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最新专利技术
  • 一种用于电磁屏蔽柜的液冷系统及控制方法
    一种用于电磁屏蔽柜的液冷系统及控制方法_浙江绿色理想科技有限公司_202610043473.2
    本发明公开了一种用于电磁屏蔽柜的液冷系统及控制方法，液冷系统集成功率传感器、温度传感器阵列、模糊PID控制器、变频循环泵、电动比例阀、热交换器、液冷分配单元以及物联网监控模块。控制方法包括：通过进行多源数据同步采集与状态融合分析；利用基于物...
    2026-02-19
  • 电子设备
    电子设备_华为技术有限公司_202411069457.8
    本申请实施例提供一种电子设备，涉及电子设备技术领域。电子设备包括第一电子器件、屏蔽罩、电路板和第一电连接件。屏蔽罩和第一电子器件位于电路板的同侧，屏蔽罩与第一电连接件电连接。屏蔽罩具有通孔，第一电连接件封住通孔且与屏蔽罩电连接。第一电子器件...
    2026-02-19
  • 一种基于冷冻干燥法构筑β-C3N4@聚苯胺/RGO负载纳米纤维吸波气凝胶及其制备方法
    一种基于冷冻干燥法构筑β-C3N4@聚苯胺/RGO负载纳米纤维吸波气凝胶及其制备方法_湖北华强科技股份有限公司_202511425364.9
    本发明提供一种基于冷冻干燥法构筑β‑C33N44@聚苯胺/RGO负载纳米纤维吸波气凝胶及其制备方法，解决现有技术中吸波气凝胶存在柔性差、吸波损耗机制单一等问题。所述复合气凝胶以刚性碳纳米纤维和柔性Li0.350.35Zn0.30.3Fe2....
    2026-02-19
  • 磁屏蔽结构及磁传感器
    磁屏蔽结构及磁传感器_中国南方电网有限责任公司_202511572512.X
    本申请涉及一种磁屏蔽结构及磁传感器。该磁屏蔽结构包括：磁屏蔽层，包括多个子磁屏蔽层，任意相邻两个子磁屏蔽层在第一方向形成开槽；第一连接层，与各子磁屏蔽层在第二方向的第一侧连接；第二方向为子磁屏蔽层的延伸方向，第二方向与第一方向相交；磁屏蔽层...
    2026-02-19
  • 基于电磁波吸收应用的NCNTs高熵合金复合材料及其制备方法
    基于电磁波吸收应用的NCNTs高熵合金复合材料及其制备方法_安徽大学_202511731070.9
    本发明提供了一种基于电磁波吸收应用的NCNTs高熵合金复合材料及其制备方法，涉及电磁波吸收技术领域。所述制备方法通过在高熵金属有机框架前驱体表面，利用三聚氰胺作为碳源和氮源，外延生长氮掺杂的碳纳米管，构建起磁‑电‑磁分级损耗结构的NCNTs...
    2026-02-19
  • 一种大面积电镀均匀镍磷合金电阻薄膜的屏蔽板设计
    一种大面积电镀均匀镍磷合金电阻薄膜的屏蔽板设计_电子科技大学_202511862784.3
    本发明涉及一种大面积电镀均匀镍磷合金电阻薄膜的屏蔽板设计，本发明针对电镀镍磷合金电阻薄膜的产生的边缘极化效应，通过添加屏蔽板改变电场线的分布，并通过调节屏蔽板孔距与孔径等方式来提高镀层的均匀性，能够有效地降低因电镀产生的边缘极化效应。适用于...
    2026-02-19
  • 卧式自动补插机的高速供料装置
    卧式自动补插机的高速供料装置_深圳市中禾旭精密机械有限公司_202511610001.2
    本发明提供一种卧式自动补插机的高速供料装置，其包括下料机架、送料机构、下料站机构及废料带整料机构，送料机构和下料站机构均与下料机架连接，下料站机构位于送料机构的上方。通过料带连接的多个电子元器件通过下料站机构进行剪脚和下料，剪脚后的废料带从...
    2026-02-19
  • 一种PCB板生产用SMT贴标机
    一种PCB板生产用SMT贴标机_武汉品信电子有限公司_202511777114.1
    本发明公开了一种PCB板生产用SMT贴标机，属于电路板加工装置技术领域，包括：X轴输送线和Y轴输送线，所述X轴输送线和Y轴输送线均安装在基座上并沿预设方向延伸，用以承载和输送电子件；夹紧导向机构，所述夹紧导向机构包括置于X轴输送线和Y轴输送...
