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最新专利技术
  • 改善色彩稳定性的发光二极管及其制备方法
    改善色彩稳定性的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511538352.7
    本公开提供了一种改善色彩稳定性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、绿光发光层、超辐射层、多量子阱前驱层、蓝光发光层和第二半导体层，所述超辐射层包括n型掺杂的GaN层，所述多量子阱前驱层包...
    2026-03-05
  • 基于稀土掺杂La2CaB10O19晶片式白光发光二极管及其封装方法
    基于稀土掺杂La2CaB10O19晶片式白光发光二极管及其封装方法_天津理工大学_202511682102.0
    本发明提供了一种基于稀土掺杂La22CaB1010O1919晶片式白光发光二极管及其封装方法，属于白光发光二极管技术领域，利用以硼酸钙镧La22CaB1010O1919为基质的稀土掺杂LCB荧光单晶片，将CaN基蓝光LED芯片发出的部分蓝光...
    2026-03-05
  • 发光二极管及发光二极管制备方法
    发光二极管及发光二极管制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511494313.1
    本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：衬底、缓冲结构和外延结构；缓冲结构和外延结构依次层叠在衬底上；缓冲结构包括依次层叠在衬底上的第一GaN缓冲子层、第二碳掺杂GaN缓冲子层和第三GaN缓冲子层，第二碳掺杂GaN缓...
    2026-03-05
  • 发光二极管以及制作方法
    发光二极管以及制作方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511570853.3
    本公开提供了一种发光二极管以及制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括n型半导体层、p型半导体层以及位于所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的发光层；所述n型半导体层包括n型电流扩展层，所述n型电流扩展层为n型(AlxxGa1‑x...
    2026-03-05
  • 一种发光元件及显示基板
    一种发光元件及显示基板_京东方科技集团股份有限公司_202411080729.4
    本申请提供一种发光元件及显示基板，涉及显示技术领域，发光元件包括：具有反射表面的第一电极；第一半导体层，设置于第一电极具有的反射表面的一侧，且与第一电极电连接；发光层，设置于第一半导体层远离第一电极的一侧；第二半导体层，设置于发光层远离第一...
    2026-03-05
  • 一种发光二极管结构及显示屏
    一种发光二极管结构及显示屏_京东方科技集团股份有限公司_202411103792.5
    本申请实施例提供了一种发光二极管结构及显示屏，通过设置第一电极层和/或第二电极层的横截面包括有至少一个第一凸起结构，因为有第一凸起结构的存在，可以增加光出射面的面积，另外，第一凸起结构是朝向出光反向进行凸起的，因为出射界面角度发生了改变，使...
    2026-03-05
  • 一种LED芯片及其制备方法
    一种LED芯片及其制备方法_南昌大学_202610036878.3
    本发明提供一种LED芯片及其制备方法，通过在基板上依次设置的键合层、绝缘层、保护层、复合层以及外延层，复合层由图形互补的阻挡层和反射层组成，外延层包括朝远离基板方向依次设置的p型GaN层、多量子阱发光层以及n型GaN层，外延层表面和部分阻挡...
    2026-03-05
  • 一种微透镜制作方法及显示装置
    一种微透镜制作方法及显示装置_重庆康佳光电科技有限公司_202411080433.2
    本发明涉及微透镜制作方法及显示装置。其中微透镜制作方法包括：提供一显示模组；于所述显示模组上依次生长N层不同致密程度的氧硅层，所述N为大于1的整数；于所述氧硅层上形成多个掩膜；利用所述掩膜对所述氧硅层进行蚀刻，形成阶梯状的氧硅层；在去除所述...
    2026-03-05
  • 提高出光效率的显示面板和显示装置
    提高出光效率的显示面板和显示装置_成都辰显光电有限公司_202411080922.8
    本申请涉及一种提高出光效率的显示面板和显示装置。该提高出光效率的基板包括：基板，所述基板用于支撑和连接显示面板内部各元件；电极金属层，所述电极金属层设置在基板上，包括阴极和阳极；发光元件，所述发光元件的电极与所述电极金属层电连接；挡光层，设...
    2026-03-05
  • 一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
    一种倒装发光二极管芯片及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202511818137.2
    一种倒装发光二极管芯片，包括布拉格反射层和设置于布拉格反射层上方的金属反射层，所述布拉格反射层包括设置于金属反射层边缘的布拉格反射层凹坑，所述金属反射层边缘和布拉格反射层凹坑覆盖有金属保护层，所述金属保护层为惰性金属。通过设置布拉格反射层凹...
    2026-03-05
  • 显示面板及其制备方法
    显示面板及其制备方法_成都辰显光电有限公司_202411080899.2
    本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，涉及显示技术领域。上述显示面板包括阵列基板、发光器件及固定部，固定部位于阵列基板设置发光器件的一侧且环绕发光器件设置。至少部分的固定部与发光器件接触，固定部可以将发光器件固定在阵列基板上，防止发光器...
