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  • 本公开涉及一种激光控制方法、装置、存储介质、电子设备及激光机,该方法包括:获取第一加工时间段内待加工的目标工件的多个电压值,并确定该多个电压值的电压值极差和电压值方差,并根据该电压值极差和该电压值方差,调整该激光机在第二加工时间段内的激光烧...
  • 本发明提供一种光电探测器的制造方法,先在探测器区上依次形成预刻蚀层和第一介质层,然后形成第二介质层,第二介质层覆盖第一介质层和非探测器区;接着,依次刻蚀探测器区上的第二介质层和第一介质层以形成开口,开口暴露出预刻蚀层;接着,以第二介质层为掩...
  • 一种三台面结构雪崩光电二极管制备方法属于半导体光电器件领域。在半绝缘InP衬底上外延生长多层结构;经切割清洗后,通过光刻与湿法刻蚀形成终止于第二i‑InAlGaAs渐变层的第一台面;在第一台面沉积SiO22掩膜后,采用干法刻蚀与湿法刻蚀相结...
  • 本发明公开了一种提升背接触太阳电池双面率的工艺方法,其步骤包括双面制绒、双面氧化、背面栅线位置激光去除氧化层、抛光、背面氧化层去除、隧穿氧化层/poly层制备、背面掩膜、P区激光开膜、硼扩撒、掩膜清洗、二次掩膜、N区激光开膜、磷扩散、退火、...
  • 本申请提供了一种光伏组件制备方法及光伏组件,包括如下步骤:将第一电池串与第二电池串沿电池串长度方向放置,第一电池串、第二电池串相互靠近的电池片分别为第一电池片和第二端部电池片,第一端部电池片与第二端部电池片之间具有间隙,第一端部电池片、第二...
  • 本发明公开了一种太阳能电池边缘钝化方法,包括以下步骤:步骤S1、电池片切片后置于料盒内堆叠成垛,再将多个料盒置于舟托上,送入PECVD反应腔室中;步骤S2、将反应腔室升温至100℃~300℃,并抽真空;步骤S3、在电池片边缘沉积钝化层;步骤...
  • 本申请提供了一种背接触太阳能电池制备方法,包括:将已经完成扩散和刻蚀的电池片等份切割为至少两个分片;对切割后的分片进行表面制绒;对分片的背面、正面进行钝化工艺,并在钝化工艺中于分片的背面、正面和切割面上共同形成钝化层;对形成有钝化层的分片进...
  • 本发明公开了一种太阳能光伏板加工用层压设备,属于光伏板层压技术领域。一种太阳能光伏板加工用层压设备,包括安置箱,还包括:支撑平台,设置在安置箱的一侧,且支撑平台的顶部还设置有带内槽滑台,带内槽滑台的顶部还设置有旋转机械臂,气动夹持加热结构,...
  • 本发明公开了一种减轻光伏电池制程中膜层损伤的方法,涉及太阳能电池领域:具体为控制制绒过程,硅片正背面进行第一次制绒后利用掩膜遮挡板,硅片正背面非遮挡区域沉积SiNx薄膜;将未沉积SiNx薄膜位置的绒面进行抛光处理;抛光后进行第二次制绒,然后...
  • 本发明公开一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池。制备方法包括:提供异质结电池基体,异质结电池基体的第一主表面和第二主表面分别设置第一透明导电膜层和第二透明导电膜层;第一透明导电膜层的外侧形成间隔排列的隔热层,第二透明导电膜层的外...
  • 本发明属于太阳能电池生产技术领域,特别涉及一种背接触太阳能电池的制造方法,具体包括提供一太阳能电池基片,太阳能电池基片的背光面设置有交替分布的P型掺杂区和N型掺杂区;在背光面通过激光开槽,使P型掺杂区和N型掺杂区之间形成有高低台阶差的激光槽...
  • 本发明公开了一种红外窄带光电器件及其制备方法,包括如下步骤:在FTO玻璃上制备电子传输层后,在电子传输层上制备活性吸收层,将活性吸收层进行氯化镉处理钝化缺陷后,在活性吸收层上制备硫氰酸亚铜层或氧化镍层作为空穴传输层,当空穴传输层为氧化镍层时...
  • 本发明提供一种基于激光无损切割的光伏电池片划片设备及方法,包括:S1第一输送机构接收并输送装载有大电池片的料盒;S2第一抓取机构将大电池片抓取到纠正平台上;S3第一检测机构对纠正平台上的大电池片进行检测,如合格则通过第一检测机构对大电池片的...
  • 本公开涉及光伏领域,提供一种光伏电池及其制造方法、叠层电池及光伏组件,光伏电池的制造方法包括:提供电池基片,具有沿第一方向相对的两个表面侧;在至少一个表面侧上印刷第一浆料,第一浆料至少包括第一导电颗粒和第二导电颗粒,第一导电颗粒和第二导电颗...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种背接触电池的后制绒制作方法及其电池,包括:S2、在硅片背面形成第一半导体层,同时自然形成磷硅玻璃层作为掩膜层;S3、背面形成第二半导体开口区;S4、采用激光刻划的方式,对硅片正面进行整面刻蚀,以去除...
  • 本发明属于背接触太阳电池技术领域,具体涉及一种设置组合掩膜层的背接触太阳电池制造方法及其电池,包括:S2、在硅片背面依次形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、第一氧化硅掩膜层、第二多晶硅掩膜层;S3、背面形成隧穿氧化层、N型多晶硅层、第一掺磷氧化硅...
  • 本申请涉及光伏技术领域,特别是一种背接触电池及制备方法、背接触叠层电池和光伏组件。该制备方法首先在基底的第一表面沉积隧穿氧化层和N型掺杂层,并检测沉积后N型掺杂层的接触电阻为Rc1;然后在第一表面沉积第一掩膜层、本征氢化非晶硅层和P型氢化非...
  • 本发明提出了一种高量子效率的可见‑短波红外InGaAs探测器及其制备方法,包括专用读出电路芯片和光敏芯片,光敏芯片从下到上依次由P型接触电极区、钝化层、InP帽层P型区、InP帽层N型区、In0.530.53Ga0.470.47As吸收层、...
  • 本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统,太阳能电池包括:基底,基底的第一表面具有多个交替排布的N型掺杂区和P型掺杂区;N型掺杂区设有N型掺杂层,P型掺杂区设有P型掺杂层;相邻的N型掺杂区和P型掺杂区之间设置有隔离区,隔离区用于隔离N...
  • 本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域。该电池包括:电池基体,位于电池基体的第一主表面的第一掺杂区、第二掺杂区、隔离区和缓冲区;隔离区和缓冲区位于第一掺杂区和第二掺杂区之间,缓冲区位于第一掺杂区和隔离区之间;第...
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