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最新专利技术
  • 存储器器件及其形成方法
    存储器器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511444293.7
    本申请的实施例公开了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括第一、第二、第三和第四晶体管以及第一和第二导体。第一晶体管耦合到第一节点并包括第一栅极。第二晶体管耦合到第一节点并包括第二栅极。第三晶体管耦合到第二节点，并且包括在第一方向上与第一栅...
    2026-02-13
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511448241.7
    提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括：形成第一鳍和第二鳍，第一鳍和第二鳍的每个包括与多个牺牲层交错的多个沟道层；在第一鳍和第二鳍上方分别形成第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件，第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件具有不同的栅极长度；形成与第一...
    2026-02-13
  • 芯片封装结构及其制备方法、半导体器件、存储系统、电子设备
    芯片封装结构及其制备方法、半导体器件、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202410985625.1
    本公开提供了一种芯片封装结构及其制备方法、半导体器件、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在降低芯片封装结构的制备工艺难度。芯片封装结构包括衬底、第一导电柱、第一半导体结构和第二导电柱。第一导电柱在衬底内沿第一方向延伸且贯穿衬底，第一...
    2026-02-13
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411019554.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在简化半导体结构的制备工艺。所述半导体结构包括多个电容器、电极层、接触柱、第一键合层、第一键合触点和引出触点。电极层包括电极部，电极部设于多个电容器在第一方...
    2026-02-13
  • 半导体器件及其制作方法、访问方法、电子设备
    半导体器件及其制作方法、访问方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411035283.3
    本公开涉及一种半导体器件及其制作方法、访问方法、电子设备，制作方法包括：提供衬底，交替形成第一牺牲层和半导体层形成叠层结构；在存储区两端的半导体层形成第一掺杂区、第二掺杂区；定义第一子区，去除第一子区与第一掺杂区之间的第一牺牲层，暴露出第一...
    2026-02-13
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411053609.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统，涉及半导体技术领域，旨在降低半导体结构内的晶体管失效的概率，提升半导体结构的良率。所述半导体结构包括晶体管。所述晶体管包括半导体柱和栅极。半导体柱沿第一方向延伸，所述第一方向为所述半...
    2026-02-13
  • 动态随机存取存储器及其制造方法
    动态随机存取存储器及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411380726.2
    本发明提供了一种动态随机存取存储器及其制造方法，该动态随机存取存储器包括：衬底；位线，设置于衬底上；绝缘结构，设置于衬底上，且位于相邻的位线之间，其中每个绝缘结构的下部具有两个凹口，且凹口沿着每个位线的延伸方向而面向彼此；电容接触件(cap...
    2026-02-13
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510428751.1
    一种半导体存储器装置可包括：位线，在第一平面上在第一水平方向上纵向延伸；沟道结构，在沿竖直方向与第一平面分隔开的第二平面上，沟道结构在平面图中在第二水平方向上偏离位线并在竖直方向上不与位线叠置，并且第二水平方向与第一水平方向正交；绝缘结构，...
    2026-02-13
  • 存储器架构中的多步蚀刻
    存储器架构中的多步蚀刻_美光科技公司_202511033046.8
    本申请案涉及存储器架构中的多步蚀刻。可基于多个蚀刻操作来形成半导体装置。在所述半导体装置中形成导电材料之前，可穿过一或多个材料蚀刻第一组腔体。可穿过所述半导体装置的一组多个沟道中的第一沟道及第二沟道的至少一部分蚀刻每一第一腔体。在形成所述导...
    2026-02-13
  • 具有埋藏数字线的存储器装置
    具有埋藏数字线的存储器装置_美光科技公司_202511056724.2
    本公开涉及具有埋藏数字线的存储器装置。各种应用可包含具有存储器装置的设备，其中所述存储器装置包含耦合到存储器装置的存取晶体管的数字线。所述数字线可至少部分埋藏于所述存取晶体管的衬底单元触点的顶面下方。所述衬底单元触点的所述顶面可定位于衬底的...
