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最新专利技术
  • 图像传感器以及制造该图像传感器的方法
    图像传感器以及制造该图像传感器的方法_三星电子株式会社_202510841424.9
    提供了一种图像传感器以及制造该图像传感器的方法。图像传感器包括：光电转换器件，设置在像素阵列区域中；外围区域，设置在像素阵列区域的至少一侧；以及纳米结构层，设置在像素阵列区域和外围区域上。纳米结构层包括：超微透镜，在像素阵列区域上，其中，超...
    2026-01-19
  • 搭载显示功能的沟槽栅型图像传感器装置及其制作方法
    搭载显示功能的沟槽栅型图像传感器装置及其制作方法_常州大学_202511446121.3
    本发明涉及集成电子器件技术领域，尤其是一种搭载显示功能的沟槽栅型图像传感器装置及其制作方法。一种搭载显示功能的沟槽栅型图像传感器装置，包括驱动背板以及设置在所述驱动背板上的多个像素单元，像素单元包括：显示子像素，包括通过巨量转移技术键合于所...
    2026-01-19
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511718010.3
    本申请提供一种图像传感器及其制备方法，包括：提供衬底，衬底具有第一表面和第二表面，衬底包括第一区域；对第一区域的衬底的第一表面执行第一离子注入工艺，以在第一区域的衬底中形成第一隔离区，第一隔离区位于深沟槽底部区域，相邻的第一隔离区之间的衬底...
    2026-01-19
  • 光电合封结构及其制造方法、电子设备
    光电合封结构及其制造方法、电子设备_长电微电子(江阴)有限公司_202511326748.5
    本发明实施例提供了一种光电合封结构及其制造方法、电子设备，光电合封结构包括：光芯片，所述光芯片的表面具有裸露的第一导电垫；电芯片，键合于所述光芯片上，所述电芯片包括堆叠键合的信号层和电源层，所述信号层和电源层之间电连接，所述信号层具有裸露的...
    2026-01-19
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410798947.5
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底表面形成有第一波导以及覆盖所述基底和第一波导的包覆层，所述第一波导的两侧中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区；第一介质层，位于所述包覆层表面；外延层，位于所述第一介质层、部分...
    2026-01-19
  • 制备太阳能电池栅线的方法、太阳能电池片、太阳能电池及其制备方法
    制备太阳能电池栅线的方法、太阳能电池片、太阳能电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410801101.2
    本发明涉及太阳能电池领域，提供制备太阳能电池栅线的方法、太阳能电池片、太阳能电池及其制备方法。所述制备太阳能栅线的方法包括以下步骤：(1)提供N面和P面均具有感光胶的黄膜片，并在所述N面和所述P面中任一面打印栅线图案形成光刻胶层，对未打印栅...
    2026-01-19
  • TOPCon切片电池的制备方法、待切片电池、切片电池及光伏组件
    TOPCon切片电池的制备方法、待切片电池、切片电池及光伏组件_帝尔激光科技(无锡)有限公司_202510039920.2
    提供一种TOPCon切片电池的制备方法、待切片电池、切片电池及光伏组件，方法包括，S10，对TOPCon硅片正面待切割区的硼硅玻璃层进行激光处理，化学腐蚀至少去除正面待切割区的硼发射极层，形成正面隔离区；对硅片背面预设区域的掩膜层进行激光处...
    2026-01-19
  • 防漏电的背接触电池制备方法及结构
    防漏电的背接触电池制备方法及结构_江苏中胜微科技有限公司_202511252674.5
    本申请公开了一种防漏电的背接触电池制备方法及结构。通过改善背面掺硼区域(P区)硅片表面结构，利用非晶硅在不同形貌的硅片表面沉积速率不同，使得主要掺硼区域的本征非晶硅沉积速率较慢，沉积的本征非晶硅膜层较薄，以降低电池的串联电阻；而在与掺磷区域...
    2026-01-19
  • OMO膜层的制备方法、太阳能电池
    OMO膜层的制备方法、太阳能电池_深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司_202511347265.3
    本发明公开了OMO膜层的制备方法、太阳能电池。其中OMO膜层的制备方法，包括：设置多个接续的密闭腔室来分别制备所述OMO膜层的各层，并在制备所述OMO膜层的铜层前后，分别在对应的密闭腔室内通过电离氩气形成无氧环境对基片进行等离子清洗。本发明...
