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最新专利技术
  • 一种硅电子自旋量子比特器件及其制备方法
    一种硅电子自旋量子比特器件及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511356347.4
    本申请提供了一种兼容CMOS工艺且可实现抗界面无序的硅电子自旋量子比特量子器件及其制备方法，包括提供衬底，在衬底上形成硅量子阱，以及在硅量子阱上形成至少一组金属电极，且硅量子阱的内部包括用于形成栅控量子点的第一区间，以及用于在第一区间形成预...
    2026-01-26
  • 一种二维材料晶体管结构及其形成方法
    一种二维材料晶体管结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410896145.8
    一种二维材料晶体管结构，包括：基底，包括衬底；有源区，位于所述衬底上；沟道结构，包括凸起部以及覆盖所述凸起部的侧壁的沟道层，所述凸起部凸立于所述有源区的衬底的顶部，所述沟道层的材料包括二维材料；介电层，覆盖所述沟道层的侧壁；栅极结构，横跨所...
    2026-01-26
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_苏州晶湛半导体有限公司_202410899301.6
    本公开提供了一种半导体结构，半导体结构包括N型硅衬底，N型硅衬底由交替的delta掺杂层和均匀掺杂层组成；位于N型硅衬底上的外延结构，外延结构的材料包括氮化物材料。本公开设置的N型硅衬底可有效抑制外延结构中的Ga/Al等向衬底扩散，从而降低...
    2026-01-26
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510171752.2
    本公开提供半导体器件。一种半导体器件可以包括：衬底，其包括在平行于衬底的顶表面的第一方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案之间的器件隔离层；设置在第一有源图案上的第一源极/漏极图案；设置在第二有源图案上的...
    2026-01-26
  • 超结器件和用于产生超结区的方法
    超结器件和用于产生超结区的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510928899.1
    公开了一种超结器件和用于产生超结器件的方法。超结器件包括半导体主体(100)，包括内部区(110)和横向围绕内部区(110)的边缘区(120)；超结区(1)，包括在半导体主体(100)的第一横向方向(x)上交替布置的有效第一掺杂类型的第一区...
    2026-01-26
  • 半导体器件的终端结构及制备方法、半导体器件
    半导体器件的终端结构及制备方法、半导体器件_比亚迪股份有限公司_202511418893.6
    一种半导体器件的终端结构及其制作方法、半导体器件，所述终端结构包括 : 第一导电类型的衬底，以及设置于所述衬底上的第一导电类型的外延层，所述外延层内间隔设置有多个第二导电类型的场限环，至少一个所述场限环的间隔内设置有第二导电类型的第一掺杂层...
    2026-01-26
  • 半导体器件的终端结构、半导体芯片、器件及制备方法
    半导体器件的终端结构、半导体芯片、器件及制备方法_比亚迪股份有限公司_202511430583.6
    本申请公开了一种半导体器件的终端结构、半导体芯片器件及制备方法，其中，半导体器件的终端结构，设置于半导体芯片的终端区，包括场屏蔽区，所述场屏蔽区设置有在三维空间中呈区域性渐变掺杂分布的多个掺杂区域。本发明通过在三维空间内对场屏蔽区的掺杂浓度...
    2026-01-26
  • 半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜
    半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511842163.9
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜，该半导体结构包括：包括衬底和场氧化结构的基底；衬底具有相对的第一表面和第二表面；衬底内形成有沟道有源区；场氧化结构从第二表面向第一表面延伸，在第一表面定义出沟道有源区...
    2026-01-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410891093.5
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；叠层鳍部结构，所述叠层鳍部结构包括伪鳍部以及位于所述伪鳍部上的沟道鳍部；栅极结构，凸立于所述衬底上且覆盖所述伪鳍部的侧壁；金属栅极结构，位于所述栅极结构的顶部且横跨所述沟道鳍部，所述金属栅极结构覆...
    2026-01-26
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海光通信有限公司_202410855180.5
    一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅介质层；在所述栅介质层上形成功函数层；在无氧环境中，对所述功函数层表面进行等离子体轰击后在所述功函数层上形成栅导电层。本发明可以提升半导体器件的阈值电压的稳定性...
