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最新专利技术
  • 实现在后段工艺通孔中钽氮化物阻挡层的选择性沉积
    实现在后段工艺通孔中钽氮化物阻挡层的选择性沉积_朗姆研究公司_202480044264.9
    促进含金属膜沉积的预处理方法包括将半导体衬底暴露于还原剂和抑制剂。含硅抑制剂和还原剂预处理可与含金属阻挡膜的沉积结合使用，以及与可选的后处理一起，以移除抑制剂。选择性沉积可以通过利用具有至少一个Si‑H基团和有机部分的含硅抑制剂来实现。
    2026-02-08
  • 基板处理方法及基板处理装置、以及半导体装置的制造方法及半导体制造装置
    基板处理方法及基板处理装置、以及半导体装置的制造方法及半导体制造装置_株式会社斯库林集团_202480045001.X
    本发明是提供一种通过抑制或减少膜缺陷的产生，从而能够在短时间内高效率地在基板表面形成致密性及保护性能优异的自组装单分子膜的基板处理方法及基板处理装置、以及半导体装置的制造方法及半导体制造装置。本发明的基板处理方法是在基板(W)的表面(Wf)...
    2026-02-08
  • 在线微环境污染检测与监测系统
    在线微环境污染检测与监测系统_创控科技股份有限公司_202480044450.2
    公开包含一或多个入口及一或多个出口的主动流量控制系统的实施例。第一出口经配置以流体地耦合到微环境的入口，且第一入口经配置以耦合到所述微环境的出口。所述主动流量控制系统包含一或多个流量控制配置；每一流量控制配置对应于流量控制模式。所述一或多个...
    2026-02-08
  • 用于可变尺寸管芯的异质集成的载台和工具
    用于可变尺寸管芯的异质集成的载台和工具_ASML荷兰有限公司_202480045679.8
    一种用于管芯的支撑结构，包括：附接连接件阵列，被配置为保持管芯致动器，该管芯致动器中的每个管芯致动器由至少一个附接连接件保持；以及控制器连接阵列，被配置为与管芯致动器进行接口连接以控制管芯致动器的移动，其中控制器连接阵列被散布在附接连接阵列...
    2026-02-08
  • 基板尺寸适配器
    基板尺寸适配器_统一半导体公司_202480045186.4
    本发明涉及一种用于保持晶片(W)的适配器(1)。适配器的背面(1b)旨在被放置在设置于支撑件(S)的主面(S1)上的第一吸附通道(C1)和第二吸附通道(C2)上并在该第一吸附通道和该第二吸附通道上延伸。适配器(1)包括设置在正面(1a)上以...
    2026-02-08
  • 检测半导体元件中的裂纹的方法以及相关的焊线系统
    检测半导体元件中的裂纹的方法以及相关的焊线系统_库利克和索夫工业公司_202480044520.4
    一种焊线系统包括：焊头组件，所述焊头组件被配置为携载焊线工具，所述焊线工具用于相对于包含半导体元件的工件执行焊线操作；支撑结构，用于支撑所述工件；以及电脑系统，所述电脑系统被配置为：在所述焊线系统上提供所述半导体元件；以及检测在所述焊线系统...
    2026-02-08
  • 用于用电镀铜柱产生双面模制模块的方法
    用于用电镀铜柱产生双面模制模块的方法_QORVO美国公司_202480045521.0
    本公开涉及一种制造双面模制模块的方法，所述方法开始于提供层压板，所述层压板包括层压主体、在所述层压主体的底表面上的垫以及围绕所述垫且在所述层压主体的所述底表面上的铜柱。具有高度变化的所述铜柱比每个垫高。接下来，将所述层压板放置在支撑块上，所...
    2026-02-08
  • 接合构造体的制造方法、层叠体的制造方法及接合方法
    接合构造体的制造方法、层叠体的制造方法及接合方法_三井金属株式会社_202480034226.5
    将含有铜颗粒和有机溶剂的糊剂涂敷于第1被接合体(11)而形成涂膜(13a)；除去涂膜(13a)所包含的有机溶剂的一部分；通过以第2被接合体(12)的一部分埋没于涂膜(13a)中的方式将第2被接合体(12)压入到涂膜(13a)中而得到依次具备...
    2026-02-08
  • 用于暴露裸片封装的背侧模制化合物飞边抑制沟槽
    用于暴露裸片封装的背侧模制化合物飞边抑制沟槽_德州仪器公司_202380100044.9
    描述了一种背侧暴露的半导体裸片封装(100)，其具有围绕所述半导体裸片封装(100)的周界的多个引线(146)、电耦合到多个所述引线(146)的半导体裸片(104)、在所述半导体裸片(104)的背侧(114)上的多个模制化合物飞边抑制沟槽(...
    2026-02-08
  • 纵向型器件及半导体模块
    纵向型器件及半导体模块_富士电机株式会社_202480035631.9
    提供一种纵向型器件，所述纵向型器件具备具有上表面和下表面的半导体基板、以及设置于所述半导体基板的整个所述下表面的下表面电极，所述下表面电极包含铜。所述下表面电极可以具有在距所述半导体基板的所述下表面最远的表面露出的最下层，所述最下层可以包含...
    2026-02-08
  • 用于提高键合界面质量的芯片分割辅助结构和方法
    用于提高键合界面质量的芯片分割辅助结构和方法_苹果公司_202480038696.9
    描述了集成电路(IC)结构、电子模块和制造方法，其中在拐角或边缘处去除直接键合界面以抵消非键合或分层的可能性。这可在分割期间完成，其中侧凹槽形成为穿过电子部件的整个厚度并且进入直接键合的管芯，之后进行对该IC结构的最终分割。
    2026-02-08
  • 用于直接接合的导电材料
    用于直接接合的导电材料_美商艾德亚半导体接合科技有限公司_202480041616.5
    一种结构包括：第一衬底，该第一衬底包括第一层，该第一层具有至少一个电传导的第一部分和至少一个电绝缘的第二部分；以及第二衬底，该第二衬底包括第二层，该第二层具有至少一个电传导的第三部分和至少一个电绝缘的第四部分。该结构还包括界面层，该界面层在...
    2026-02-08
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