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最新专利技术
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_武汉楚兴技术有限公司_202411034718.2
    本申请提供一种半导体结构及其制备方法，提供衬底，衬底包括多个有源区以及位于相邻的有源区之间的隔离区，在隔离区内形成至少一个凹槽，凹槽的开口位于硅衬底的目标表面，凹槽内形成填充层；在填充层的表面上形成应力调节层；在目标表面和应力调节层的表面上...
    2026-02-14
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512022079.9
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括在衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构位于逻辑区域内，第二栅极结构位于像素区域内；对第一栅极结构两侧的衬底进行离子注入，以在衬底内形成第一源漏区；在衬底上形成第一阻挡层，第一阻挡层还顺...
    2026-02-14
  • 基于导向自组装技术的图像传感器制造方法及制造系统
    基于导向自组装技术的图像传感器制造方法及制造系统_张江国家实验室_202411027206.3
    本发明提供一种基于导向自组装技术的图像传感器制造方法，其通过将导向自组装技术用于晶圆背面的深沟槽图形化工艺并且与光刻技术相结合，从而与传统的利用PTD或NTD光刻技术的深沟槽图形化工艺相比，能够突破光刻技术的分辨率极限，缩小像素间距，提高成...
    2026-02-14
  • 使用CMOS成像器进行低能量光子探测
    使用CMOS成像器进行低能量光子探测_半导体元件工业有限责任公司_202411737360.X
    本公开涉及使用CMOS成像器进行低能量光子探测。用于对低能量光子进行成像的图像传感器、成像系统和方法。该图像传感器包括上转换层、能量发射器和多个硅光电探测器。该上转换层被配置为在上转换层中的电子被充电至亚稳态时响应于红外光而发射可见光。能量...
    2026-02-14
  • 传感器封装及其制造方法
    传感器封装及其制造方法_豪威科技股份有限公司_202511031973.6
    本发明提供一种传感器封装包括电路衬底、传感器管芯、电气连接、介电挡坝、盖体层和包封体。电路衬底包括第一侧、与第一侧相对的第二侧以及从第一侧朝向第二侧凹陷的空腔。传感器管芯设置在空腔内并包括第一侧、在第一侧上的传感区以及与第一侧相对且面向电路...
    2026-02-14
  • 提高电荷转移效率的高速大尺寸像素单元及图像传感器
    提高电荷转移效率的高速大尺寸像素单元及图像传感器_天津大学_202511328066.8
    本发明公开一种提高电荷转移效率的高速大尺寸像素单元及图像传感器。所述高速大尺寸像素单元为基于双PPD和双传输栅的PPD‑TG‑FD像素单元，包括形成N区的两个对称分布的半齿轮状PPD，与半齿轮状PPD配合的互补齿状P区，介于两个半齿轮状PP...
    2026-02-14
  • 2.5D光电芯片堆栈结构的制造方法
    2.5D光电芯片堆栈结构的制造方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411030228.5
    本发明提供一种2.5D光电芯片堆栈结构的制造方法，在进行硅芯片与TGV光电转接板的键合时，分别对TGV光电转接板的待键合面及硅芯片的待键合面进行SPM溶液的表面平坦化处理以及NaOH溶液的表面活化处理，其中，通过SPM溶液的表面平坦化处理可...
    2026-02-14
  • 一种光电集成式半导体封装结构及其制备方法
    一种光电集成式半导体封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411025833.3
    本发明公开了一种光电集成式半导体封装结构及其制备方法，光电集成式半导体封装结构包括第一重新布线层，金属柱位于第一重新布线层上，金属柱的一端与第一重新布线层电连接。光波导层位于第一重新布线层上，设置于金属柱的外围。中介层位于第一重新布线层上，...
    2026-02-14
  • 一种光伏管式高温设备的反应室
    一种光伏管式高温设备的反应室_东莞嘉拓日晟智能科技有限公司_202411043397.2
    本发明公开了一种光伏管式高温设备的反应室，属于光伏电池片制造设备技术领域，所述反应室包括载片舟单元、内腔体单元、加热器单元、隔热单元和外腔体单元，所述内腔体单元、加热器单元、隔热单元和外腔体单元皆为腔体结构，所述载片舟单元、内腔体单元、加热...
    2026-02-14
  • 电池片烧结与光注入一体化设备
    电池片烧结与光注入一体化设备_一道新能源科技股份有限公司_202411044260.9
    本公开涉及电池片生产制造技术领域，提供一种电池片烧结与光注入一体化设备。电池片烧结与光注入一体化设备包括：位置调整模块，所述位置调整模块用于根据电池片的位置信息将所述电池片调整到预设烧结位置处；烧结模块，所述烧结模块用于对电池片进行烧结处理...
