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最新专利技术
  • 网络组件以及无线通信方法
    网络组件以及无线通信方法_株式会社NTT都科摩_202380100244.4
    本公开的一方式所涉及的网络组件具有：接收单元，在特定的定时接收与移动性有关的第一信息；控制单元，基于所述第一信息，决定与多个小区的连接以及切换有关的第二信息；以及发送单元，对终端发送所述第二信息。根据本公开的一方式，能够实现高速无缝通信。
    2026-02-08
  • 加热系统、用于制造加热系统的第一方法、用于制造加热系统的第二方法以及电化学能量转换器
    加热系统、用于制造加热系统的第一方法、用于制造加热系统的第二方法以及电化学能量转换器_罗伯特·博世有限公司_202480045721.6
    本发明涉及一种用于间接加热至少一个介质通道(14)中的介质(12)、尤其水的加热系统(10)，该加热系统包括用于接收待加热介质(12)的介质容器(16)，其中，介质容器(16)具有至少一个用于排出和/或供应介质(12)的介质通道(14)以及...
    2026-02-08
  • 包括印刷有加热线圈的层压板的感应加热设备
    包括印刷有加热线圈的层压板的感应加热设备_三星电子株式会社_202480044512.X
    提供了一种具有图案化加热线圈的感应加热设备。该感应加热设备包括：容器检测线圈，用于检测烹饪容器；多个加热线圈图案层，通过印刷加热线圈进行图案化；以及加热线圈板，通过按压层压板来产生，该加热线圈板包括位于两个加热线圈图案层之间的至少两个预浸料...
    2026-02-08
  • 电炉
    电炉_LG电子株式会社_202480044534.6
    电炉的实施方式可以包括：上支撑件；线圈基板，其设置在上支撑件上方，并且在线圈基板上印刷有工作线圈；以及多个铁氧体模块，其分别布置在上支撑件上方、布置在线圈基板下方、并且布置在与多个工作线圈相对应的位置处。上支撑件可以包括：多个安置凹槽，多个...
    2026-02-08
  • 保护电子容纳腔的方法以及相关联的电子容纳腔、测量系统和航空器
    保护电子容纳腔的方法以及相关联的电子容纳腔、测量系统和航空器_赛峰电子与防务公司_202480044557.7
    本发明涉及一种用于保护电子容纳腔的方法，包括以下步骤：‑ 经由设置在该容纳腔的其中一个壁上的至少一个第一注入孔口向该容纳腔(1)内注入至少一种液态或半液态填充产品；‑ 当该产品存在于设置在该容纳腔的其中一个壁上的至少一个第一孔口的至少一部分...
    2026-02-08
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480045695.7
    提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置设置有包括第一至第三纵向晶体管的存储单元。第一至第三纵型晶体管从下至上依次层叠设置。第一纵向晶体管在下部电极与上部电极之间包括栅电极，栅电极围绕半导体层。绝缘层嵌入半导体层的内侧，该...
    2026-02-08
  • 具有对准到种子层的晶体结构的相变存储器单元
    具有对准到种子层的晶体结构的相变存储器单元_国际商业机器公司_202480035971.1
    一种相变存储器单元，包括：绝缘层；嵌入在绝缘层中的第一电极，其中第一电极的外端与绝缘层的外表面局部齐平；第二电极，其比第一电极大，并且与第一电极间隔开；成分均质的结晶相变材料层；以及高度取向的种子层。均质相变材料层的晶体结构与高度取向的种子...
    2026-02-08
  • 电子器件及其制造方法
    电子器件及其制造方法_冲电气工业株式会社_202480045629.X
    一种电子器件(10)包括：功能单元(102)；支撑功能单元(102)的基板(130)；形成在功能单元(102)的基板(130)侧并且用作电极的第一金属膜(110)；以及形成在基板(130)上并且与第一金属膜(110)接合的第二金属膜(140...
    2026-02-08
  • 半导体装置和电子设备
    半导体装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480045523.X
    根据本公开的实施例的半导体装置包括：设置于半导体基板并且具有栅电极、源极和漏极的晶体管；与该晶体管电连接的端子；以及设置于半导体基板并且与该端子电连接的二极管。该二极管的阳极与阴极之间的间隔比该晶体管的栅电极与源极或漏极之间的间隔短。
    2026-02-08
  • 半导体装置、存储装置、半导体装置的制造方法
    半导体装置、存储装置、半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480029957.0
    提供一种电特性良好的半导体装置。半导体装置包括圆柱形状的半导体层、与半导体层的底面接触的第一导电层、与半导体层的顶面接触的第二导电层、覆盖半导体层的侧面的至少一部分的第一绝缘层以及隔着第一绝缘层与半导体层的侧面相对的第三导电层。第一绝缘层包...
