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  • 本发明公开了一种减轻光伏电池制程中膜层损伤的方法,涉及太阳能电池领域:具体为控制制绒过程,硅片正背面进行第一次制绒后利用掩膜遮挡板,硅片正背面非遮挡区域沉积SiNx薄膜;将未沉积SiNx薄膜位置的绒面进行抛光处理;抛光后进行第二次制绒,然后...
  • 本发明公开一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池。制备方法包括:提供异质结电池基体,异质结电池基体的第一主表面和第二主表面分别设置第一透明导电膜层和第二透明导电膜层;第一透明导电膜层的外侧形成间隔排列的隔热层,第二透明导电膜层的外...
  • 本发明属于太阳能电池生产技术领域,特别涉及一种背接触太阳能电池的制造方法,具体包括提供一太阳能电池基片,太阳能电池基片的背光面设置有交替分布的P型掺杂区和N型掺杂区;在背光面通过激光开槽,使P型掺杂区和N型掺杂区之间形成有高低台阶差的激光槽...
  • 本发明公开了一种红外窄带光电器件及其制备方法,包括如下步骤:在FTO玻璃上制备电子传输层后,在电子传输层上制备活性吸收层,将活性吸收层进行氯化镉处理钝化缺陷后,在活性吸收层上制备硫氰酸亚铜层或氧化镍层作为空穴传输层,当空穴传输层为氧化镍层时...
  • 本发明提供一种基于激光无损切割的光伏电池片划片设备及方法,包括:S1第一输送机构接收并输送装载有大电池片的料盒;S2第一抓取机构将大电池片抓取到纠正平台上;S3第一检测机构对纠正平台上的大电池片进行检测,如合格则通过第一检测机构对大电池片的...
  • 本公开涉及光伏领域,提供一种光伏电池及其制造方法、叠层电池及光伏组件,光伏电池的制造方法包括:提供电池基片,具有沿第一方向相对的两个表面侧;在至少一个表面侧上印刷第一浆料,第一浆料至少包括第一导电颗粒和第二导电颗粒,第一导电颗粒和第二导电颗...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种背接触电池的后制绒制作方法及其电池,包括:S2、在硅片背面形成第一半导体层,同时自然形成磷硅玻璃层作为掩膜层;S3、背面形成第二半导体开口区;S4、采用激光刻划的方式,对硅片正面进行整面刻蚀,以去除...
  • 本发明属于背接触太阳电池技术领域,具体涉及一种设置组合掩膜层的背接触太阳电池制造方法及其电池,包括:S2、在硅片背面依次形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、第一氧化硅掩膜层、第二多晶硅掩膜层;S3、背面形成隧穿氧化层、N型多晶硅层、第一掺磷氧化硅...
  • 本申请涉及光伏技术领域,特别是一种背接触电池及制备方法、背接触叠层电池和光伏组件。该制备方法首先在基底的第一表面沉积隧穿氧化层和N型掺杂层,并检测沉积后N型掺杂层的接触电阻为Rc1;然后在第一表面沉积第一掩膜层、本征氢化非晶硅层和P型氢化非...
  • 本发明提出了一种高量子效率的可见‑短波红外InGaAs探测器及其制备方法,包括专用读出电路芯片和光敏芯片,光敏芯片从下到上依次由P型接触电极区、钝化层、InP帽层P型区、InP帽层N型区、In0.530.53Ga0.470.47As吸收层、...
  • 本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统,太阳能电池包括:基底,基底的第一表面具有多个交替排布的N型掺杂区和P型掺杂区;N型掺杂区设有N型掺杂层,P型掺杂区设有P型掺杂层;相邻的N型掺杂区和P型掺杂区之间设置有隔离区,隔离区用于隔离N...
  • 本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域。该电池包括:电池基体,位于电池基体的第一主表面的第一掺杂区、第二掺杂区、隔离区和缓冲区;隔离区和缓冲区位于第一掺杂区和第二掺杂区之间,缓冲区位于第一掺杂区和隔离区之间;第...
  • 本公开提供了一种太阳能电池片、太阳能电池、电池组件和光伏系统。太阳能电池片包括正面、背面、以及位于所述正面和所述背面之间且沿所述太阳能电池片的厚度方向设置的多个侧面;所述多个侧面包括至少一个第一侧面,所述第一侧面与所述正面之间,并且/或者所...
  • 本发明属于半导体光电探测领域,公开了一种基于TeSeOxx非晶‑晶体混合半导体柔性光电探测器及制备方法。该器件包括依次设置的柔性衬底、底电极、电子传输层、TeSeOxx空穴传输层和顶电极;TeSeOxx空穴传输层为TeSeOxx非晶‑晶体混...
  • 本发明公开了一种全碳透明电极金刚石紫外探测器及其制备方法,包括,在本征单晶金刚石衬底上生长本征金刚石外延层和p型重掺杂金刚石层;在p型重掺杂金刚石层上形成带有pad的叉指结构光刻胶掩膜,刻蚀未掩膜的p型重掺杂金刚石层获得p型重掺杂金刚石电极...
  • 本申请公开了一种太阳能电池片及光伏组件,属于光伏组件技术领域。所述太阳能电池片包括电池片,电池片的表面设置有沿第一方向延伸的第一细栅和第二细栅,电池片的表面具有第一区域和第二区域,第二区域和第二区域均沿第二方向延伸,第一区域的表面粗糙度大于...
  • 本发明适用于太阳能电池技术领域,提供了一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构,该背面接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽;设置在硅衬底背面的第一电介质层;设置于第一电介质层上,且设置在凹槽内的第一掺杂区域;设置于第一电介质层上...
  • 本申请涉及光电探测领域,公开了一种基于光栅结构的光电探测器及光电探测方法,其中,所述光电探测器包括衬底层和光电材料层,光电材料层包括金属光栅结构、第一电极、第二电极、第一光电限域材料和第二光电限域材料,金属光栅结构包括第一金属光栅和第二金属...
  • 本申请提供了一种太阳能电池片和光伏组件,该太阳能电池片包括基底,和设置于基底至少一侧的电极层和保护层;电极层包括至少一个导电部;保护层包括绝缘层和金属氧化层,其中,绝缘层覆盖于导电部的背离基底的表面;金属氧化层覆盖于导电部的侧面。本申请能够...
  • 本发明属于技术领域,公开了一种具有光谱调节功能的导电玻璃及其制备方法。这种导电玻璃包括透明玻璃基板、透明导电层和光谱截止层。所述光谱截止层设置于玻璃基板的一侧表面,用于选择性截止太阳光谱中的特定波段,特别是紫外光;所述光谱截止层的位置可位于...
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