    2026-01-26
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511239598.4
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，S1：提供一具有高压区、中压区以及低压区的半导体衬底，在衬底上形成第一栅氧化层，覆盖衬底表面；S2：通过干法刻蚀去除中压区表面的部分第一栅氧化层，再通过湿法刻蚀去除中压区表面剩余第一栅氧化层；S3：在第...
    2026-01-26
  • 介电层的纳米图案化方法
    介电层的纳米图案化方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511529820.4
    本发明提供了一种介电层的纳米图案化方法，在导电针尖和覆盖有介电层的半导体衬底之间施加交流电信号，导电针尖以非接触方式在介电层的上方按照预定图案扫描，利用针尖和衬底之间形成的局域场效应，使得介电层产生缺陷，形成易于被腐蚀液腐蚀的改性区域，进而...
    2026-01-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511834300.4
    本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括：提供衬底；衬底包括第一区域和第二区域。于第一区域内的衬底顶面形成第一栅介质层，并于第二区域内的衬底顶面形成第二栅介质层；第一栅介质层在第二方向上的尺寸大于第二栅介质层在第二方向...
    2026-01-26
  • 半导体器件的制造方法和半导体器件
    半导体器件的制造方法和半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511861264.0
    本申请实施例公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件，该方法包括：在晶圆的正面形成栅极结构；在晶圆和栅极结构上依次沉积自对准氧化物材料层和自对准多晶硅材料层；执行湿法蚀刻工艺对自对准多晶硅材料层进行图案化，以形成自对准多晶硅层；执行干法蚀...
    2026-01-26
  • 半导体模块
    半导体模块_海信家电集团股份有限公司_202410865878.5
    本发明公开了一种半导体模块，半导体模块包括；逆变芯片，其包括在第一方向上相对设置的第一高侧逆变芯片和第二高侧逆变芯片；第一跳线区，第一跳线区在第一方向上位于第一高侧逆变芯片和第二高侧逆变芯片之间，所述第一边沿连线、所述第二边沿连接、所述第三...
    2026-01-26
  • 半导体模块
    半导体模块_海信家电集团股份有限公司_202410865896.3
    本发明公开了一种半导体模块，半导体模块包括：第一方向和第二方向；基板，其具有沿第一方向依次间隔排布的第二基板部和第三基板部；第二基板部设置有第一低侧逆变芯片上芯区，其上包括接线部和上芯部，接线部和上芯部沿第一方向排布且上芯部位于接线部朝向第...
    2026-01-26
  • 半导体模块
    半导体模块_海信家电集团股份有限公司_202410865914.8
    本发明公开了一种半导体模块，半导体模块包括：壳体；基板；多个逆变芯片，每个逆变芯片均为单个芯片；第一低侧逆变芯片上芯区包括彼此相连的接线部和上芯部；第一低侧逆变芯片上的控制电极焊盘在第一低侧逆变芯片上沿第二方向更加邻近低侧的一侧，第一低侧逆...
    2026-01-26
  • 半导体模块
    半导体模块_海信家电集团股份有限公司_202410865926.0
    本发明公开了一种半导体模块，半导体模块包括：壳体；基板；多个逆变芯片，每个逆变芯片均为单个芯片；其中，第一高侧逆变芯片在第一高侧逆变芯片上芯区上沿第二方向更加邻近高侧的部分设置，第二高侧逆变芯片在第一高侧逆变芯片上芯区在第二方向上的中部设置...
    2026-01-26
  • 半导体模块
    半导体模块_海信家电集团股份有限公司_202410865955.7
    本发明公开了一种半导体模块，半导体模块包括：壳体；基板；多个逆变芯片；第二低侧逆变芯片上芯区包括第五上芯部和第七接线部，第三低侧逆变芯片上芯区包括第六上芯部和第八接线部，第二高侧逆变芯片上芯区包括第七上芯部和第九接线部；第二低侧逆变芯片位于...
    2026-01-26
  • 半导体模块
    半导体模块_海信家电集团股份有限公司_202410865967.X
    本发明公开了一种半导体模块，半导体模块包括：基板；第三高侧逆变芯片；第二高侧逆变芯片上芯区，其包括第三上芯部和第三接线部，第三高侧逆变芯片设置于第三上芯部，第三高侧逆变芯片第一方向上位于第二基板部的中部；第三低侧逆变芯片上芯区，其包括第二上...
    2026-01-26
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