    2026-02-13
  • 具有层面内存取线驱动器的存储器装置
    具有层面内存取线驱动器的存储器装置_美光科技公司_202511057636.4
    本申请涉及具有层面内存取线驱动器的存储器装置。各种应用可包含具有三维3D存储器装置的设备，所述3D存储器装置具有嵌入在所述3D存储器装置的存储器阵列中的到存取线的子存取线驱动器。到所述存储器阵列中的存储器单元的层面的存取线的子存取线驱动器可...
    2026-02-13
  • 用于高密度存储器的三维圆柱电容及其制备方法
    用于高密度存储器的三维圆柱电容及其制备方法_西安电子科技大学_202511474361.4
    本发明公开了一种用于高密度存储器的三维圆柱电容及其制备方法，属于半导体存储技术领域，该方法包括：提供衬底；在衬底的表面沉积硬掩膜层，并通过光刻定义圆形开口；以圆形开口作为刻蚀掩模，利用动态气体配比组合的刻蚀工艺在衬底内形成圆柱形沟槽；在圆柱...
    2026-02-13
  • 半导体结构
    半导体结构_福建省晋华集成电路有限公司_202511634914.8
    本发明公开了一种半导体结构，包括阶梯状互连结构，可避免互连结构发生线宽紧缩或断线的问题，确保互连结构的导电品质。
    2026-02-13
  • 半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411046311.1
    本发明涉及半导体存储器技术领域，公开了半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统，该半导体结构包括堆叠结构、第一沟道结构、第二绝缘层、顶部选择栅极层及第二沟道结构。堆叠结构包括交替设置的第一绝缘层和第一导电层，第一沟道结构贯穿堆叠结构，第二绝...
    2026-02-13
  • 存储器设备和制造该存储器设备的方法
    存储器设备和制造该存储器设备的方法_爱思开海力士有限公司_202510334132.6
    本文提供一种存储器设备和制造该存储器设备的方法。该存储器设备包括：堆叠结构，其包括在单元阵列区域和接触区域中交替堆叠的多个导电层和多个层间绝缘层；多个单元插塞，其形成在单元阵列区域中的堆叠结构内；多个选择线接触部，其耦合到多个导电层当中的被...
    2026-02-13
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411045147.2
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备。半导体结构的制备方法包括：在衬底上形成介质层组；介质层组包括多个交替分布的第一介质层和第二介质层；刻蚀介质层组，使介质层组的一侧侧壁形成目标斜面；基于目标斜面，横向刻蚀各第二介质层，以于各第二...
    2026-02-13
  • 半导体器件及其制造方法和读写方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法和读写方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411053348.7
    一种半导体器件及其制造方法和读写方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：存储单元，所述存储单元包括读取晶体管和写入晶体管；所述读取晶体管包括第一半导体层、第一栅电极和位于所述第一半导体层与所述第一栅电极之间的栅极绝缘层；所述...
    2026-02-13
  • 一种存储单元及存储器件
    一种存储单元及存储器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511543546.6
    本发明公开了一种存储单元及存储器件，包括：衬底；基体凹槽，从衬底的一侧表面向衬底延伸，其中，基体凹槽底部的一部分内壁上设置有栅绝缘层；半浮栅，填充在基体凹槽的底部，其中，半浮栅的一部分藉由栅绝缘层和衬底隔离，半浮栅的另一部分与衬底接触；栅间...
    2026-02-13
  • 可重构的二维浮栅存储器
    可重构的二维浮栅存储器_华中科技大学_202511584432.6
    本申请公开了可重构的二维浮栅存储器，所述存储器为层状结构，可重构记忆的机制主要依赖于浮栅层材料的光敏特性，即光照可提高其关态电流。在暗态小栅压范围内，浮栅层处于关闭状态，此时存储机制为电容耦合效应，表现为短期记忆；当光照作用下，浮栅层开启，...
    2026-02-13
  • 多比特氧化镓浮栅存储器、其制备方法与应用
    多比特氧化镓浮栅存储器、其制备方法与应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511991185.1
    本发明提供了一种多比特氧化镓浮栅存储器、其制备方法与应用。所述存储器包括：氧化镓层，包括多个氧化镓沟道；源极和漏极；栅介质层，叠设在氧化镓层上；多个浮栅，与氧化镓沟道相应设置；多个控制栅，对应设置在多个浮栅上；隧穿层，设置在控制栅与浮栅之间...
    2026-02-13
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