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最新专利技术
  • 一种渐变膜层消色差光学薄膜的制备方法
    一种渐变膜层消色差光学薄膜的制备方法_深圳菲比特光电科技有限公司_202511983921.9
    本申请涉及光学镀膜技术领域，具体公开了一种渐变膜层消色差光学薄膜的制备方法，包括如下步骤：S1、基底经清洗预处理，得到预处理基底；S2、预处理基底表面交替沉积二氧化硅层和二氧化钛层，总沉积4‑6层，得到覆膜玻璃；S3、覆膜玻璃采用离子束抛光...
    2026-03-22
  • 一种加热冷却集成型八边溅射机
    一种加热冷却集成型八边溅射机_苏州佑伦真空设备科技有限公司_202511998497.5
    本发明涉及溅射技术领域，具体为一种加热冷却集成型八边溅射机，包括主腔体以及安装在其外侧的反应腔，且主腔体的前侧中部位置安装有处理腔，而且处理腔的上方固定有相机，所述主腔体的内部安装有夹送运输机构，所述处理腔的左右两侧均设置有与主腔体相连接的...
    2026-03-22
  • 高效冷却磁控溅射源、磁控溅射镀膜设备及冷却优化方法
    高效冷却磁控溅射源、磁控溅射镀膜设备及冷却优化方法_烟台先进材料与绿色制造山东省实验室_202512016032.1
    本发明公开了一种高效冷却磁控溅射源、磁控溅射镀膜设备及冷却优化方法，涉及薄膜气相沉积技术领域，高效冷却磁控溅射源包括磁控溅射靶和设于其一侧的冷却板，所述冷却板和所述磁控溅射靶紧密贴合，所述冷却板由高热导性材料制成，所述冷却板远离所述磁控溅射...
    2026-03-22
  • 一种具有基材翻面旋转机构的真空镀膜机
    一种具有基材翻面旋转机构的真空镀膜机_武汉麦韦光学科技有限公司_202511425115.X
    本发明公开了一种具有基材翻面旋转机构的真空镀膜机，涉及镀膜技术领域，左侧所述夹持适应机构包括固定连接在连接盘右侧上的四个连接杆、气缸和两个固定条，四个所述连接杆的右端之间固定连接有挡板，所述气缸的输出端固定连接有传动块，所述传动块的顶部固定...
    2026-03-22
  • 一种基于自反馈的光学材料镀膜系统及方法
    一种基于自反馈的光学材料镀膜系统及方法_吉林省巨程智造光电技术有限公司_202511970535.6
    本发明涉及光学材料镀膜技术领域，提供了一种基于自反馈的光学材料镀膜系统及方法，包括机体，机体上开设有机腔，机腔内设有激光镀膜机构、加工台机构和活动清洁机构；所述加工机构包括加工板，加工板固接于机腔内壁，加工板上开设有两个以上容纳槽；所述清洁...
    2026-03-22
  • 基于纳米增强的高稳定性蓝宝石摆片处理系统
    基于纳米增强的高稳定性蓝宝石摆片处理系统_北京星箭传感器科技有限公司_202511358483.7
    本发明提供基于纳米增强的高稳定性蓝宝石摆片处理系统，通过中央控制单元与五个功能模块的协同作用，使纳米材料分散处理、激光蚀刻、镀膜沉积等关键工序形成闭环反馈机制，通过预处理模块的纳米复合浆料均匀化处理结合光子控制模块的精密图案化蚀刻工艺，显著...
    2026-03-22
  • 一种蒸镀功率调控装置、方法与系统
    一种蒸镀功率调控装置、方法与系统_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511519601.8
    本发明的蒸镀功率调控装置包括驱动电子枪、感温组件、状态计算组件和功率控制组件。驱动电子枪设置于蒸镀腔体内部并位于金属源的一侧。感温组件设置于蒸镀腔体内部并位于金属源的斜上方和/或斜下方。状态计算组件与感温组件通信连接。功率控制组件分别与状态...
    2026-03-22
  • 一种融合红外测温的光学薄膜镀膜温度控制方法及系统
    一种融合红外测温的光学薄膜镀膜温度控制方法及系统_唐山斯腾光电科技有限公司_202511585577.8
    本申请涉及真空镀膜机技术领域，具体公开了一种融合红外测温的光学薄膜镀膜温度控制方法及系统。该方法包括：根据目标膜系工艺要求与基片几何特征选择温度监测策略，调用基片质量映射模型、测量角度集及角度‑区域映射表；在镀膜过程中遍历测量角度集采集温度...
    2026-03-22
  • 一种腔体真空扫除器
    一种腔体真空扫除器_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511600533.8
    本发明公开了一种腔体真空扫除器，具体涉及工业清洁技术领域，本发明的一种腔体真空扫除器，包括吸嘴、金属管、密封螺栓、快插接头、接口和手柄，金属管由九组并经过密封螺栓螺纹相连装配而成，金属管的两端分别贯穿设置在吸嘴和快插接头的内部，手柄固定安装...
    2026-03-22
  • 一种玻璃制品表面加工用真空镀膜机
    一种玻璃制品表面加工用真空镀膜机_扬州军信工艺品有限公司_202511659478.X
    本发明公开了一种玻璃制品表面加工用真空镀膜机，涉及真空镀膜技术领域，包括固定舱筒、活动舱筒、抽空机组、托架组件、若干工件架和电控单元，所述活动舱筒安装在固定舱筒上，所述托架组件与工件架设置于活动舱筒中，所述抽空机组与固定舱筒相连接，所述电控...
