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最新专利技术
  • 一种热电器件的制作方法
    一种热电器件的制作方法_浙江大学_202511891931.X
    本发明公开了一种热电器件的制作方法，涉及热电器件技术领域，制作方法包括：提供基板，基板具有相对设置的第一面和第二面，基板上形成多个通孔组，通孔组包括N型电极通孔和P型电极通孔，P型电极通孔和N型电极通孔均贯穿基板；在多个通孔组位于第一面上的...
    2026-04-27
  • 基于弹性波驱动的压电半导体数据存储器及其制备方法
    基于弹性波驱动的压电半导体数据存储器及其制备方法_华中科技大学_202511423338.2
    本发明提出一种基于弹性波驱动的压电半导体数据存储器及其制备方法，当受到高频大载荷激励时，弹性波在压电半导体介质中传播，会引发强烈的非线性电声耦合效应，在波阵面前方生成类孤子电学结构：在单个周期内，多数载流子于波前局部累积后形成低电阻区域，该...
    2026-04-27
  • 一种磁性随机存储器的测试结构制备方法及测试结构
    一种磁性随机存储器的测试结构制备方法及测试结构_浙江驰拓科技有限公司_202410944171.3
    本发明公开了一种磁性随机存储器的测试结构制备方法及测试结构，应用于缺陷检测领域，包括：提供一个未经刻蚀的待测MTJ膜，在待测MTJ膜的上表面制备第一连通层；待测MTJ膜为未额外连接MTJ膜的独立结构；第一连通层中设置有暴露出待测MTJ膜的连...
    2026-04-27
  • 磁性隧道结及其参考层和SOT-MRAM
    磁性隧道结及其参考层和SOT-MRAM_浙江驰拓科技有限公司_202410953176.2
    本发明提供一种磁性隧道结及其参考层和SOT‑MRAM，其中磁性隧道结参考层包括：铁磁结构层；铁磁结构层包括至少一个堆叠层单元，堆叠层单元包括第一增强层、基础参考层和第二增强层中的至少两种；第一增强层中含有铁元素，第二增强层中含有钴元素，所述...
    2026-04-27
  • 一种轨道矩磁性存储器及其制备方法
    一种轨道矩磁性存储器及其制备方法_天津工业大学_202511893337.4
    本发明提供了一种轨道矩磁性存储器及其制备方法，所述轨道矩磁性存储器包括从下至上依次设置的衬底、轨道霍尔层、自由层、势垒层、定扎层，轨道霍尔层包括上下设置的金属层和FeMn层，自由层包括上下设置的第一Co22Fe66B22层和Fe33GaTe...
    2026-04-27
  • 一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用
    一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用_西北工业大学_202511927219.0
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用，异质结包括在晶面取向为(001)的SrTiO33基片表面外延生长的SrIrO33单晶薄膜，及外延生长于SrIrO33单晶薄膜表面的SmNiO33单晶...
    2026-04-27
  • 三维磁场监控器件及其制造方法
    三维磁场监控器件及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511405238.7
    本发明提供一种三维磁场监控器件及其制造方法。该器件包括：设置在半导体衬底内的水平霍尔器件、至少一个垂直霍尔器件以及用于将二者隔离的隔离结构。其中，水平霍尔器件的有源区为具有第一导电类型的第一掺杂区，垂直霍尔器件的有源区为具有相同导电类型的第...
    2026-04-27
  • 电阻式存储单元及其制作方法
    电阻式存储单元及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411055374.3
    本发明涉及电阻式存储单元，包含基底；下电极层，设置于该基底上；切换层，设置于该下电极层上，以及上电极层，设定于该切换层上，其中，该切换层包含局部掺杂区。该局部掺杂区的组成不同于该局部掺杂区外的该切换层的组成。
    2026-04-27
  • 一种晶圆级MoS2薄膜垂直结构忆阻器的制备方法
    一种晶圆级MoS2薄膜垂直结构忆阻器的制备方法_南昌大学_202511360494.9
    本发明涉及半导体材料与器件技术领域，具体涉及一种晶圆级MoS22薄膜垂直结构忆阻器的制备方法。在本发明中，通过磁控溅射法在基片上沉积MoS22薄膜，结合化学气相沉积技术，使用含硫物质和铵盐为前驱体进行硫化，获得晶圆级MoS22晶体薄膜。利用...
    2026-04-27
  • 一种基于RRAM的堆叠型单器件及其实现2-bit向量乘积的方法
    一种基于RRAM的堆叠型单器件及其实现2-bit向量乘积的方法_华东师范大学_202511423380.4
    一种基于RRAM的堆叠型单器件及其实现2‑bit向量乘积的方法，器件背栅和背栅介电层为最底层，背栅介电层与底电极相连，底电极、中间电极、顶电极之间各有一层阻变层，中间电极分为左中间电极和右中间电极。所述的顶电极、中间电极、底电极及阻变层堆叠...
