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最新专利技术
  • 封装基板的制造方法
    封装基板的制造方法_深圳大学_202511271417.6
    本发明涉及封装基板技术领域，公开了一种封装基板的制造方法，包括：提供基板原材；在基板原材上形成通孔；通过超声喷雾热解工艺在通孔侧壁形成种子层；采用金属导电材料填充通孔, 使得所述金属导电材料附着于所述种子层上。本发明的封装基板的制造方法中，...
    2026-01-26
  • 一种CCGA封装器件植柱工装及植柱方法
    一种CCGA封装器件植柱工装及植柱方法_贵州航天电子科技有限公司_202511283491.X
    本发明公开了一种CCGA封装器件植柱工装及植柱方法，所述植柱工装包括由上至下依次设置的供料仓、导向板、约束板、限位板和底座，所述底座上设置凹槽，所述限位板上设置限位孔。本发明通过导向板使离散状态下焊柱转向为受约束的倾斜状态，解决了焊柱填充难...
    2026-01-26
  • 转接板及其形成方法
    转接板及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511452879.8
    本公开提供了一种转接板及其形成方法，所述转接板的形成方法包括：提供玻璃基板；在所述玻璃基板中形成多个第一通孔；所述多个第一通孔均从所述玻璃基板的顶面沿第一方向延伸至所述玻璃基板中；所述第一方向为所述玻璃基板的厚度方向；形成填充所述多个第一通...
    2026-01-26
  • 一种芯片扇出型面板级封装工艺
    一种芯片扇出型面板级封装工艺_合肥矽迈微电子科技有限公司_202511528729.0
    本发明公开了一种芯片扇出型面板级封装工艺，包括以下步骤：引脚包封：在基板上相应位置电镀引脚，包封引脚；覆基底层：包封引脚后在包封料固化前于包封顶面覆上基底层，基底层与包封料固化为一体，基底层表面外露于包封料；蚀刻基底层：干膜贴合后曝光显影，...
    2026-01-26
  • 一种封装基板的制作方法
    一种封装基板的制作方法_威海新佳电子有限公司_202511672469.4
    本发明公开了一种封装基板的制作方法，包括以下步骤：提供第一生瓷片与第二生瓷片；在第一生瓷片的预设区域印刷电阻浆料并烧结固化，形成作为温度传感单元的电阻；在第二生瓷片的预设位置加工通孔；向通孔内填充导体浆料并烧结固化，形成孔内金属；将第一生瓷...
    2026-01-26
  • 一种弹性模量可编程柔性基底的制备方法
    一种弹性模量可编程柔性基底的制备方法_浙江大学_202511392765.9
    本发明公开了一种弹性模量可编程柔性基底的制备方法。包括：将弹性体预聚物与相应固化剂混合后搅拌并真空脱泡，再旋涂于覆有聚合物膜的基板表面并加热固化；经等离子处理后再在其表面旋涂光固化胶；采用激光按照预设计图案照射光固化胶区域，调节不同区域的激...
    2026-01-26
  • 一种三维封装结构以及三维封装方法
    一种三维封装结构以及三维封装方法_恒玄科技(上海)股份有限公司_202511543040.5
    本申请公开了一种三维封装结构以及三维封装方法，三维封装结构包括内存封装片和封装体；所述封装体包括：基板、第一晶粒和第一锡球；所述第一晶粒与所述第一锡球位于所述基板的同一侧，所述内存封装片覆盖所述第一晶粒和第一锡球；所述第一晶粒与所述基板的第...
    2026-01-26
  • 基板以及半导体功率模块
    基板以及半导体功率模块_无锡华润华晶微电子有限公司_202410883024.X
    本发明提供一种基板和一种半导体功率模块。所述基板表面的金属层包括依次排列的第一、第二、第三和第四芯片安装区，第一和第四芯片安装区用于安装上桥芯片，第二和第三芯片安装区用于安装下桥芯片；金属层还包括第一和第二栅极驱动信号母排；第一栅极驱动信号...
    2026-01-26
  • 背部供电电路的封装结构及封装方法
    背部供电电路的封装结构及封装方法_上海天数智芯半导体股份有限公司_202511413300.7
    本申请提供了一种背部供电电路的封装结构及封装方法，该封装结构包括：第一再分布中间层、第二再分布中间层和第一导电材料；第一再分布中间层和第二再分布中间层设置在沿背部供电电路的封装结构垂直方向的相对两侧；第一再分布中间层配置为分离背部供电电路的...
    2026-01-26
  • 扇出型晶圆级封装单元
    扇出型晶圆级封装单元_华东科技股份有限公司_202410931422.4
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元，包括载板、至少一第一裸晶、第一介电层、多条第一导接线路、第二介电层、多条第二导接线路及至少一第二裸晶；其中各第一裸晶第二面的垂直芯片区域界定为芯片区域；其中该第二介电层具有供各第二导接线路对外露出而形成焊...