    2026-03-22
  • 一种干法制备单壁碳纳米管透明导电薄膜的装置、制备方法和应用
    一种干法制备单壁碳纳米管透明导电薄膜的装置、制备方法和应用_江西铜业技术研究院有限公司_202511661578.6
    本发明公开了一种干法制备单壁碳纳米管透明导电薄膜的装置、制备方法和应用。所述装置包括依次连通设置的预热区、高温反应区、掺杂区和成膜区；本发明将预热的所述包含碳源的混合气体与催化剂进行反应，并将掺杂剂与所述气溶胶充分接触后形成离子掺杂气溶胶后...
    2026-03-22
  • 一种金刚石表面石墨烯保护层的制备方法及金刚石制品
    一种金刚石表面石墨烯保护层的制备方法及金刚石制品_清华大学深圳国际研究生院_202511870958.0
    本发明公开一种金刚石表面石墨烯保护层的制备方法及金刚石制品，涉及到表面改性与耐腐蚀涂层技术领域。本发明通过低温等离子体辅助化学气相沉积技术直接在金刚石表面原位形成的石墨烯保护层，其与金刚石基体之间形成了稳定的界面结合。界面结合不仅包括物理吸...
    2026-03-22
  • 一种二维简并半导体薄膜材料及其制备方法与应用
    一种二维简并半导体薄膜材料及其制备方法与应用_华中科技大学_202511493768.1
    本发明属于二维材料相关技术领域，其公开了一种二维简并半导体薄膜材料及其制备方法与应用，步骤为：S1，在基底上均匀地旋涂铌盐化合物溶液；S2，基于得到的所述基底，采用化学气相沉积的方法制备得到二维简并半导体薄膜材料，具体为：在氩气气氛的管式炉...
    2026-03-22
  • 氮化钛薄膜生长方法及生长机台
    氮化钛薄膜生长方法及生长机台_上海稷以科技有限公司_202511615010.0
    本发明提出了一种氮化钛薄膜生长方法及生长机台，该生长方法包括：步骤S1、在晶圆的表面沉积设定厚度H0的氮化钛薄膜后，之后进行除杂修复；步骤S2、重复步骤S1，至氮化钛薄膜的沉积厚度为厚度H；H＞H0。本发明使得生长的氮化钛薄膜杂质较少，且体...
    2026-03-22
  • 前体供应容器
    前体供应容器_ASMIP私人控股有限公司_202511008593.0
    公开了一种前体供应容器。前体供应容器包括顶壁、底壁和侧壁；配置和布置成加热顶壁的顶壁加热器、配置和布置成加热底壁的底壁加热器以及配置和布置成加热侧壁的侧壁加热器。加热器中的每个是独立可控的。
    2026-03-22
  • 去除MPCVD设备内壁涂层的方法
    去除MPCVD设备内壁涂层的方法_中南钻石有限公司_202511555613.6
    本发明公开了去除MPCVD设备内壁涂层的方法，具体为：将醇溶液与水溶液混合，放入鼓泡装置中；关上MPCVD设备腔体门，对腔体进行抽真空；打开鼓泡装置上的氢气阀门，氢气进入鼓泡装置中，使得氢气携带挥发的醇水混合液进入MPCVD设备的反应室，并...
    2026-03-22
  • 半导体设备中基于累计膜厚的清洁方法和装置
    半导体设备中基于累计膜厚的清洁方法和装置_拓荆科技股份有限公司_202511579348.5
    本发明公开了一种半导体设备中基于累计膜厚的清洁方法，满足高精度、多工艺混合生产场景(如DRAM产线SiO22/SiNxx混产)对腔室清洁的精准性要求，适配多工艺场景、兼顾精度与效率。方法包括：对单次工艺膜厚增量进行累加，得到腔室壁累计的膜厚...
    2026-03-22
  • 一种纳米包覆材料的CVD流化制备装置及方法
    一种纳米包覆材料的CVD流化制备装置及方法_安徽清致科技发展有限公司_202511677830.2
    本发明涉及流化床技术领域，具体公开了一种纳米包覆材料的CVD流化制备装置及方法，包括：固定筒；气体分布环，所述固定筒内活动安装有气体分布环，所述气体分布环与固定筒之间连接有若干弹性件一。本发明中，堆积在气体分布环上的颗粒在重力作用下使气体分...
    2026-03-22
  • 气箱、控制方法、薄膜沉积设备及存储介质
    气箱、控制方法、薄膜沉积设备及存储介质_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511952156.4
    本发明提供了气箱、薄膜沉积设备、控制方法及存储介质。所述气箱包括箱体、冷风管路、汽化检测仪及控制器。所述箱体的箱壁设有进风口，而其内部设有前驱体的汽化器。所述冷风管路的第一端连接冷风源，其第二端连接所述箱体的进风口，而其内部设有阀门。所述汽...
    2026-03-22
  • 一种薄膜沉积原料、覆膜件及含硅膜沉积方法
    一种薄膜沉积原料、覆膜件及含硅膜沉积方法_深圳新宙邦科技股份有限公司_202411006575.4
    为克服现有原子层沉积含硅膜时存在沉积速率低和成膜质量不足的问题，本发明提供了一种薄膜沉积原料，包括主材料和掺杂物，所述主材料选自烷基取代氨基硅烷，所述掺杂物选自结构式1所示的含氧硅烷；。同时，本发明还公开了一种覆膜件及含硅膜沉积方法。本发明...
    2026-03-22
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