    2026-03-05
  • 基于双层三维金属电极的可拉伸阵列器件及其制备方法
    基于双层三维金属电极的可拉伸阵列器件及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511418507.3
    本发明涉及柔性电子技术领域，尤其涉及一种基于双层三维金属电极的可拉伸阵列器件及其制备方法，方法中在硅片留有柔性电极孔；对处理后的硅片表面上制备电铸种子层；根据柔性电极孔在光刻后的电铸种子层上形成三维金属电极；对当前器件表面喷涂光敏PI膜层后...
    2026-03-05
  • 基于三维金属电极的高密度可拉伸阵列器件及其制备方法
    基于三维金属电极的高密度可拉伸阵列器件及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511418508.8
    本发明涉及柔性电子技术领域，尤其涉及一种基于三维金属电极的高密度可拉伸阵列器件及其制备方法，方法中对硅片进行刻蚀，使硅片的表面留有柔性电极孔；对处理后的硅片表面上制备电铸种子层，并对电铸种子层上涂覆的光刻胶进行光刻；在光刻操作后，在电铸种子...
    2026-03-05
  • 一种基于光学反馈的GaN基纳米LED阵列刻蚀方法
    一种基于光学反馈的GaN基纳米LED阵列刻蚀方法_福州大学_202511632371.6
    本发明公开了一种基于光学反馈的GaN基纳米LED阵列刻蚀方法，包括：首先通过阴极荧光扫描获取GaN外延片的原生发光效率分布图以建立基准；接着在形成纳米级阵列图形的硬掩模后，将外延片装入配备激光光源与光谱探测器的刻蚀设备；在刻蚀过程中，实时激...
    2026-03-05
  • 一种超薄小尺寸带焊盘的CSP多色灯制作方法
    一种超薄小尺寸带焊盘的CSP多色灯制作方法_江苏欧密格光电科技股份有限公司_202511698010.1
    本发明公开了一种超薄小尺寸带焊盘的CSP多色灯制作方法，包括以下步骤：(1)在钢片载板上电镀形成多个小焊盘；(2)在所述小焊盘上点锡膏，并通过固晶机固定晶片；(3)将固定有晶片的产品送入回流焊设备进行焊接；(4)使用耐高温胶通过压膜工艺包裹...
    2026-03-05
  • 合光轨迹符合双抛物线约束的黑体轨迹双色温LED光源及其程序实现控制方法和封装工艺
    合光轨迹符合双抛物线约束的黑体轨迹双色温LED光源及其程序实现控制方法和封装工艺_东莞市立德达光电科技有限公司_202511698006.5
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种合光轨迹符合双抛物线约束的黑体轨迹双色温LED光源及其程序实现控制方法和封装工艺，包括支架、LED晶片、引线和围坝胶；LED晶片包括用于产生暖白光的多颗暖白光晶片和用于产生正白光的多颗正白光晶片，功能区...
    2026-03-05
  • 实现黑体轨迹色温调节的双色温LED光源及其程序实现方法和封装工艺
    实现黑体轨迹色温调节的双色温LED光源及其程序实现方法和封装工艺_东莞市立德达光电科技有限公司_202511698009.9
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种实现黑体轨迹色温调节的双色温LED光源及其程序实现方法和封装工艺，包括支架、LED晶片、引线和围坝胶；LED晶片包括用于产生暖白光的多颗暖白光晶片和用于产生正白光的多颗正白光晶片，功能区中设有覆盖于各暖...
    2026-03-05
  • 显示装置、显示系统及其方法
    显示装置、显示系统及其方法_斯纳普公司_202511503310.X
    本发明涉及显示装置、显示系统及其方法。显示装置包括：在印刷电路板PCB上布置成阵列的多个图块，所述PCB被配置成电耦接所述多个图块，每个图块包括：照明管芯，所述照明管芯包括至少一个照明元件；以及可平铺背板管芯，所述可平铺背板管芯包括像素逻辑...
    2026-03-05
  • 微型发光器件及其制作方法
    微型发光器件及其制作方法_深圳市思坦科技有限公司_202610009841.1
    本申请涉及一种微型发光器件及其制作方法，包括发光单元，发光单元包括台阶结构、挡墙层以及至少一个色转换层；台阶结构包括第一绝缘层以及设于第一绝缘层一侧上的发光叠层，并具有至少一个发光区域以及围绕每个发光区域设置的非发光区域，发光叠层包括依次层...
    2026-03-05
  • 一种低维半导体存储器集成的可重构Micro-LED静态显示器件、芯片及其制备方法
    一种低维半导体存储器集成的可重构Micro-LED静态显示器件、芯片及其制备方法_湖南大学_202411045357.1
    本发明提供了一种低维半导体存储器集成的可重构Micro‑LED静态显示器件、芯片及其制备方法，该静态显示器件包括发光单元和驱动单元，发光单元包括Micro‑LED器件，驱动单元包括二维存储器；Micro‑LED器件从下到上依次包括衬底、外延...
    2026-03-05
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