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最新专利技术
  • 三维闪存及其制造方法
    三维闪存及其制造方法_旺宏电子股份有限公司_202411181533.4
    本发明提供一种三维闪存及其制造方法。所述三维闪存包括堆叠结构、环状的通道柱、第一源极/漏极柱、第二源极/漏极柱与电荷储存结构。堆叠结构设置于介电基底上，且包括交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。绝缘层中具有气隙。通道柱设置介电基底上，且贯穿堆...
    2026-02-20
  • 半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统
    半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统_三星电子株式会社_202511018242.8
    提供了一种半导体装置和一种数据存储系统。该半导体装置可以包括：第一半导体结构，其包括衬底、衬底上的电路装置、电耦接到电路装置的第一互连结构、以及电路装置和第一互连结构上的第一接合金属层；第二半导体结构，其在第一半导体结构上连接到第一半导体结...
    2026-02-20
  • 铆钉式隔离和方法
    铆钉式隔离和方法_美光科技公司_202511056075.6
    本申请涉及铆钉式隔离和相关方法。公开设备和方法，其包含互连路径、通孔、存储器单元、半导体装置和系统。实例半导体装置和方法包含在堆叠的顶层与所述堆叠的底层之间穿过的导电通孔。一或多个隔离层环绕所述导电通孔的各侧和底部。展示了在沿着所述导电通孔...
    2026-02-20
  • 基于二维材料的纳米晶颗粒闪存器件及其制备方法
    基于二维材料的纳米晶颗粒闪存器件及其制备方法_绍芯实验室_202511540021.7
    本申请涉及一种基于二维材料的纳米晶颗粒闪存器件及其制备方法。该器件包括绝缘体衬底、栅极底电极、阻挡层、浮栅层、隧穿层、二维沟道层、源极和漏极；其中浮栅层由金属Pt纳米晶颗粒构成，隧穿层为BN介质，阻挡层为高介电常数HfO2，通过引入高κ介质...
    2026-02-20
  • 存储器装置和存储器装置的制造方法
    存储器装置和存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510339114.7
    本申请涉及存储器装置和存储器装置的制造方法。一种存储器装置包括：层叠结构，其包括在第一方向上与层间绝缘层交替层叠的导电层；沟道层，其延伸穿过层叠结构；以及电荷捕获图案，其位于沟道层和导电层之间并且在第一方向上间隔开。电荷捕获图案当中的第一电...
    2026-02-20
  • 半导体存储器件以及包括该半导体存储器件的电子系统
    半导体存储器件以及包括该半导体存储器件的电子系统_三星电子株式会社_202510649816.5
    一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括单元阵列区和扩展区；多个栅电极，在第一方向上交替堆叠在衬底上，并在扩展区上呈阶梯状结构；沟道结构，穿透单元阵列区上的多个栅电极并在第一方向上延伸；通孔，穿透多个栅电极中的第一栅电极和多个栅电极中的第二栅...
    2026-02-20
  • 存储单元
    存储单元_中国科学院微电子研究所_202511698829.8
    本公开提供了一种存储单元，包括有源区、有源区上的堆叠结构和堆叠结构上的栅电极。堆叠结构包括有源区上的隧穿层、隧穿层上的电荷俘获层和电荷俘获层上的阻挡层。其中，阻挡层包括电介质层和反铁电层的叠层。
    2026-02-20
  • 高密度低扰动三维铁电存储器结构及其制备方法
    高密度低扰动三维铁电存储器结构及其制备方法_北京超弦存储器研究院_202511655300.8
    本发明公开一种高密度低扰动三维铁电存储器结构及其制备方法，属于半导体数据存储技术领域。本发明通过导电通孔结构将中间导体限制于一突出部分内，并使其被隔离层自然分隔，中间导体与对应的第一导线、第二导线、第一介质材料和第二介质材料共同构成MFMS...
    2026-02-20
  • 一种高密度三维集成选择器-铁电电容交叉点阵存储器及其制备方法
    一种高密度三维集成选择器-铁电电容交叉点阵存储器及其制备方法_北京超弦存储器研究院_202511655301.2
    本发明公开一种高密度三维集成选择器‑铁电电容交叉点阵存储器及其制备方法，属于半导体数据存储技术领域。本发明设置了导电通孔和被隔离层自然分隔的中间导体，实现中间导体与对应的第一导线、第二导线、第一介质和第二介质共同构成MFMSM存储单元，解决...
