工装夹具结构_南京国博电子股份有限公司_202511738428.0
    本发明涉及塑封封装技术领域，公开了一种适用引线框架和高密度基板的工装夹具结构，包括：压板、限位板和底座；限位板与底座之间、以及限位板与压板之间均通过内部磁性部件与导磁定位销的配合实现对准，并通过磁吸结构依次固定连接；其中，限位板内部设有挖空...
    2026-02-28
  • 一种半导体薄板类产品加工方法
    一种半导体薄板类产品加工方法_沈阳睿璟精密科技有限公司_202511740292.7
    本发明涉及半导体产品加工技术领域，公开一种半导体薄板类产品加工方法。该半导体薄板类产品加工方法包括以下步骤：S1、装夹板材，对板材飞面加工至第一预设厚度；S2、拆卸板材并去除板材应力，然后采用冰冻盘装夹板材，对板材飞面加工至第二预设厚度；S...
    2026-02-28
  • 基于IGBT模块批量功率电源修复工艺及模块
    基于IGBT模块批量功率电源修复工艺及模块_青岛航天半导体研究所有限公司_202511418257.3
    本发明涉及基于IGBT模块批量功率电源修复工艺及模块，返工修复基于IGBT模块的电源；首先，进行质量检测，挑选出满足返工修复要求的电源；依次进行烧结返工、钎焊返工、老炼试验。在S1，进行烧结处理中；执行以下步骤；S1.1确定电源的各部件失效...
    2026-02-28
  • 测试离子注入能量的晶圆、能量检测方法和检测系统
    测试离子注入能量的晶圆、能量检测方法和检测系统_深圳市鹏进高科技有限公司_202511662408.X
    本公开提供了一种测试离子注入能量的晶圆、能量检测方法和检测系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决如何精准测量晶圆中的实际离子注入能量问题；所述测试离子注入能量的晶圆，用于测试第一掺杂离子的注入能量，包括：衬底和掺杂结构；掺杂结构设于衬底在第...
    2026-02-28
  • 测试结构及测试方法
    测试结构及测试方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511707804.X
    本发明提供了一种测试结构，包括：第一测试区的衬底内分为多条交替设置的有源区和浅沟槽隔离结构，第二测试区的衬底为有源区；多条间隔设置的字线和多条间隔设置的控制线，每条字线的两侧均具有两条控制线，字线和所述控制线之间通过隧穿氧化层以及偏移侧墙隔...
    2026-02-28
  • 测试结构、测试晶圆结构及其测试方法
    测试结构、测试晶圆结构及其测试方法_芯盟科技有限公司_202511714994.8
    一种测试结构、测试晶圆结构及其测试方法，包括：测试器件阵列，测试器件阵列包括测试晶体管阵列和测试电容阵列中的至少一个；背向导电层，背向导电层位于测试器件阵列沿第一方向的一侧；背向导电层的第一导电结构与测试器件的第一连接端相连；背向导电层的第...
    2026-02-28
  • 三维MIM电容器的测试结构及其制备方法、测试方法
    三维MIM电容器的测试结构及其制备方法、测试方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511768351.1
    本申请提供了一种三维MIM电容器的测试结构及其制备方法、测试方法，三维MIM电容器的测试结构包括第一互连层、第一隔离层、第一电极层、电容介质层、第二电极层、第二隔离层、导电插塞以及第二互连层，第一互连层包括网格状的第一导电线，第二互连层包括...
    2026-02-28
  • 一种兼具晶圆平整度检测的晶圆载台
    一种兼具晶圆平整度检测的晶圆载台_广东科卓半导体设备有限公司_202511583942.1
    本发明涉及晶圆切割技术领域，具体来说是涉及一种兼具晶圆平整度检测的晶圆载台，包括底板、设于底板的平整度检测装置和切换阀；平整度检测装置包括检测本体、孔板和导电盘；检测本体设有凹槽和环形气腔；导电盘设于凹槽内；孔板设于凹槽的开口处；孔板、导电...
    2026-02-28
  • 检测晶圆键合对准偏差的方法
    检测晶圆键合对准偏差的方法_海光信息技术股份有限公司_202511605388.2
    本发明提供一种检测晶圆键合对准偏差的方法。所述方法包括：在待键合的两片晶圆上按照预定坐标分别设置预定个数的金属测试点，其中，第一晶圆上的各金属测试点与第二晶圆上的各金属测试点两两之间作为一组测试回路；检测两片晶圆键合后各组测试回路的导通情况...
    2026-02-28
  • 晶圆检测方法及装置
    晶圆检测方法及装置_湖北江城芯片中试服务有限公司_202511654749.2
    本公开实施例提供一种晶圆检测方法及装置，该晶圆检测方法包括：提供待检测的晶圆，所述晶圆包括由所述晶圆的表面延伸至晶圆的内部的凹陷结构；在所述晶圆表面涂敷增反光学膜；通过入射光源照射所述晶圆表面；检测由所述凹陷结构的内壁反射的反射光信号；根据...
