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最新专利技术
  • 一种基于HTCC的带阻滤波器
    一种基于HTCC的带阻滤波器_深圳振华富电子有限公司_202511795037.2
    本申请提供了一种基于HTCC的带阻滤波器，包括叠层体，叠层体包括多个层叠设置的多个介质层，叠层体的外表面设有输入端、输出端和接地端；叠层体内设有第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容，第一电感与第一电容并联构成...
    2026-03-18
  • 全频带低相噪小步进移相系统、方法、存储介质
    全频带低相噪小步进移相系统、方法、存储介质_成都赛英科技有限公司_202511585300.5
    本发明属于信号处理领域。本发明提供一种全频带低相噪小步进移相系统，包括控制信号输入模块、信号输入端口、正交分解与衰减模块、输出信号合成模块以及信号输出端口；信号输入端口与正交分解与衰减模块连接，正交分解与衰减模块分别与控制信号输入模块以及输...
    2026-03-18
  • 一种基于耦合线的片上超宽带巴伦电路
    一种基于耦合线的片上超宽带巴伦电路_南京思维芯半导体有限公司_202511527637.0
    本发明属于电路技术领域，尤其涉及一种基于耦合线的片上超宽带巴伦电路，包括：采用GaAs工艺实现的单片集成电路，所述单片集成电路的底部接地，且具有厚度为100μm的GaAs衬底，所述GaAs衬底上方设置有两层金属层，分别为第一金属层M1和第二...
    2026-03-18
  • 一种弹性波滤波器的封装结构及其形成方法
    一种弹性波滤波器的封装结构及其形成方法_常州承芯半导体有限公司_202511614127.7
    本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种弹性波滤波器的封装结构及其形成方法，所述封装结构包括：封装基底；弹性波滤波器，包括：器件衬底，所述器件衬底包括第一表面和第二表面，第二表面靠近且面向封装基底，所述第一表面包括谐振区、非谐振区及焊盘区；多个...
    2026-03-18
  • 一种薄膜体声波谐振器及滤波器
    一种薄膜体声波谐振器及滤波器_中国科学院赣江创新研究院_202511651958.1
    本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及滤波器，该薄膜体声波谐振器包括：衬底；第一电极；第一电极位于衬底的一侧；钪铝氮双极性结构；位于第一电极远离衬底的一侧；钪铝氮双极性结构包括至少一层Al极性压电层和至少一层N极性压电层；Al极性压电层与N极性...
    2026-03-18
  • 同步制备两种复合衬底的方法、声波滤波器及其制备方法
    同步制备两种复合衬底的方法、声波滤波器及其制备方法_青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司_202511642726.X
    本发明公开了一种同步制备两种复合衬底的方法、声波滤波器及其制备方法。该方法包括：准备第一高阻硅衬底和压电衬底，其中，压电衬底包括相对设置的正极面和负极面；采用第一键合方法将第一高阻硅衬底与压电衬底的正极面键合，形成第一键合体；向第一键合体的...
    2026-03-18
  • 一种高线性度低温度波动的W波段全差分有源移相器
    一种高线性度低温度波动的W波段全差分有源移相器_西安电子科技大学_202511667009.2
    一种高线性度低温度波动的W波段全差分有源移相器，包括螺旋型差分正交耦合器、I路高线性度缓冲放大器、Q路高线性度缓冲放大器、I路矢量调制电路、Q路矢量调制电路、矢量合成输出电路、偏置电流阵列和与温度二次相关的电流源；其中，螺旋型差分正交耦合器...
    2026-03-18
  • 基于双频扩频和双频重组共模噪声抵消波形的EMI滤波方法
    基于双频扩频和双频重组共模噪声抵消波形的EMI滤波方法_西安交通大学_202511610554.8
    本发明属于EMI抑制技术领域，涉及基于双频扩频和双频重组共模噪声抵消波形的EMI滤波方法，包括：选定频率作为组成频率；分别以选定频率作为开关PWM频率使EUT正常工作，获取该频率倍数次的共模噪声幅值数据；获取共模电压幅值，计算幅值变比及注入...
    2026-03-18
  • 信号处理装置、信号处理方法、电子设备和存储介质
    信号处理装置、信号处理方法、电子设备和存储介质_普源精电科技股份有限公司_202511688066.9
    本公开实施例提供一种信号处理装置、信号处理方法、电子设备和存储介质。装置包括：信号处理电路和关联于输入信号衰减补偿的数字滤波器，其中，所述信号处理电路，用于基于关联于输入信号的信号参数和所述信号处理装置的装置参数，确定所述数字滤波器的带宽限...
    2026-03-18
  • 一种门控相机用高重频皮秒级负脉冲发生电路
    一种门控相机用高重频皮秒级负脉冲发生电路_西安中智科仪光电设备有限公司_202511701865.5
    本发明提供一种门控相机用高重频皮秒级负脉冲发生电路，包括电源模块和信号发生模块：电源模块，用以给信号发生模块提供稳定的电源，包括并联的LDO电路和DC/DC升压电路；信号发生模块，用以将输入的触发脉冲转化为皮秒级负脉冲输出，包括依次连接的施...