    2026-04-27
  • 一种基于晶格失配驱动的钙钛矿型过渡金属氧化物器件及其制备方法和应用
    一种基于晶格失配驱动的钙钛矿型过渡金属氧化物器件及其制备方法和应用_武汉理工大学_202511608941.8
    本发明涉及半导体晶片技术领域，尤其涉及一种基于晶格失配驱动的钙钛矿型过渡金属氧化物器件及其制备方法和应用，包括：S1、将STO衬底进行清洗，得到预处理后STO衬底；S2、采用脉冲激光沉积法在预处理后STO衬底表面沉积功能层，利用图形化电极引...
    2026-04-27
  • 光电突触器件及其制备方法
    光电突触器件及其制备方法_上海理工大学_202511495824.5
    本申请实施例提供一种光电突触器件及其制备方法，涉及光电技术领域，该光电突触器件包括衬底层；位于所述衬底层上方的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间的空白区域为沟道区；金属纳米颗粒层，位于所述沟道区；二维半导体层，覆盖所述金属纳米颗粒层及所...
    2026-04-27
  • 一种基于玻璃基微纳米毛细管的纳流体忆阻器及其制备方法和应用
    一种基于玻璃基微纳米毛细管的纳流体忆阻器及其制备方法和应用_中国科学院理化技术研究所_202511532339.0
    本发明涉及用于神经形态计算所需器件的制备领域。更具体地，涉及一种基于玻璃基微纳米毛细管的纳流体忆阻器及其制备方法和应用。所述纳流体忆阻器包括疏水修饰的微纳米毛细管和界面改性剂；其中，所述界面改性剂中包含氢键供体和去离子水。该纳流体忆阻器兼具...
    2026-04-27
  • 一种高良率存算一体阵列及其制备方法
    一种高良率存算一体阵列及其制备方法_南京大学_202511504728.2
    本发明公开了一种高良率存算一体阵列及其制备方法，所述阵列包括衬底、场效应晶体管、阻挡层与阻变存储器；为一晶体管‑一忆阻器的1T1R阵列，制备方法包括：在衬底上制备设计好图案的底电极；在底电极表面使用原子层沉积氧化铪，作为介质层；在沉积完成的...
    2026-04-27
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410940549.2
    本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底的表面形成硬掩膜层，刻蚀所述衬底和所述硬掩膜层形成深沟槽，所述深沟槽的侧壁包括带有尖角的突起部；对所述深沟槽的侧壁和底部进行掺杂，形成掺杂层；以及去除所述掺杂层。本申请还提供一种...
    2026-04-27
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410948598.0
    本公开提供了半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底；位于衬底上方的支撑结构以及间隔排布的电容孔，电容孔贯穿支撑结构；位于电容孔内的下电极，其中，下电极包括第一下电极层、第二下电极层和第三下电极层，第一下...
    2026-04-27
  • 一种晶圆背金之方法
    一种晶圆背金之方法_重庆凌芯微电子有限公司_202511680904.8
    本发明公开了一种晶圆背金之方法，确认待作业晶圆的背面已完成抛光作业或蚀刻作业，其中背面抛光作业后晶圆背面的表面粗糙度Ra范围为0.1‑0.5μm区间，背面蚀刻作业的蚀刻深度为5‑20μm；本发明通过创新的低温无加热设计、纯公转镀锅结构及动态...
    2026-04-27
  • 一种硅基氮化物薄膜及其制备方法、半导体器件
    一种硅基氮化物薄膜及其制备方法、半导体器件_南昌大学_202511456919.6
    本申请涉及硅基氮化物薄膜及其制备方法、半导体器件，制备方法包括：提供硅衬底，将硅衬底置于反应腔中；向反应腔中通入氢气以对硅衬底进行表面预处理；向反应腔中通入氮源气体以在硅衬底表面形成氮化层；向反应腔中通入铝源气体，以使氮化层表面的氮原子与铝...
    2026-04-27
  • 一种氮化镓外延结构及其制备方法
    一种氮化镓外延结构及其制备方法_广汽埃安新能源汽车股份有限公司_202511506157.6
    本申请涉及一种氮化镓外延结构及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。该氮化镓外延结构的制备方法包括以下步骤：于衬底层的表面沉积形成SiO22掩膜，SiO22掩膜具有窗口区域，至少部分衬底层由窗口区域露出；于SiO22掩膜背离衬底层的表面沉...
    2026-04-27
  • 栅极氧化层及栅极的制备方法
    栅极氧化层及栅极的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410924076.7
    本发明提供一种栅极氧化层及栅极的制备方法，在形成第一栅极氧化层后，通过在第二功能区的第一栅极氧化层表面上形成抑制ALD材料层，该抑制ALD材料层可以有效抑制ALD工艺在其表面成膜，所以ALD工艺形成的第二栅极氧化层会在第一功能区成膜而不会在...
    2026-04-27
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