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最新专利技术
  • 一种晶圆加热装置及晶圆加热机
    一种晶圆加热装置及晶圆加热机_南通晟辉微电子科技有限公司_202511732870.2
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆加热装置及晶圆加热机。该晶圆加热装置，加热盘安装于安装座，晶圆能够放置于加热盘的盘面，定位组件包括至少三个沿加热盘的中心轴线环向间隔设置的定位件，至少三个定位件围设形成用于定位晶圆的定位空间，定位空间...
    2026-02-16
  • 一种基于氮气保护的晶圆与基板贴装加热平台
    一种基于氮气保护的晶圆与基板贴装加热平台_常州科瑞尔科技有限公司_202511776357.3
    本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于氮气保护的晶圆与基板贴装加热平台，包括支撑架和设置其上的隔热板及加热台，加热台由下层的加热板和上层的导热板构成，其上表面设有真空吸口和氮气出口。隔热板与导热板内部开设有多条独立气道，分别连通真空...
    2026-02-16
  • 层转移法制备SOI衬底的方法及SOI衬底
    层转移法制备SOI衬底的方法及SOI衬底_上海新傲科技股份有限公司_202511707328.1
    本发明涉及一种层转移法制备SOI衬底的方法及SOI衬底。所述层转移法制备SOI衬底的方法包括如下步骤：形成第一SOI结构，第一SOI结构包括依次叠置的第一晶圆、第一埋氧层和第二晶圆；于第一晶圆背离第二晶圆的表面形成第一绝缘埋层；形成第二SO...
    2026-02-16
  • 图形化衬底、图形化复合薄膜及其制备方法、功能器件
    图形化衬底、图形化复合薄膜及其制备方法、功能器件_济南晶正电子科技有限公司_202511752774.4
    本申请提供一种图形化衬底、图形化复合薄膜及其制备方法、功能器件，所述图形化衬底包括第二衬底，所述第二衬底的材料为电子迁移率高于硅的材料；第一绝缘键合结构，所述第一绝缘键合结构包括层叠设置的绝缘层与埋氧层，所述绝缘层和所述埋氧层均为SiO22...
    2026-02-16
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件
    半导体结构及其制备方法、半导体器件_上海积塔半导体有限公司_202511615015.3
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，包括：提供衬底；于掩膜层顶面形成图形化的初始光刻胶层后，基于初始光刻胶层，形成贯穿掩膜层并向阱区内延伸，且间隔排列的多个沟槽，并形成有源区；于有源区的预设器件区域顶面上形成图形化的目标光刻胶...
    2026-02-16
  • 针对N型衬底的器件隔离环制作方法
    针对N型衬底的器件隔离环制作方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511737257.X
    本发明公开了一种针对N型衬底的器件隔离环制作方法，包括：取一带有N型外延的衬底；在所述衬底上通过注入形成P型埋层；在所述衬底上生长形成外延层；在所述外延层中注入形成与P型埋层的边缘区域相接的深P阱；在所述外延层中注入形成与深P阱相接并延伸至...
    2026-02-16
  • 内连线结构及其形成方法
    内连线结构及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411191461.1
    本发明公开一种内连线结构及其形成方法。内连线结构包括基底，包括较低压器件区与较高压器件区；第一介电层，位于较低压器件区与较高压器件区里的基底上；下层内连线结构，位于较低压器件区与较高压器件区里的第一介电层中；第二介电层，位于较低压器件区与较...
    2026-02-16
  • 金属层图形修正方法及金属层版图
    金属层图形修正方法及金属层版图_重庆芯联微电子有限公司_202511391201.3
    本发明提供了一种金属层图形修正方法及金属层版图，属于半导体领域。该金属层图形修正方法包括提供原始版图，所述原始版图包括金属层图形；筛选所述原始版图中至少一侧同时具有凸角转角和凹角转角的金属层图形作为目标图形，将所述凸角转角和凹角转角之间的边...
    2026-02-16
  • 一种晶圆级封装结构及制作方法
    一种晶圆级封装结构及制作方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202511662726.6
    本发明公开了一种晶圆级封装结构及制作方法，本发明属于半导体领域，包括：步骤一：准备晶圆；步骤二：在所述晶圆上形成第一层介质层，并对所述第一层介质层进行曝光和显影，以形成开口结构一，以将铝垫露出；步骤三：在所述第一层介质层上形成第二层介质层，...
    2026-02-16
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610036522.X
    本发明提出了一种半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。半导体结构至少包括：基底；凹槽，由所述基底的表面向所述基底内凹陷；阻挡层，设置在所述基底的表面上和所述凹槽内；第一掺杂层，设置在所述阻挡层上；第二掺杂层，设置在所述第一掺杂层上；以...
    2026-02-16
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511649391.4
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，所述制备方法包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，衬底上依次形成有硬掩膜层以及非晶硅层；在第一区域和第二区域的非晶硅层上形成光刻胶层，执行光刻工艺，去除第一区域的光刻胶层并在第二区域的非晶硅层上形...
