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最新专利技术
  • 晶圆的加工方法
    晶圆的加工方法_南亚科技股份有限公司_202411291495.8
    提供了一种晶圆的加工方法。此方法包括：提供晶圆，其中晶圆具有第一区域以及第二区域，且第二区域介于晶圆的边缘以及第一区域之间；沉积第一金属层于晶圆上；沉积盖层于第一金属层上；设置介电层于盖层上，其中介电层覆盖第一金属层的侧壁以及盖层的侧壁；对...
    2026-01-24
  • 一种二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法
    一种二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法_华中科技大学_202511817441.5
    本发明属于半导体材料领域，公开了一种基于功率密度降低的二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法。该方法包括：将二维半导体硫化物样本置于反应腔室内，并对反应腔室进行抽真空处理；向反应腔室内通入掺杂气体直至反应腔室内的掺杂气体浓度达到目标气体浓度；...
    2026-01-24
  • 半导体工艺设备
    半导体工艺设备_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202511498360.3
    本申请涉及一种半导体工艺设备，可用于紫外光处理工艺。该半导体工艺设备，包括：主体，具有窗口以及工艺腔，所述工艺腔用于容置晶圆支撑结构；透光片，置于所述窗口处与所述主体相连，用于密封所述工艺腔；进气结构，用于向所述工艺腔内输送气体，进气结构包...
    2026-01-24
  • 一种台阶结构的表面图形化方法
    一种台阶结构的表面图形化方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511376764.5
    本申请提供了一种台阶结构的表面图形化方法，属于微电子器件技术领域。该方法包括：提供具有台阶结构的衬底；在衬底上依次形成填充层、牺牲层和光刻胶层，得到复合衬底；对光刻胶层进行光刻处理形成光刻图形，并以该图形为掩膜，对牺牲层进行第一刻蚀处理；在...
    2026-01-24
  • 一种有环形边缘支撑结构的超薄半导体减薄方法
    一种有环形边缘支撑结构的超薄半导体减薄方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202511471688.6
    本发明公开了有环形边缘支撑结构的超薄半导体减薄方法，包括：将完成功能结构制作的半导体基片放置在载片上与其结合；半导体基片包括依次层叠的衬底、腐蚀阻挡层、半导体层，半导体层包括缓冲层和器件层；缓冲层用于防止器件层在衬底减薄去除前后功函数变化影...
    2026-01-24
  • 平整三五族化合物材料层表面的方法及外延生长方法
    平整三五族化合物材料层表面的方法及外延生长方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511393708.2
    本发明提供一种平整三五族化合物材料层表面的方法及外延生长方法，通过交替性引入氢气及保护气体，并进行周期性使用，在每个周期中先引入氢气进行刻蚀，氢刻蚀后的材料表面具备富第一三五族化合物材料层中的三族元素金属的特性，后续引入的保护气体，将该些三...
    2026-01-24
  • 一种半导体器件的刻蚀后表面处理方法
    一种半导体器件的刻蚀后表面处理方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511178826.1
    本发明涉及一种半导体器件的刻蚀后表面处理方法，包括：提供半导体器件：半导体器件具有沟槽；预处理：在惰性气体和活性气体气氛下，去除沟槽内的聚合物，修复沟槽的内壁面的化学键缺陷，形成含硅化合物层；等离子体刻蚀处理：在氟基气体和惰性气体气氛下，刻...
    2026-01-24
  • 一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件
    一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511324263.2
    本发明提供一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件，该形成方法包括：提供半导体器件：半导体器件包括自下而上依次设置的层叠结构、图形化的第一芯轴层和图形化的第一掩膜层，其中，图形化的第一芯轴层的侧壁面以及图形化的第一掩膜层的侧壁面和顶表面沉积...
    2026-01-24
  • 一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件
    一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511324277.4
    本发明提供一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件，该自对准多重图形的形成方法包括：提供半导体器件，半导体器件包括自下而上依次设置的层叠结构、图形化的第一芯轴层和图形化的第一掩膜层；在层叠结构上进行沉积，形成第一侧壁层；在第一侧壁层的底部进...
    2026-01-24
  • 一种晶圆加工用等离子除胶机及其加工方法
    一种晶圆加工用等离子除胶机及其加工方法_深圳市东信高科自动化设备有限公司_202511875379.5
    本发明涉及晶圆加工环保除胶技术领域，具体涉及一种晶圆加工用等离子除胶机及其加工方法，包括机体、真空泵和导流罩，所述机体的顶部设置有下腔体，所述机体的顶部铰接安装有上腔体，所述上腔体底端的内侧开设有下腔槽，所述下腔槽的顶端安装有圆分气板二，所...
    2026-01-24
  • 一种硅片加工方法及装置
    一种硅片加工方法及装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511480666.6
    本发明提供了一种硅片加工方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括基于形貌参数确定目标硅片的形貌类别为第一类别，所述第一类别选自预设的N个形貌类别；获取所述目标硅片在目标工序中与所述第一类别关联的第一加工参数，其中，针对所述目标工序预先...
