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最新专利技术
  • 一种压电振动器件及其制备方法
    一种压电振动器件及其制备方法_北京晨晶电子有限公司_202511365524.5
    本发明提供一种压电振动器件及其制备方法，属于压电晶体器件技术领域，压电振动器件包括：盖板、底板和功能层，所述功能层位于所述盖板和所述底板之间；所述功能层和所述盖板的键合面上，所述功能层的键合环与所述盖板的键合环相互键合，所述功能层和所述底板...
    2026-05-11
  • 一种具有双面测试电极的压电振动基板
    一种具有双面测试电极的压电振动基板_北京晨晶电子有限公司_202511365581.3
    本发明提供一种具有双面测试电极的压电振动基板，所述具有双面测试电极的压电振动基板包括框部、振动片、激励电极、安装电极和测试电极，振动片包括基端部和一对振动臂，振动臂沿振动片的长度方向延伸，基端部的一端与框部连接，基端部的另一端与振动臂连接，...
    2026-05-11
  • 一种压电振动基板
    一种压电振动基板_北京晨晶电子有限公司_202511365614.4
    本发明提供一种压电振动基板，所述压电振动基板包括框体、振动片和连接件，振动片包括基部和振动臂，基部的一端与振动臂相连，连接件包括断裂部，框体、断裂部和基部沿振动臂的延伸方向依次相连，断裂部在外力作用时可断开以使基部与框体分离，断裂部通过湿法...
    2026-05-11
  • 一种具有多边缘谐振结构的薄膜体声波谐振器结构及制作方法
    一种具有多边缘谐振结构的薄膜体声波谐振器结构及制作方法_东南大学_202511569989.2
    本发明公开了一种具有多边缘谐振结构的FBAR结构及制作方法。FBAR结构包括核心谐振结构以及边缘结构，边缘结构包括在核心谐振结构的边缘沿与谐振区域厚度方向相垂直方向交替分布的第一边缘谐振结构、第二边缘谐振结构。第一边缘谐振结构、第二边缘谐振...
    2026-05-11
  • 一种热隔离的石英晶振晶片及其制备方法
    一种热隔离的石英晶振晶片及其制备方法_北京晨晶电子有限公司_202511365559.9
    本发明提供一种热隔离的石英晶振晶片及其制备方法，属于压电晶体器件技术领域，热隔离的石英晶振晶片包括：晶片本体，晶片本体包括谐振区；两组电极结构，两组电极结构沿晶片本体的厚度方向分别位于晶片本体两侧，电极结构包括电极和电极引出端，电极位于谐振...
    2026-05-11
  • 一种寄生抑制的石英晶振晶片及其制备方法
    一种寄生抑制的石英晶振晶片及其制备方法_北京晨晶电子有限公司_202511365566.9
    本发明提供一种寄生抑制的石英晶振晶片及其制备方法，属于压电晶体器件技术领域，寄生抑制的石英晶振晶片包括：晶片本体，晶片本体包括主要谐振区；电极结构，电极结构位于主要谐振区，电极结构包括两个电极，两个电极沿晶片本体的厚度方向分别位于晶片本体的...
    2026-05-11
  • 一种复合引出端结构的石英晶振晶片及其制备方法
    一种复合引出端结构的石英晶振晶片及其制备方法_北京晨晶电子有限公司_202511365600.2
    本发明提供一种复合引出端结构的石英晶振晶片及其制备方法，属于压电晶体器件技术领域，复合引出端结构的石英晶振晶片包括：晶片本体，晶片本体包括主要谐振区；两组电极结构，两组电极结构沿晶片本体的厚度方向分别位于晶片本体的两侧，电极结构包括电极、电...
    2026-05-11
  • 音叉谐振器及其制作方法
    音叉谐振器及其制作方法_北京晨晶电子有限公司_202511365613.X
    本发明涉及谐振器领域，提供一种音叉谐振器及其制作方法。音叉谐振器包括基座，基座上形成有一对振动臂；配重部，形成于振动臂背离基座的一端，在配重部的至少一个主面上形成有调整块，由配重部的表面向远离配重部的表面的方向，调整块上形成有至少两层阶梯结...
    2026-05-11
  • 音叉谐振器及其制作方法
    音叉谐振器及其制作方法_北京晨晶电子有限公司_202511365621.4
    本发明涉及谐振器领域，提供一种音叉谐振器及其制作方法。音叉谐振器包括基座，基座上形成有一对振动臂；配重部，形成于振动臂背离基座的一端，在配重部的至少一个主面上形成有由若干调整块构成的频率调整区域；沿振动臂的延伸方向，除远离振动臂的调整块外，...
    2026-05-11
  • 一种弹性波器件及其制作方法和滤波器装置
    一种弹性波器件及其制作方法和滤波器装置_三安日本科技株式会社_202511133845.2
    本申请公开了一种弹性波器件，包括有图案的支撑基板；形成于所述支撑基板之上的绝缘层；形成于绝缘层之上的压电基板；绝缘层包括氧化硅薄膜，氧化硅薄膜中的氢浓度不高于0.05原子百分比。还提出了其制作方法，包括在支撑基板上制作绝缘层，绝缘层包括氧化...