    2026-02-16
  • 高热流器件的高效散热结构及其制造方法
    高热流器件的高效散热结构及其制造方法_电子科技大学_202511512831.1
    本发明公开了一种高热流器件的高效散热结构及其制造方法，属于电子设备散热技术领域。该结构包括微射流孔阵列和具有复合仿生微结构的靶面，靶面由仿叶脉多级分形微流道和位于其分支间的错列仿蜂巢微柱阵列构成。微射流孔阵列采用主、副射流孔多级布局，分别精...
    2026-02-16
  • 用于大功率半导体器件的三维堆叠散热结构及制备方法
    用于大功率半导体器件的三维堆叠散热结构及制备方法_上海酷蓝电子科技有限公司_202511598995.0
    本发明公开了一种用于大功率半导体器件的三维堆叠散热结构及制备方法，其中结构包括大功率器件、PCB组件、陶瓷基板组件和热接口层，所述大功率器件通过第一SMT焊接层焊接在PCB组件上，所述PCB组件进一步包括散热过孔阵列、背部焊盘和阻焊层，所述...
    2026-02-16
  • 带有扩压喷射散热器的干冰微粒流体冷却芯片系统
    带有扩压喷射散热器的干冰微粒流体冷却芯片系统_天津商业大学_202511606480.0
    本发明提供了带有扩压喷射散热器的干冰微粒流体冷却芯片系统，包括低压级压缩机、高压级压缩机、气体冷却器、回热器、中间冷却器、第一膨胀阀、第二膨胀阀及扩压喷射散热器；扩压喷射散热器的底板覆盖于芯片上面；低压级压缩机、气体冷却器、回热器、第一膨胀...
    2026-02-16
  • 一种系统级封装产品的芯片散热结构、系统级封装产品及封装方法
    一种系统级封装产品的芯片散热结构、系统级封装产品及封装方法_郑州兴航科技有限公司_202511637055.8
    本发明属于半导体集成电路封装技术领域，涉及一种系统级封装产品的芯片散热结构、系统级封装产品及封装方法。该散热结构包括倒装芯片和塑封在倒装芯片外部的散热盖；在倒装芯片的底部周围胶粘有两个L型的AD胶，散热盖的底部放置在AD胶上，用于固定散热盖...
    2026-02-16
  • 一种微通道热管耦合冷板均温装置
    一种微通道热管耦合冷板均温装置_北京理工大学_202511653994.1
    本发明涉及电子设备散热技术领域，公开一种微通道热管耦合冷板均温装置，包括导热壳体、微通道区、热管区和冷却工质循环系统；导热壳体的底面与热源接触；微通道区包括若干微通道，若干微通道间隔开设在导热壳体内腔中；热管区包括冷凝区和若干蒸汽腔，若干蒸...
    2026-02-16
  • 半导体封装件和制造半导体封装件的方法
    半导体封装件和制造半导体封装件的方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202511680080.4
    提供了半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，在基底上；热界面层，设置在半导体芯片上；多层金属结构，设置在热界面层上。多层金属结构包括第一部分和两个第二部分，第一部分在第一方向上与半导体芯片叠置，并且所...
    2026-02-16
  • 一种嵌入式功率模块及其制造方法
    一种嵌入式功率模块及其制造方法_派恩杰半导体(浙江)有限公司_202511775552.4
    本发明公开了一种嵌入式功率模块及其制造方法，属于集成电路技术领域，该嵌入式功率模块的制造方法，包括提供电路板，在所述电路板的正面封装芯片；使用3D打印工艺或者牺牲层在所述电路板的背面制备铜镀层，以及所述铜镀层中的散热微通道，所述散热微通道的...
    2026-02-16
  • 一种毛细力驱动两相热虹吸散热器及其工作方法
    一种毛细力驱动两相热虹吸散热器及其工作方法_杭州氢杰新能源有限公司_202511827014.5
    本发明公开了一种毛细力驱动两相热虹吸散热器及其工作方法，属于芯片散热领域，包括毛细力驱动式散热器主体和自适应升降式冷凝器，毛细力驱动式散热器主体包括毛细板以及密封设置于毛细板一侧的蒸发腔和储液室，蒸发腔经蒸汽软管与自适应升降式冷凝器的输入端...
    2026-02-16
  • 一种MOS管散热封装结构
    一种MOS管散热封装结构_上海安勤智行汽车电子有限公司_202511828858.1
    本申请公开了一种MOS管散热封装结构，其特征在于，包括PCB板以及贴合设置于所述PCB板表层的MOS管芯片，所述PCB板的表层对应所述MOS管芯片的区域设有散热焊盘；所述散热焊盘由多个间隔设置的长条状焊盘组成，相邻两个长条状焊盘之间形成间隔...
    2026-02-16
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