    2026-01-24
  • 一种多尺度覆铜陶瓷微沟槽吸液芯结构及制备方法
    一种多尺度覆铜陶瓷微沟槽吸液芯结构及制备方法_华南理工大学_202511514128.4
    本发明属于陶瓷均热板技术领域，具体涉及一种多尺度覆铜陶瓷微沟槽吸液芯结构及制备方法。本发明选用覆铜陶瓷基板制备吸液芯既能提升陶瓷基板的机械强度，增加其加工可塑性，便于制备更高深宽比的微沟槽，同时也更符合大多数的应用场景。通过调整激光参数和控...
    2026-01-24
  • 一种激光倒棱结合贝塞尔切割辅助线的盘片切割工艺
    一种激光倒棱结合贝塞尔切割辅助线的盘片切割工艺_新台佳光电有限公司_202511493066.3
    本发明提供了一种激光倒棱结合贝塞尔切割辅助线的盘片切割工艺，属于激光加工技术领域。本发明所述盘片切割工艺包括以下步骤：(1)激光内圆倒棱切割；(2)内圆贝塞尔切割辅助线；(3)将切割好的中间品依次进行刻蚀、超声清洗，得到最终产品。本发明所述...
    2026-01-24
  • 一种转移低维半导体材料的方法及其阵列结构
    一种转移低维半导体材料的方法及其阵列结构_上海芯源创新中心_202511834053.8
    本发明提供了一种转移低维半导体材料的方法及其阵列结构，涉及半导体材料与器件制造技术领域。其通过多次无破损转移小面积低维半导体材料组成阵列，达到晶圆级无破损低维半导体材料阵列的转移，可用于实现高良率的晶圆级低维半导体材料转移和芯片制造。
    2026-01-24
  • 喷嘴单元及电浆清洗装置
    喷嘴单元及电浆清洗装置_微劲精密有限公司_202410897623.7
    一种喷嘴单元及电浆清洗装置，所述喷嘴单元包含安装件、用于伸入所述安装件的内置件，及用于覆盖所述内置件的套置件。所述安装件围绕第一轴线且界定出容置空间。所述内置件包括用于抵靠所述安装件的内连通管部，及两个连接所述内连通管部一侧且相间隔的凸块部...
    2026-01-24
  • 硅片在减薄时产品背面污迹的清洗方法
    硅片在减薄时产品背面污迹的清洗方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511399762.8
    本发明涉及一种硅片在减薄时产品背面污迹的清洗方法，所属半导体制造技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片进行单面减薄；减薄过程采用机械研磨或化学机械抛光。第二步：硅片进行整体清洗；采用RCA清洗法、去离子水冲洗或超声波清洗。第三步：采用兆声...
    2026-01-24
  • 一种改善硅片边缘腐蚀后膜厚均匀性的方法
    一种改善硅片边缘腐蚀后膜厚均匀性的方法_山东有研艾斯半导体材料有限公司_202511414752.7
    本发明公开了一种改善硅片边缘腐蚀后膜厚均匀性的方法，用于带有SiO22薄膜的硅片的边缘腐蚀，包括以下步骤：(1)使用特定溶液对硅片进行预清洗处理，即依次使用SCl、异丙醇和去离子水清洗硅片，清洗完成后使用高纯氮气吹干；(2)使用夹具覆盖硅片...
    2026-01-24
  • 一种碳化硅衬底的清洗方法
    一种碳化硅衬底的清洗方法_浙江晶越半导体有限公司_202511881819.8
    本发明涉及碳化硅半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种碳化硅衬底的清洗方法，包括以下步骤：(S.1)将待清洗的碳化硅衬底置于密闭清洗腔体内；(S.2)通过等离子体对衬底表面进行活化；(S.3)向腔体内通入含有氨基改性石墨烯量子点的气流，使所述...
    2026-01-24
  • 控制系统及控制方法、UV照射系统及UV照射方法
    控制系统及控制方法、UV照射系统及UV照射方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410871864.4
    本发明涉及控制系统及控制方法、UV照射系统及UV照射方法。所述控制系统及控制方法、UV照射系统及UV照射方法中，根据接收的批次号，使满足加工条件的一盒基片进站，并记录当前进站的一盒基片中每个基片进行如UV照射工艺的指定工艺的作业过程，在当前...
    2026-01-24
  • 磷酸槽换酸方法及磷酸槽换酸控制系统
    磷酸槽换酸方法及磷酸槽换酸控制系统_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410878083.8
    本发明涉及一种磷酸槽换酸方法及一种磷酸槽换酸控制系统。所述磷酸槽换酸方法和磷酸槽换酸系统中，在两次小换酸之间的跑货阶段，获取所述跑货关联量以及所述硅酸浓度表征量在每个处理批次完成后的当前值，当所述跑货关联量的当前值大于第一设定阈值且所述硅酸...
    2026-01-24
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