    2026-01-26
  • 一种模组化叠构基板及其制作方法
    一种模组化叠构基板及其制作方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511942042.1
    本发明涉及封装基板领域，特别涉及一种模组化叠构基板及其制作方法。包括第一子封装基板和第二子封装基板；第一子封装基板与第二子封装基板通过焊球连接，第一子封装基板和第二子封装基板之间含有填充胶；第一子封装基板含有玻璃芯板，玻璃芯板和第一子封装基...
    2026-01-26
  • 金属预制片、半导体器件及封装方法
    金属预制片、半导体器件及封装方法_深圳芯源新材料有限公司_202511936428.1
    本申请涉及一种金属预制片、半导体器件及封装方法，所述金属预制片中第一烧结层设置在金属层的第一面；第二烧结层设置在金属层的第二面；热分解键合胶至少设置在第一烧结层或第二烧结层上，热分解键合胶将第一烧结层预固定在待贴装芯片或将第二烧结层预固定在...
    2026-01-26
  • 半导体结构
    半导体结构_福建省晋华集成电路有限公司_202511600360.X
    本发明公开了半导体结构，包括焊盘阵列。焊盘阵列包括多个焊盘、焊盘边界、多个第二分支及至少一第一周围焊盘。焊盘排列成多行。焊盘边界设置在所有焊盘外侧，包括多个第一分支。第二分支与第一分支交替排列。至少一第一周围焊盘位在第一分支与焊盘之间，并且...
    2026-01-26
  • 一种集成电路制造芯片封装装置及方法
    一种集成电路制造芯片封装装置及方法_安徽创瑞电子有限公司_202511538153.6
    本发明涉及集成电路芯片封装技术领域，提供了一种集成电路制造芯片封装装置及方法，包括工作台及其左端的模压机和储存筒；模压机的顶部设有上模，位于工作台左侧固定台的正上方；所述工作台的右侧上端设有底座，为上开口的盒体结构，所述固定台的上方设有与载...
    2026-01-26
  • 芯片封装方法、装置、设备及存储介质
    芯片封装方法、装置、设备及存储介质_广东长华科技有限公司_202511540710.8
    本申请提供了一种芯片封装方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：利用压敏材料在第一载板上沉积一层形变感知层，得到第二载板；在第二载板上贴装裸装芯片并进行模塑，得到第一封装体，并对形变感知层进行电阻测量，根据测量结果确定第一封装体的形变数据；...
    2026-01-26
  • 一种封装基板加工方法以及封装基板
    一种封装基板加工方法以及封装基板_渠梁电子有限公司_202511922919.0
    本发明公开了一种封装基板加工方法以及封装基板，包括以下步骤：提供载板；在释放层背离载板的一侧贴合溅镀金属层，并在溅镀金属层背离载板的一侧划分桥接区和连接中介区，连接中介区位于桥接区外围，且连接中介区紧邻桥接区；提供一模块芯片，将模块芯片通过...
    2026-01-26
  • 塑封型SIP产品及其制备方法
    塑封型SIP产品及其制备方法_歌尔微电子股份有限公司_202511289954.3
    本发明提供一种塑封型SIP产品及其制备方法，其中的塑封型SIP产品包括基板和设置在所述基板上的外接器件，在所述基板上设置有覆盖所述外接器件的塑封体，在所述外接器件上形成有内接端和外接端；其中，所述内接端与所述基板电性连接；所述外接端贯穿所述...
    2026-01-26
  • 多晶粒封装结构、芯片、电子设备及封装方法
    多晶粒封装结构、芯片、电子设备及封装方法_恒玄科技(上海)股份有限公司_202511540417.1
    本申请提供一种多晶粒封装结构、芯片、电子设备及封装方法。多晶粒封装结构包括：第一晶粒、第二晶粒、基板；所述第一晶粒与所述第二晶粒之间通过凸点焊接；所述第一晶粒与所述第二晶粒之间填充有绝缘胶；所述第一晶粒设置于所述基板上；所述第一晶粒的金属衬...
    2026-01-26
  • 一种光伏二极管封装结构、大光伏板
    一种光伏二极管封装结构、大光伏板_南通皋鑫科技开发有限公司_202511827601.4
    本发明涉及一种光伏二极管封装结构、大光伏板，所述封装结构包括至少两个芯片，各芯片共封装框架，所述芯片封装在封装框架上，形成光伏二极管。所述大光伏板上安装有若干光伏二极管，多个二极管封装在一起、采用光伏二极管封装结构。实现将多个光伏二极管封装...
    2026-01-26
  • 封装用陶瓷件及其制造方法
    封装用陶瓷件及其制造方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511526488.6
    本发明提供一种封装用陶瓷件及其制造方法，封装用陶瓷件主体为圆形或多棱柱形的陶瓷柱体，中心有空腔，空腔内侧壁和陶瓷柱体外侧壁覆有金属化层，陶瓷柱体外径在1mm到5mm之间，内、外金属化层厚度在0.05mm到0.1mm之间。本发明采用多层共烧陶...
    2026-01-26
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