    2026-03-18
  • 弛张振荡电路、芯片及电子设备
    弛张振荡电路、芯片及电子设备_平头哥(上海)半导体技术有限公司_202511493335.6
    本发明实施例公开了一种弛张振荡电路、芯片及电子设备。通过在弛张振荡电路中引入阻值与粗调参数呈线性关系的可调电阻、输出电流值固定的第一电流源和输出电流值与细调参数呈线性关系的第二电流源，并使频率调整单元通过对粗调参数和细调参数组合设置的方式调...
    2026-03-18
  • 一种故障信号锁存电路
    一种故障信号锁存电路_广州菲利斯太阳能科技有限公司_202511700703.X
    本申请涉及一种故障信号锁存电路，包括锁存比较器，其正输入端用于接收低电平故障信号及高电平恢复信号；正端电压抬升子电路，其正端电压抬升输出端与锁存比较器的正输入端相连；负端及输出端电压控制子电路，其负端蓄放压模块与锁存比较器的负输入端相连、其...
    2026-03-18
  • 一种两级多路亚纳秒高压脉冲产生电路
    一种两级多路亚纳秒高压脉冲产生电路_电子科技大学_202610063401.4
    本发明涉及超宽带系统，提供一种两级多路亚纳秒高压脉冲产生电路，包括第一级多路电流泵浦电路和第二级集中式脉冲电路；第一级多路电流泵浦电路包括N条并联的电流泵浦支路，每条电流泵浦支路不产生脉冲，而是建立N条并联的电流泵浦支路的同步电流。第二级集...
    2026-03-18
  • 脉冲频率编码方法、装置、计算机设备、存储介质和产品
    脉冲频率编码方法、装置、计算机设备、存储介质和产品_中国南方电网有限责任公司_202511572205.1
    本申请涉及人工智能技术领域，特别是涉及一种脉冲频率编码方法、装置、计算机设备、存储介质和产品。方法包括：根据输入至隧道磁阻TMR器件的输入电流，确定TMR器件的翻转时间；根据翻转时间，对输入电流进行脉冲频率编码，得到TMR器件的脉冲频率。申...
    2026-03-18
  • 一种开关电路、固态开关及检测方法
    一种开关电路、固态开关及检测方法_武汉理工大学_202511823182.7
    本申请提供了一种开关电路、固态开关及检测方法，属于电力电子技术领域，包括开关单元，开关单元串接在供电线路上，开关单元包括第一连接端、第二连接端及控制端，第一连接端与供电线路的供电端电连接，第二连接端与供电线路的受电端电连接；第一检测单元，被...
    2026-03-18
  • 一种具有快速关断功能的固态继电器电路
    一种具有快速关断功能的固态继电器电路_苏州锴威特半导体股份有限公司_202610052766.7
    本发明公开了集成电路技术领域的一种具有快速关断功能的固态继电器电路，包括光伏产生芯片，光伏产生芯片包括第一光电池组, 所述固态继电器电路还包括发光输入模块和第一光电池组, 所述发光输入模块包括第一输入控制管脚INP和第二输入控制管脚INN,...
    2026-03-18
  • 一种功率器件柔式切换控制方法及装置
    一种功率器件柔式切换控制方法及装置_云南电网有限责任公司临沧供电局_202511611347.4
    本发明提供了一种功率器件柔式切换控制方法及装置，本发明涉及电路控制技术领域，方法包括：获取目标区域内各个功率器件的工作数据，并通过预设时序预测模型，根据所述工作数据对所述功率器件进行暂停冲击检测，识别发生暂停冲击的目标功率器件；基于与所述目...
    2026-03-18
  • 一种用于芯片的开关电路、芯片和电子设备
    一种用于芯片的开关电路、芯片和电子设备_上海艾为电子技术股份有限公司_202511696838.3
    本申请实施例提供了一种用于芯片的开关电路、芯片和电子设备，其中开关电路包括：功率管，所述功率管的输入端与芯片的外部电源连接，所述功率管的输出端与芯片内的负载单元连接；多个放电电路，所述放电电路包括放电单元和检测单元，所述放电单元的输入端与所...
    2026-03-18
  • 具有蛇形结构微加热器的GeTe相变开关及加工工艺
    具有蛇形结构微加热器的GeTe相变开关及加工工艺_成都斯微奇微电子有限公司_202511616091.6
    本发明公开了具有蛇形结构微加热器的GeTe相变开关及加工工艺，属于微纳电子元器件与半导体技术领域，包括衬底层，所述衬底层上表面设置有绝缘层，所述绝缘层上表面设置有散热层，所述散热层上表面中间设置有线宽为3‑10μm且蛇形环绕3‑8个周期的单...
    2026-03-18
  • 一种智能RF MEMS开关及其控制方法
    一种智能RF MEMS开关及其控制方法_清华大学_202511387190.1
    本申请提供了一种智能RF MEMS开关及其控制方法，包括自反馈控制模块和至少一个RF MEMS开关。其中，自反馈控制模块通过持续采集不同时刻RF MEMS开关的触点电容参数，以及将不同时刻的RF MEMS开关的触点电容参数转换对应时刻RF ...
    2026-03-18
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