    2026-02-08
  • 形成铜膜的方法
    形成铜膜的方法_周星工程股份有限公司_202480044668.8
    本发明涉及一种形成铜膜的方法，该方法在位于腔室中的基板上形成铜膜，该方法包括：步骤a)，向基板上喷射含铜前体；步骤b)，向基板上喷射第一吹除气体；步骤c)，使用氢气(H22)在基板上形成等离子体；以及步骤d)，向基板上喷射包括含氢气体和含氮...
    2026-02-08
  • 具有屏蔽层的半导体功率器件
    具有屏蔽层的半导体功率器件_华为数字能源技术有限公司_202380100033.0
    本发明涉及一种半导体功率器件(100)，所述半导体功率器件(100)包括：半导体衬底(110)；过渡层(111)，所述过渡层(111)形成于所述半导体衬底(110)上方；氮化镓(Gallium‑Nitride，GaN)沟道层(122)，所述...
    2026-02-08
  • 半导体装置、半导体装置的制造方法和光检测装置
    半导体装置、半导体装置的制造方法和光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480045101.2
    一种半导体装置包括：沟槽，其从基板的第一面朝着与所述第一面相反的一侧的第二面被布置在所述基板中；第一绝缘栅极场效应晶体管，其布置于所述沟槽内的下部处，所述第一绝缘栅极场效应晶体管包括隔着第一栅极绝缘膜埋入在所述沟槽的侧壁上的第一栅极电极；侧...
    2026-02-08
  • 成像装置
    成像装置_索尼半导体解决方案公司_202480045786.0
    本发明提供了一种成像装置，其包括：多个像素单元，所述像素单元各自包括具有不同受光灵敏度的第一光电转换部和第二光电转换部以及设置在所述第一光电转换部与所述第二光电转换部之间的节点；以及连接部，其将一个所述像素单元的所述节点电连接到另一个所述像...
    2026-02-08
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480043387.0
    提供了一种能够在抑制暗电流产生的同时提高量子效率Qe的光检测装置。具体地，所述光检测装置，包括：半导体基板，其具有光入射在其上的第一面和位于所述第一面的相对侧的第二面；多个光电转换单元，其在所述半导体基板上形成二维阵列；像素分离结构，其形成...
    2026-02-08
  • 光检测装置
    光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480045845.4
    [问题]提供了在将像素的结构元件布置在多个层中时能够适当地布置像素的构成元件的光检测装置。[解决方案]本公开的光检测装置包括：第一基板；第一绝缘膜，其设置在所述第一基板上；第二基板，其设置在所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，其设置在所述第二基板...
    2026-02-08
  • 有机电致发光元件及电子设备
    有机电致发光元件及电子设备_保土谷化学工业株式会社_202480043668.6
    使用了下述通式所表示的化合物和有机硼化合物的有机电致发光元件为高效率、低驱动电压、长寿命。A33、R11、R22表示1价的芳香族烃基等，A11和A22表示亚萘基，L11～L33表示单键或2价的芳香族烃基等。
    2026-02-08
  • 显示基板及显示装置
    显示基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000885.7
    本公开的实施例提供了一种显示基板及显示装置，涉及显示技术领域。该显示基板包括衬底、隔离结构、第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件。隔离结构设于衬底上。第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件中的每个发光器件包括第一电极、第二电极、至少两...
    2026-02-08
  • 显示设备
    显示设备_三星显示有限公司_202480045308.X
    显示设备包括：发光面板，包括第一基板、布置在第一基板上的多个发光二极管、包括多个开孔的堤挡层、布置在堤挡层的开孔中的功能层和布置在功能层上的多个透镜；颜色面板，布置在发光面板上，颜色面板包括第二基板和布置在第二基板上的滤色器层；以及填充层，...
    2026-02-08
  • 实现在后段工艺通孔中钽氮化物阻挡层的选择性沉积
    实现在后段工艺通孔中钽氮化物阻挡层的选择性沉积_朗姆研究公司_202480044264.9
    促进含金属膜沉积的预处理方法包括将半导体衬底暴露于还原剂和抑制剂。含硅抑制剂和还原剂预处理可与含金属阻挡膜的沉积结合使用，以及与可选的后处理一起，以移除抑制剂。选择性沉积可以通过利用具有至少一个Si‑H基团和有机部分的含硅抑制剂来实现。
    2026-02-08
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