Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种鳍式垂直interposer扇出型封装结构及方法
    一种鳍式垂直interposer扇出型封装结构及方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202511634712.3
    本发明提出一种鳍式垂直interposer扇出型封装方法，属于半导体封装技术领域，涵盖鳍式垂直结构制备、玻璃基板处理及导电层构建、鳍式垂直结构安装与倒装芯片键合、封装及顶层结构设置等步骤；通过旋涂形成PI层，利用铜电镀或PVD制作铜布线层及...
    2026-03-04
  • 一种双层TSV转接板封装结构及其制备方法
    一种双层TSV转接板封装结构及其制备方法_成都航天博目电子科技有限公司_202511676779.3
    本发明公开了一种双层TSV转接板封装结构及其制备方法，所述方法包括：在第一硅片上刻蚀出TSV孔；在TSV孔内制备Cu种子层；在TSV孔内自下而上电镀Cu，将TSV孔进行实心填充，形成TSV铜柱；降低第一硅片的厚度，并露出部分TSV铜柱；在键...
    2026-03-04
  • 一种面向AI高频高速电子基材的离子束复合调控方法
    一种面向AI高频高速电子基材的离子束复合调控方法_北京市科学技术研究院_202511678858.8
    本发明公开了一种面向AI高频高速电子基材的离子束复合调控方法，涉及半导体制造和电子封装技术领域。包括以下步骤：(1)基材表面离子注入改性；(2)磁过滤阴极真空弧沉积粘合与晶种层；(3)高功率脉冲磁控溅射沉积超低轮廓初始导体层；(4)脉冲电镀...
    2026-03-04
  • 一种提升玻璃通孔良率的方法
    一种提升玻璃通孔良率的方法_江苏福拉特半导体设备有限公司_202511683155.4
    本发明公开了一种提升玻璃通孔良率的方法，该方法通过三维点云数据获取激光诱导改性区的内部形貌，精确计算改性深度；采用改进的卷积神经网络模型融合激光工艺参数与材料属性，预测每个改性区的刻蚀速率及标准差；基于同一套三维检测数据，分别驱动返工补偿决...
    2026-03-04
  • 一种玻璃中介层通孔电极的制备方法、玻璃中介层通孔电极
    一种玻璃中介层通孔电极的制备方法、玻璃中介层通孔电极_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202511701615.1
    本申请提供一种玻璃中介层通孔电极的制备方法、玻璃中介层通孔电极，涉及半导体加工技术领域，包括：提供玻璃基板；在玻璃基板上形成至少一个通孔，通孔的深宽比大于10 : 1；基于远端等离子化学气相沉积工艺，在第一温度下，在通孔内形成阻障层，阻障层...
    2026-03-04
  • 一种中介层通孔的绝缘层及其制备方法
    一种中介层通孔的绝缘层及其制备方法_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202511701776.0
    本发明提供一种中介层通孔的绝缘层及其制备方法，属于半导体封装技术领域，旨在提高金属在中介层的附着性能，所述制备方法包括：提供基材；其中，所述基材包括中介层，所述中介层包括多个通孔；将所述基材置于第一反应腔内，并在第一预设温度下向所述第一反应...
    2026-03-04
  • 载板结构的制备方法、载板结构及移动终端
    载板结构的制备方法、载板结构及移动终端_苏州国显创新科技有限公司_202511727368.2
    本申请实施例提供一种载板结构的制备方法、载板结构及移动终端，载板结构用于连接集成电路和印制电路板，本申请实施例中，通过先在第一临时衬底上制备第一布线层，然后在第一布线层上制备基板，可以降低第一布线层的制备难度，减少第一布线层的制备过程中损坏...
    2026-03-04
  • TGV大方板电镀后的处理方法及TGV大方板电镀设备
    TGV大方板电镀后的处理方法及TGV大方板电镀设备_芯栋微(上海)半导体技术有限公司_202610048743.9
    本发明公开了一种TGV大方板电镀后的处理方法及TGV大方板电镀设备，所述TGV大方板电镀后的处理方法包括以下步骤：S10、获取TGV电镀后的待处理基板；S20、将电镀后的所述待处理基板按照预设切割方式切割成多个独立的晶圆；S30、将切割后的...
    2026-03-04
  • 多层堆叠芯片封装方法及封装结构
    多层堆叠芯片封装方法及封装结构_南通通富微电子有限公司_202511699656.1
    本公开实施例提供一种多层堆叠芯片封装方法及封装结构，该方法包括：提供临时载板并在其上形成多个导电柱；将多个芯片的背面固定于临时载板；形成包裹芯片和导电柱的第一塑封层，并露出芯片的正面和导电柱的表面；在第一塑封层的第一表面形成分别与导电柱以及...
    2026-03-04
  • 一种半导体封装结构及封装方法
    一种半导体封装结构及封装方法_华天科技(江苏)有限公司_202511760012.9
    本发明公开一种半导体封装方法，包括以下步骤：制备带有第一层再布线层的晶圆或芯片；将晶圆或芯片，或晶圆或芯片及支撑材料贴装到载板上，塑封，去除载板，将第一层再布线层暴露出来；在第一层再布线层上制作第二层再布线层，电镀金属线路层及支撑框架；按需...