    2026-02-19
  • 一种静态随机存取存储器单元及存储器
    一种静态随机存取存储器单元及存储器_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511749016.7
    本申请公开一种静态随机存取存储器单元及存储器。该单元包括沿第一方向延伸的鳍，鳍具有有源区和栅极结构；第一互连金属结构设于鳍的第一侧，电连接有源区和栅极结构，以形成行列排布的第一、第二传输晶体管及第一、第二读写晶体管，且对应沟道区沿第二方向同...
    2026-02-19
  • 一种双端口静态随机存取存储器单元和存储器
    一种双端口静态随机存取存储器单元和存储器_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511755834.8
    本申请公开了一种双端口静态随机存取存储器单元及存储器。该单元包括沿第一方向延伸的至少一根鳍，鳍上具有有源区和栅极结构。在鳍的第一侧布设第一互连金属结构，形成行列排布的第一读写晶体管、第二读写晶体管、第一上拉晶体管和第二上拉晶体管，其中第一上...
    2026-02-19
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411081421.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括位于衬底上的至少一个存储单元，存储单元包括：环形的半导体层，沿垂直于衬底的方向延伸；第一导电层，位于半导体层内部；参考节点层，与半导体层连接，配置为向存储单元提供参考电压；读字线和写字线，...
    2026-02-19
  • 半导体结构的制作方法以及半导体结构
    半导体结构的制作方法以及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202411099283.X
    一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成由多个半导体材料层和多个绝缘材料层交替堆叠的叠层结构；执行侧蚀，去除部分所述多个半导体材料层，以在保留下来的所述多个绝缘材料层之间形成间隙；采用原...
    2026-02-19
  • 三维半导体存储器及其电子设备
    三维半导体存储器及其电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202411099297.1
    本公开实施例提供一种三维半导体存储器，包括，衬底，位于衬底上的多个有源层，多个有源层在衬底上呈阵列排布，多条位线，分别连接至有源层的一端，多条位线沿第二方向延伸，且多条位线沿第三方向堆叠在衬底上，多个存储单元，分别连接至有源层的另一端，屏蔽...
    2026-02-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510944151.0
    一种半导体装置，包括：器件隔离区域，其在衬底上限定单元有源区域和外围有源区域；栅极结构，其在水平方向上跨越单元有源区域延伸，延伸到器件隔离区域中，并且具有在器件隔离区域内的端部表面；以及栅极接触插塞，其在单元有源区域和外围有源区域之间接触栅...
    2026-02-19
  • 包括电容器的半导体装置
    包括电容器的半导体装置_三星电子株式会社_202511010531.3
    一种半导体装置，包括：包括单元阵列区和外围电路区的衬底；形成在衬底的单元阵列区上的电容器结构；在平面图中围绕电容器结构的坝结构；设置在衬底的外围电路区上和坝结构的侧壁上并且包括第一模制绝缘层的外围电路绝缘层；设置在第一模制绝缘层上的第一支撑...
    2026-02-19
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511023753.9
    一种半导体存储器装置，包括：位线，其包括第一位线和第二位线；位线接触件，其连接到第二位线；字线，其位于位线和位线接触件上；背栅电极，其与字线分离；沟道图案，其各自在字线当中的字线和背栅电极当中的背栅电极之间沿竖直方向延伸；接触插塞，其各自连...
    2026-02-19
  • 半导体存储器器件及其制造方法
    半导体存储器器件及其制造方法_三星电子株式会社_202511042046.4
    一种半导体存储器器件，包括：衬底；多个半导体图案，其在衬底上并且在垂直于衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开；多个层间绝缘图案，其在第一方向上相邻的半导体图案之间；以及数据存储器件，其在多个半导体图案上，其中该多个半导体图案包括至少一个虚拟图...
    2026-02-19
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511672157.3
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，衬底包括第一区和位于第一区外侧的第二区；电容结构位于衬底上，电容结构包括若干垂直于衬底的方向延伸的底电极，且底电极位于第一区上；第一支撑层位于底电极之间和底电极靠近第二区的一侧；第二支撑层至少位于底电...
    2026-02-19
  • 三维集成结构及其形成方法
    三维集成结构及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202511738099.X
    提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括具有第一侧的第一衬底层，装置形成在该第一侧之上。在半导体装置中，第一电介质结构形成在第一衬底层的其中定位所述装置的第一侧之上。第一电介质结构包括与第一衬底层的第一侧接触的底表面。第一电介质结构的底表面...
    2026-02-19
  • 存储器器件
    存储器器件_铠侠股份有限公司_202510231095.6
    实施方式提供一种能够提高集成效率的存储器器件。实施方式的存储器器件具备：第一基板、第二基板及多个布线层，在第一方向上依次分离地排列，这里，所述多个布线层各自在所述第一方向上相互分离地排列；存储柱，在第一方向上延伸，与多个布线层各自交叉的部分...
    2026-02-19
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