    2026-02-14
  • 电池片串接生产线及串接方法
    电池片串接生产线及串接方法_无锡奥特维旭睿科技有限公司_202411050898.3
    本申请实施例公开了一种电池片串接生产线及串接方法。其中，电池片串接生产线包括分选模块、串接模块以及中转模块，中转模块包括至少一个第一AGV和多个识别单元。通过本申请实施例，利用分选模块对电池片进行分类，按照电池片的规格将电池片放入对应的料盒...
    2026-02-14
  • 激光控制方法、装置、存储介质、电子设备及激光机
    激光控制方法、装置、存储介质、电子设备及激光机_一道新能源科技股份有限公司_202411051962.X
    本公开涉及一种激光控制方法、装置、存储介质、电子设备及激光机，该方法包括：获取第一加工时间段内待加工的目标工件的多个电压值，并确定该多个电压值的电压值极差和电压值方差，并根据该电压值极差和该电压值方差，调整该激光机在第二加工时间段内的激光烧...
    2026-02-14
  • 光电探测器的制造方法
    光电探测器的制造方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411056088.9
    本发明提供一种光电探测器的制造方法，先在探测器区上依次形成预刻蚀层和第一介质层，然后形成第二介质层，第二介质层覆盖第一介质层和非探测器区；接着，依次刻蚀探测器区上的第二介质层和第一介质层以形成开口，开口暴露出预刻蚀层；接着，以第二介质层为掩...
    2026-02-14
  • 一种三台面结构雪崩光电二极管制备方法
    一种三台面结构雪崩光电二极管制备方法_北京工业大学_202511366940.7
    一种三台面结构雪崩光电二极管制备方法属于半导体光电器件领域。在半绝缘InP衬底上外延生长多层结构；经切割清洗后，通过光刻与湿法刻蚀形成终止于第二i‑InAlGaAs渐变层的第一台面；在第一台面沉积SiO22掩膜后，采用干法刻蚀与湿法刻蚀相结...
    2026-02-14
  • 一种提升背接触太阳电池双面率的工艺方法
    一种提升背接触太阳电池双面率的工艺方法_长三角太阳能光伏技术创新中心_202511396071.2
    本发明公开了一种提升背接触太阳电池双面率的工艺方法，其步骤包括双面制绒、双面氧化、背面栅线位置激光去除氧化层、抛光、背面氧化层去除、隧穿氧化层/poly层制备、背面掩膜、P区激光开膜、硼扩撒、掩膜清洗、二次掩膜、N区激光开膜、磷扩散、退火、...
    2026-02-14
  • 一种光伏组件制备方法及光伏组件
    一种光伏组件制备方法及光伏组件_无锡奥特维科技股份有限公司_202511488754.0
    本申请提供了一种光伏组件制备方法及光伏组件，包括如下步骤：将第一电池串与第二电池串沿电池串长度方向放置，第一电池串、第二电池串相互靠近的电池片分别为第一电池片和第二端部电池片，第一端部电池片与第二端部电池片之间具有间隙，第一端部电池片、第二...
    2026-02-14
  • 一种太阳能电池边缘钝化方法
    一种太阳能电池边缘钝化方法_湖南红太阳光电科技有限公司_202511532854.9
    本发明公开了一种太阳能电池边缘钝化方法，包括以下步骤：步骤S1、电池片切片后置于料盒内堆叠成垛，再将多个料盒置于舟托上，送入PECVD反应腔室中；步骤S2、将反应腔室升温至100℃～300℃，并抽真空；步骤S3、在电池片边缘沉积钝化层；步骤...
    2026-02-14
  • 背接触太阳能电池制备方法
    背接触太阳能电池制备方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511634254.3
    本申请提供了一种背接触太阳能电池制备方法，包括：将已经完成扩散和刻蚀的电池片等份切割为至少两个分片；对切割后的分片进行表面制绒；对分片的背面、正面进行钝化工艺，并在钝化工艺中于分片的背面、正面和切割面上共同形成钝化层；对形成有钝化层的分片进...
    2026-02-14
  • 一种太阳能光伏板加工用层压设备
    一种太阳能光伏板加工用层压设备_北京兴明钱铭建筑工程有限公司_202511652759.2
    本发明公开了一种太阳能光伏板加工用层压设备，属于光伏板层压技术领域。一种太阳能光伏板加工用层压设备，包括安置箱，还包括：支撑平台，设置在安置箱的一侧，且支撑平台的顶部还设置有带内槽滑台，带内槽滑台的顶部还设置有旋转机械臂，气动夹持加热结构，...
    2026-02-14
  • 一种减轻光伏电池制程中膜层损伤的方法
    一种减轻光伏电池制程中膜层损伤的方法_晋能光伏技术有限责任公司_202511662899.8
    本发明公开了一种减轻光伏电池制程中膜层损伤的方法，涉及太阳能电池领域：具体为控制制绒过程，硅片正背面进行第一次制绒后利用掩膜遮挡板，硅片正背面非遮挡区域沉积SiNx薄膜；将未沉积SiNx薄膜位置的绒面进行抛光处理；抛光后进行第二次制绒，然后...
    2026-02-14
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