    2026-02-28
  • 晶圆检测装置及方法
    晶圆检测装置及方法_柯尔微电子装备(厦门)有限公司_202511980322.1
    本公开提供一种晶圆检测装置及方法，晶圆检测装置包括：用于放置待检测晶圆的接口装置；用于执行晶圆的对位操作，并设置有晶圆干燥装置的旋转定位装置，晶圆干燥装置用于干燥晶圆；包括第一载台、正面检测装置和背面检测装置的晶圆检测设备，第一载台用于固定...
    2026-02-28
  • 立式炉、晶圆边缘缺陷在线检测系统及其检测方法
    立式炉、晶圆边缘缺陷在线检测系统及其检测方法_上海微釜半导体设备有限公司_202610036400.0
    本发明提供了一种立式炉、晶圆边缘缺陷在线检测系统及其检测方法，在线检测系统包括第一线扫描相机、晶圆传送机器人、位置调节组件和控制模块，晶圆传送机器人用于同时夹取多片晶圆，并驱动各夹持机构控制多片晶圆在轴向上错位布置及保持旋转；位置调节组件包...
    2026-02-28
  • 一种光刻对准标记单元及其制备方法、切割道结构
    一种光刻对准标记单元及其制备方法、切割道结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610036916.5
    本发明提供一种光刻对准标记单元及其制备方法、切割道结构，光刻对准标记单元包括沿厚度方向依次设置在功能区块中的至少两层光刻对准标记，相邻两层所述光刻对准标记之间均设置有一遮光层，所述遮光层用于覆盖下层的光刻对准标记。本发明通过在下层的光刻对准...
    2026-02-28
  • 掩模构件、发光元件转移装置和转移发光元件的方法
    掩模构件、发光元件转移装置和转移发光元件的方法_三星显示有限公司_202511117093.0
    提供了掩模构件、发光元件转移装置和转移方法。掩模构件包括：第一掩模，包括光阻挡图案层和基础层，其中，第一掩模的光阻挡图案层包括开口图案；以及第二掩模，包括光阻挡图案层和基础层，其中，第二掩模的光阻挡图案层包括相对于第二掩模的中心成角度地设置...
    2026-02-28
  • 晶圆处理方法及装置、电子设备
    晶圆处理方法及装置、电子设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511775486.0
    本发明提供了一种晶圆处理方法及装置、电子设备，属于半导体制造技术领域。晶圆处理方法，包括：在待处理的晶圆上涂覆光刻胶，利用紫外光以特定偏振角度照射所述晶圆的表面，使得所述晶圆表面的凸起所在区域接受到的光强大于所述晶圆其他区域接受到的光强；对...
    2026-02-28
  • 浅沟槽隔离结构及其制备方法
    浅沟槽隔离结构及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411099991.3
    本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制备方法，该制备方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上依次形成有绝缘垫层及掩膜层；自掩膜层表面向下刻蚀，经绝缘垫层至半导体衬底中预设深度，形成沟槽；形成沟槽隔离材料层，沟槽隔离材料层填充满沟槽并覆盖掩膜层表...
    2026-02-28
  • 浅沟槽隔离结构及其制造方法
    浅沟槽隔离结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610086885.4
    本申请涉及一种浅沟槽隔离结构及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底内形成有隔离沟槽，所述隔离沟槽的侧壁上形成有介质层，所述隔离沟槽的底部暴露；沿垂直射入所述隔离沟槽的方向上，向所述隔离沟槽内照射处理光束，以使所述隔离沟槽周围的所述衬底内形成...
    2026-02-28
  • 基于FCVD工艺的沟槽填充方法
    基于FCVD工艺的沟槽填充方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411099966.5
    本发明提供一种基于FCVD工艺的沟槽填充方法，在对形成的流动膜层进行初步的插氧处理及固化处理形成固化的富氮氧化硅膜层后，对其进行进一步的氧气等离子体处理，使整个膜层中N、H元素的含量得到锐减，达到提高膜质的效果；另外，氧气等离子体还可对膜层...
    2026-02-28
  • 一种TGV通孔的填充方法
    一种TGV通孔的填充方法_苏州森丸电子技术有限公司_202511641602.X
    本发明公开了一种TGV通孔的填充方法，包括以下步骤：在绝缘基板上形成TGV通孔；通过分步溅射与冷却交替进行的方式在TGV通孔内沉积种子层；通过电镀工艺进行TGV填孔；对填孔后的TGV通孔进行平坦化，去除多余金属，形成TGV互联孔；分步溅射与...
    2026-02-28
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