    2026-02-20
  • 相变存储器及其制造方法、电子设备
    相变存储器及其制造方法、电子设备_新存科技(武汉)有限责任公司_202311661106.1
    本公开实施例公开了一种相变存储器及其制造方法、电子设备，其中，相变存储器包括：沿第一方向延伸的第一导电线、沿第二方向延伸的第二导电线以及沿第三方向设置于第一导电线和第二导电线之间的相变存储单元；其中，第一方向和第二方向均垂直于第三方向，第一...
    2026-02-20
  • 相变存储器及其形成方法
    相变存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202311703931.3
    本公开提供了一种相变存储器及其形成方法，所述形成方法包括：提供布线层；所述布线层至少包括沿第一方向延伸的顶部金属层；所述第一方向垂直于第二方向，所述第二方向为所述布线层的厚度方向；在所述布线层上形成沿所述第二方向延伸的接触结构；所述接触结构...
    2026-02-20
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511490223.5
    本申请公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括位于衬底上的第一存储结构、导电线和第二存储结构。第一存储结构包括若干第一存储阵列和第一触点结构，第一触点结构在第一方向上位于相邻两个第一存储阵列之间。导电线位于第一存储结构背离衬底的一侧...
    2026-02-20
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511585870.4
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，在衬底上形成存储单元层和位于存储单元层上的掩模层，存储单元层包括第一电极层，第一电极层包括第一电极部和第二电极部，第二电极部位于第一电极部背离衬底的一侧，掩模层位于第二电极部背离衬底一侧的表...
    2026-02-20
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511602062.4
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，先在衬底上形成存储单元、位于存储单元上的导电线、以及位于相邻存储单元之间和相邻导电线之间的初始间隔层。然后对初始间隔层进行离子注入形成间隔层，间隔层包括第一间隔部和位于第一间隔部上的第二间隔...
    2026-02-20
  • 封装结构、封装结构的制备方法、存储器及存储系统
    封装结构、封装结构的制备方法、存储器及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411046349.9
    本申请涉及封装结构技术领域，公开了一种封装结构、封装结构的制备方法、存储器及存储系统，封装结构包括：封装基板；多个半导体芯片，沿第一方向堆叠设置在封装基板的一侧，多个半导体芯片错位分布，多个半导体芯片包括第一半导体芯片和位于第一半导体芯片和...
    2026-02-20
  • 具有凸块下金属化的扇出半导体封装
    具有凸块下金属化的扇出半导体封装_爱思开海力士有限公司_202510699888.0
    本公开涉及具有凸块下金属化的扇出半导体封装。半导体封装包括：连接件，其连接到半导体芯片；第一再分布层，其包括第一再分布图案；第二再分布层，其包括第二再分布图案；以及凸块下金属化UBM焊盘，其设置在所述第二再分布层上；所述第二再分布图案包括与...
    2026-02-20
  • 一种小型化模块化宽带数字射频存储微系统
    一种小型化模块化宽带数字射频存储微系统_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511578276.2
    本发明公开一种小型化模块化宽带数字射频存储微系统，通过模块化设计，融合多种工艺手段，实现宽带数字射频存储微系统的高密度三维集成。微系统从功能层面涵盖射频接收、下变频、模数转换、数字信号处理、信号存储、模数转换、上变频与射频发射的全系统能力；...
    2026-02-20
  • 电容器件及其制备方法、电子设备
    电容器件及其制备方法、电子设备_上海积塔半导体有限公司_202511544462.4
    本申请涉及一种电容器件及其制备方法、电子设备，包括：衬底；衬底的顶面上包括：沿背离衬底的方向依次层叠的第一金属层、绝缘叠层和第二金属层；绝缘叠层包括具有不同硅含量和介电常数的多个介质层；多个介质层设置为：靠近并与第一金属层、第二金属层接触的...
    2026-02-20
  • 半导体器件及其制造方法、图像传感器及其制造方法
    半导体器件及其制造方法、图像传感器及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511685785.5
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法、图像传感器及其制造方法，半导体器件包括：基底，基底中形成有导电层、绝缘层和沟槽；沟槽电容器，包括第一电极板、第一介质层、第二电极板、第二介质层和第三电极板，第一电极板从沟槽的侧壁延伸至沟槽外围的基底上；...
    2026-02-20
  • 一种堆叠金属结构及其形成方法
    一种堆叠金属结构及其形成方法_华为技术有限公司_202411050993.3
    本申请涉及芯片技术领域，尤其涉及一种堆叠金属结构及其形成方法，堆叠金属结构包括有源区，所述有源区包括依次堆叠的衬底、第一金属层、导电阻挡层和第二金属层；其中，所述第一金属层与所述衬底之间的接触电势小于或等于所述第二金属层与所述衬底之间的接触...
    2026-02-20
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