    2026-03-04
  • 利用集成绝缘层用于集成电路绝缘的引线框架封装
    利用集成绝缘层用于集成电路绝缘的引线框架封装_意法半导体国际公司_202511095340.1
    本公开涉及利用集成绝缘层用于集成电路绝缘的引线框架封装。提供了示例引线框架封装、制造引线框架封装的方法以及包括引线框架封装的电气系统，其利用集成绝缘层将引线框架封装内的集成电路与一个或多个电气组件电绝缘。示例引线框架封装包括集成电路基板和集...
    2026-03-04
  • 用于增强热操作的模制功率半导体封装
    用于增强热操作的模制功率半导体封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202511115762.0
    本公开内容涉及用于增强热操作的模制功率半导体封装。一种半导体装置包括：管芯载体；第一半导体管芯，至少包括第一负载电极和第二负载电极，其中，第一半导体管芯安装在管芯载体上，其中，第一负载电极电连接至管芯载体；第一组外部连接件，电和热地连接至管...
    2026-03-04
  • 半导体模块装置
    半导体模块装置_英飞凌科技股份有限公司_202511115764.X
    公开了一种半导体模块装置，包括：第一衬底，包括电介质绝缘层和布置在电介质绝缘层的表面上的第一金属化层，其中，第一金属化层包括第一部分、第二部分、第三部分和第四部分；两个或更多个可控半导体元件，每个可控半导体元件包括第一接触焊盘、第二接触焊盘...
    2026-03-04
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_江苏长电科技股份有限公司_202511652155.8
    本发明涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括：引线框架，包括多个间隔排布的管脚，所述管脚包括导电支撑部和导电引出部，所述导电支撑部包括相对设置的顶面和底面，所述导电引出部电连接于所述导电支撑部的底面，所述导电引出部至少包括底部焊接层...
    2026-03-04
  • 一种具有多尺度析出相的引线框架用异形铜带及其制备工艺
    一种具有多尺度析出相的引线框架用异形铜带及其制备工艺_泰州麒润电子有限公司_202511691641.0
    本发明涉及引线框架生产技术领域，具体涉及一种具有多尺度析出相的引线框架用异形铜带及其制备工艺，其中铜带包括具有异形截面的铜基合金主体，铜基合金主体上同时存在成梯度分布的纳米级、亚微米级和微米级三级析出相，纳米级分布于晶内盒位错区、亚微米级和...
    2026-03-04
  • 一种带有可润湿侧翼的框架单元、封装结构及其制备方法
    一种带有可润湿侧翼的框架单元、封装结构及其制备方法_深圳市唯亮光电科技有限公司_202511968384.0
    本申请涉及一种带有可润湿侧翼的框架单元、封装结构及其制备方法。框架单元包括金属基板，金属基板上形成有焊盘区域和连接筋，连接筋从焊盘区域伸出，连接筋上形成有可润湿侧翼，可润湿侧翼的根部为上宽下窄的渐变型截面。本申请能够在全金属连接筋的特定位置...
    2026-03-04
  • 一种功率模组、功率设备及光伏发电系统
    一种功率模组、功率设备及光伏发电系统_华为数字能源技术有限公司_202411091325.5
    本申请公开了一种功率模组、功率设备及光伏发电系统。功率模组包括基板、第一功率器件、共烧陶瓷模块以及封装体。第一功率器件位于基板的一表面，第一功率器件与基板电连接。共烧陶瓷模块位于第一功率器件的背离基板的一侧，共烧陶瓷模块与第一功率器件间隔设...
    2026-03-04
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411096146.0
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一互连通孔结构，从第一面嵌于第一基底结构中；第二互连通孔结构，从第二面嵌于第一基底结构，第二互连通孔结构与第一互连通孔结构的位置相对应，且与第一互连通孔结构相连接。与直接从第一面贯穿第一基底结构...
    2026-03-04
  • 基于双面冷却和全对称布局的功率模块封装结构
    基于双面冷却和全对称布局的功率模块封装结构_杭州电子科技大学_202511682599.6
    本发明涉及一种基于双面冷却和全对称布局的功率模块封装结构。它解决了现有技术中双面冷却封装结构无法协同实现低寄生电感、高效均匀散热与高机械可靠性的问题。它包括功率模块主体，功率模块主体上下两侧分别设置有上层基板和下层基板，上层基板和下层基板周...
    2026-03-04
  • 半导体装置、基板单元及基板单元的制造方法
    半导体装置、基板单元及基板单元的制造方法_铠侠股份有限公司_202510027855.1
    一个实施方式提供能够抑制不良状况的发生的半导体装置、基板单元及半导体装置的制造方法。一个实施方式的半导体装置具备基板、电子部件、多个接合部、以及第1金属部。所述基板具有第1面、位于所述第1面的相反侧的第2面、以及跨所述第1面的第1边缘与所述...
    2026-03-04
首页 上一页 7 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证