Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本申请涉及一种晶圆销及晶圆支撑结构。该晶圆销包括:销主体,销主体的一端设有通孔以及与通孔相连的容置腔;弹性组件,置于所述容置腔中;支撑球,置于所述通孔中且滚动支撑在所述弹性组件上;其中,当所述支撑球受压时,所述支撑球在通孔中滚动且压缩所述弹...
  • 本发明涉及晶圆加工技术领域,具体为一种晶圆定位夹持的同心度夹持装置及方法,包括至少三组夹持单元;夹持单元包括驱动模块、传动模块和传感模块;驱动模块包括气缸和用于驱动气缸的独立气路;传动模块包括与气缸活塞杆连接的多连杆机构,此连杆机构的活动端...
  • 本发明公开了一种顶针升降装置及其位置检测方法,实现顶针精准位置的检测、实时异常报警且保障传片安全,以解决滑片问题、提升晶圆存取可靠性。装置包括驱动模块、支架、滑台、挡片、上升位置传感器、下降位置传感器,其中,驱动模块包括马达;滑台、上升位置...
  • 本发明涉及一种应用于晶圆正检的吸盘载台装置及系统,其中,吸盘载台装置包括卡盘机构、吸气机构及主控机构,卡盘机构包括卡盘主体,卡盘主体内部设有多组通气通道,卡盘主体的第一表面设有的多组吸附孔模组按预设的间隔距离沿卡盘主体的中心向卡盘主体的外侧...
  • 本发明涉及一种应用于框架晶圆承载的晶圆卡盘机构、载台装置及系统,其中,晶圆卡盘机构包括卡盘模块和第一吸嘴模块;卡盘模块中的卡盘主体的第一承载盘上设有承托槽,且卡盘主体中的第一通气通道单元连通至承托槽内的第一吸附孔单元,而与第二通气通道单元连...
  • 本发明涉及一种晶圆卡盘机构、晶圆载台装置及系统,其中,晶圆卡盘机构包括第二卡盘主体,其中设有第二通气通道单元,在距离第二卡盘主体的中心预设间距的位置设有承托槽,承托槽的槽内设有第二吸附孔单元,第二吸附孔单元与第二通气通道单元连通;第二卡盘主...
  • 本发明提供一种晶圆键合装置、晶圆键合方法、晶圆键合装置的加工方法及一种计算机可读存储介质。所述晶圆键合装置包括:吸嘴座,包括抽气通道及安装平台,安装平台包括第一台阶及第二台阶,其中,所述第一台阶的上表面与所述第二台阶的上表面相互平行,所述第...
  • 本发明公开了一种晶圆定位平台、晶圆定位方法,晶圆定位平台包括升降板、晶圆定位机构和晶圆旋转加热吸附承载台,晶圆定位机构包括多个环设在晶圆旋转加热吸附承载台外周并同步运动的顶爪组件,多个顶爪组件在打开状态下上升至晶圆外侧,顶爪组件从打开状态切...
  • 本发明提供一种半导体测试结构及测试方法,该测试结构包括基底、虚拟栅极组及测试区,其中,虚拟栅极组位于基底上方,包括在第一方向上具有间距且均至少沿第二方向延伸的第一虚拟栅极及第二虚拟栅极,第二方向垂直于第一方向,测试区形成于基底中,且测试区在...
  • 本发明提出一种具有复合式旋转升降结构的晶圆检测设备及检测方法,该设备包括包括外部支撑组件、内部支撑组件、横向移载组件、旋转升降组件、晶圆载托组件及扫描检测组件,该晶圆检测设备采用旋转电机通过齿轮传动结构驱动旋转内筒带动花键筒旋转,同时升降电...
  • 本发明涉及光伏组件管理的技术领域,具体为一种切片双玻光伏组件的低损耗集成方法,包括:构建切片组件基础结构并确定重组区间;并分别建立代重组区间集合以及空队列,并分别确定队列的头尾元素,根据队列中的元素与待重组区间集合中的区间的余弦相似度,进行...
  • 本发明公开了一种基于高精度气浮式单轴螺旋运动的大中空检测装置及方法,涉及超高精度检测设备技术领域,其包括:直线驱动组件,具有至少一直线位移动能输出端;旋转驱动组件,具有定位基础部以及旋转装配设于所述定位基础部的旋转动能输出端,所述定位基础部...
  • 本发明公开一种晶圆检测装置及方法,装置包括依次叠设的基座、减震组件和装置主体,装置主体含安装框架及其上的顶升、位移旋转、读码寻边、厚度量测组件;位移旋转组件包括Y轴运动机构与滑动设置于其上的回转机构,Y轴运动机构上设第一、第二工位,回转机构...
  • 本公开实施例提供了一种用于检测薄膜沉积异常的装置和方法,该装置包括:第一测量单元,被配置为用于在薄膜沉积工艺之前,测量半导体晶圆的预沉积翘曲度;第二测量单元,被配置为用于在所述薄膜沉积工艺之后,测量所述半导体晶圆的后沉积翘曲度;以及处理器,...
  • 本发明公开了一种利用PFG监控离子注入过程中金属污染的方法及离子注入机PFG金属污染监控系统。方法包括:提供一P型半导体晶圆,所述P型半导体晶圆经离子注入、退火处理;在离子注入处理中采用等离子枪作为电子源中和所述P型半导体晶圆表面的正电荷;...
  • 本发明提供了一种工艺腔室的判定方法及装置,属于半导体制造技术领域。工艺腔室的判定方法,包括:提供衬底硅片,对衬底硅片的M个区域的金属污染值进行测量,得到第一测量结果;固定所述衬底硅片的V‑型槽位置,通过多个工艺腔室在所述衬底硅片上制备外延层...
  • 本发明公开了一种集成电路动态裂纹检测系统,包括:芯片,所述芯片设置有工作区域,所述工作区域设置有至少一个核心功能IP和至少一个非核心功能IP;检测环单元,围绕所述工作区域边缘、所述核心功能IP的边缘和所述非核心功能IP的边缘布置,其被配置为...
  • 本发明提供了一种晶圆抽片检测管理方法、系统、电子设备和存储介质,该方法包括:根据晶圆生产线上的各个工程站点的设备信息和各个缺陷检测站点的位置信息,创建数据库;针对每个缺陷检测站点,根据数据库确定出该缺陷检测站点所对应的所有工程站点;根据各批...
  • 本发明涉及半导体检测技术领域,提供一种半导体晶圆薄膜厚度的检测方法、装置和系统。该方法包括:在发射光路中,向半导体反应腔内的晶圆表面发射入射光束;在主接收光路中,获取晶圆表面反射的主通道信号,主接收光路与发射光路在晶圆表面形成共焦关系;对主...
  • 本申请提供了一种漏电监测结构及方法,属于半导体技术领域,包括第一监测结构和第二监测结构,第一监测结构包括第一阱区、第一隔离结构及第一有源区,第一有源区的周长与MOS管的有源区的周长相等或与MOS管的有源区内的源区和漏区的周长之和相等;第二监...
技术分类