    2026-05-11
  • 谐振器及射频模组
    谐振器及射频模组_锐石创芯(重庆)科技股份有限公司_202511428122.5
    本发明提出了一种谐振器及射频模组，谐振器包括包括第一汇流条、第二汇流条、多个第一电极指、多个第二电极指、多个第一假指以及多个第二假指，第一电极指、第二电极指、第一假指以及第二假指的关系设置为沿第一方向，多个第一电极指与多个第一假指的间距以及...
    2026-05-11
  • 滤波器及其制造方法
    滤波器及其制造方法_武汉衍熙微器件有限公司_202511426468.1
    本公开实施例提供一种滤波器及其制造方法，其中，该滤波器包括：输入端、输出端以及位于输入端和输出端之间的至少一个谐振器，谐振器包括谐振区域和非谐振区域；谐振器包括：基底；沿基底的厚度方向堆叠设置的反射结构、底电极、压电层和顶电极，谐振区域包括...
    2026-05-11
  • 滤波器、射频前端模组、通信设备
    滤波器、射频前端模组、通信设备_锐石创芯(重庆)科技股份有限公司_202511428092.8
    本申请实施例提供了一种滤波器、射频前端模组、通信设备，滤波器包括基板、滤波芯片、第一匹配电路和第二匹配电路；其中，滤波芯片设置于基板的第一表面上，滤波芯片至少包括相对的第一角、第二角；第一匹配电路连接于滤波芯片的输出端，第一匹配电路包括第一...
    2026-05-11
  • 滤波器及射频前端模组
    滤波器及射频前端模组_锐石创芯(重庆)科技股份有限公司_202511428102.8
    本申请公开了一种滤波器及射频前端模组，涉及射频滤波技术领域。滤波器包括压电衬底、第一谐振器、第二谐振器和介质层；第一谐振器和第二谐振器均设置在所述压电衬底上，且所述第一谐振器设置在所述第二谐振器的一侧，所述第一谐振器和所述第二谐振器之间形成...
    2026-05-11
  • 一种谐振腔主体结构、薄膜体声波谐振器及其封装方法
    一种谐振腔主体结构、薄膜体声波谐振器及其封装方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511516651.0
    本发明提供了一种谐振腔主体结构、薄膜体声波谐振器及其封装方法，其中，薄膜体声波谐振器包括：衬底，衬底的一侧设置有第一金属层，且第一金属层与衬底围设形成第一凹槽；压电叠层，压电叠层包括依次设置的第一电极、压电层和第二电极，第一电极远离第二电极...
    2026-05-11
  • 一种对负载不敏感的可重构电感折叠型正交装置
    一种对负载不敏感的可重构电感折叠型正交装置_晟芯腾跃(北京)科技有限公司_202511303723.3
    本申请公开了一种对负载不敏感的可重构电感折叠型正交装置，其特征在于，包括差分正交网络，差分正交网络包括第一电阻阵列、第二电阻阵列、第三电阻阵列、第四电阻阵列、第一电阻、第二电阻、第一电容阵列、第二电容阵列、第一电感以及第二电感。本申请一方面...
    2026-05-11
  • 具有低相位误差的增益可重构有源移相器
    具有低相位误差的增益可重构有源移相器_清华大学_202511413871.0
    本发明提供一种具有低相位误差的增益可重构有源移相器，涉及移相器技术领域，所述移相器包括：正交耦合器将射频输入信号转换为分路射频信号；输入匹配巴伦将分路射频信号转换为分路差分信号；相位反转可变增益放大器接收的数字控制信号用于控制各差分组中差分...
    2026-05-11
  • 一种电容耦合结构放大器用辅助路径预充电阻抗增强电路
    一种电容耦合结构放大器用辅助路径预充电阻抗增强电路_同济大学_202511330435.7
    本发明提供一种电容耦合结构放大器用辅助路径预充电阻抗增强电路。该电路包括主信号通路模块和辅助路径预充电阻抗增强模块，其中主信号通路模块由主信号通路斩波开关、输入电容(Cin)和反馈电容(Cfb)以及主运算放大器(由运算放大器Gm1、Gm2、...
    2026-05-11
  • 一种射频前端模组
    一种射频前端模组_锐石创芯(深圳)半导体有限公司_202511577745.9
    本申请涉及射频技术领域，尤其涉及一种射频前端模组，包括：基板；及设置于所述基板上的第一芯片和谐振电路；所述谐振电路包括第一电感和第一电容，所述第一电容设置于所述第一芯片上，所述第一电感包括第一键合线组、第二键合线组以及设置于所述基板上的金属...
    2026-05-11
  • 滤波器参数优化方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品
    滤波器参数优化方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品_广州润芯信息技术有限公司_202511184156.4
    本申请涉及数字信号处理技术领域，尤其涉及一种滤波器参数优化方法、装置、设备、存储介质及计算机程序产品。该方法通过构建多个基础滤波算子和多个与基础滤波算子对应的可训练变换矩阵；基于预设频率响应指标，从多个基础滤波算子及可训练变换矩阵中确定与预...
    2026-05-11
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