    2026-01-19
  • 光伏组件的除胶设备及方法
    光伏组件的除胶设备及方法_科圣达(苏州)智能科技有限公司_202511352801.9
    本申请公开了一种光伏组件的除胶设备及方法，涉及光伏组件生产设备技术领域。一种光伏组件的除胶设备，包括机架、输送装置和除胶装置，所述输送装置设置在机架上，用于将光伏组件输送至除胶工位，所述除胶装置设置于机架且位于除胶工位周侧，所述除胶装置包括...
    2026-01-19
  • 汇流连接结构制作方法及背接触光伏组件
    汇流连接结构制作方法及背接触光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511373883.5
    本发明提供一种汇流连接结构制作方法及背接触光伏组件。汇流连接结构制作方法包括以下步骤：在汇流条本体上的待焊接位置施加锡膏，并对锡膏进行烘干处理，以使锡膏固定于汇流条本体上并形成预制汇流条；在电池片的背面放置绝缘膜带，绝缘膜带上的各个开孔与电...
    2026-01-19
  • 太阳能电池片的制作方法、电池片、电池组件、方法及系统
    太阳能电池片的制作方法、电池片、电池组件、方法及系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511393979.8
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种太阳能电池片的制作方法、电池片、电池组件、方法及系统，包括：激光打孔；提供硅基底，所述硅基底包括相对的正面及背面；对所述硅基底进行激光处理形成通孔，所述激光处理中沿预设扫描路径移动的激光光束进行局部区域打...
    2026-01-19
  • 一种基于纳米技术的TOPCon电池表面处理方法
    一种基于纳米技术的TOPCon电池表面处理方法_浙江日月光能科技有限公司_202511417003.X
    本发明涉及太阳能电池技术领域，且公开了一种基于纳米技术的TOPCon电池表面处理方法，包括以下步骤：S1、将清洁后的TOPCon电池基材置于真空等离子体刻蚀机中处理；S2、改性纳米材料、氧化改性石墨烯量子点、聚酰亚胺树脂、溶剂混合，得到纳米...
    2026-01-19
  • 背接触太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件
    背接触太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511734784.5
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种背接触太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件，其中，背接触太阳能电池的制作方法包括：提供基底，基底包括相对设置的第一面及第二面，第二面包括交替设置的第一区及第二区，以及位于第一区和第二区之间的间隔区；刻...
    2026-01-19
  • 一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器
    一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202511748083.7
    本申请提供了一种铟柱制备方法及铟柱、红外探测器，属于红外探测器技术领域；解决了现有红外探测器电极爬坡生长工艺中侧壁电极厚度过薄、阻抗大等问题，该方法包括以下步骤：采用常规台面制作工艺形成各个接触层的台面，然后光刻开孔、钝化开孔，并清洗；采用...
    2026-01-19
  • 一种周期厚度渐变的铟砷/铟砷锑超晶格生长方法
    一种周期厚度渐变的铟砷/铟砷锑超晶格生长方法_苏州焜原光电有限公司_202511748950.7
    本发明涉及红外探测器技术领域，提供一种周期厚度渐变的铟砷/铟砷锑超晶格生长方法，包括：调整砷阀门的开度为第一开度、锑阀门的开度为初始开度、铟温度为初始温度，在缓冲层上生长第一目标周期厚度的第一铟砷/铟砷锑超晶格，其中，根据第一目标周期厚度确...
    2026-01-19
  • 防外延层及其制备方法、异质结太阳电池、光伏组件
    防外延层及其制备方法、异质结太阳电池、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511755887.X
    本申请涉及太阳电池领域，公开一种防外延层及其制备方法、异质结太阳电池、光伏组件。所述防外延层应用于异质结太阳电池，所述制备方法包括：向具有硅基底的环境中通入硅氢化合物类气源进行气相沉积，并在所述气相沉积的过程中施加第一偏置电压和第二偏置电压...
    2026-01-19
  • 太阳能电池及其制备方法、组件、系统
    太阳能电池及其制备方法、组件、系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511339919.8
    本申请提出一种太阳能电池及其制备方法、组件、系统，涉及太阳能电池技术领域，该太阳能电池，包括：硅基底；设于硅基底表面的隧穿层；掺杂层，设于隧穿层背离硅基底的一侧；钝化层，设于掺杂层背离硅基底的一侧；钝化层包括层叠设置在远离硅基底方向的多个子...
    2026-01-19
  • 一种太阳能电池、太阳能电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池、太阳能电池组件及光伏系统_天津爱旭太阳能科技有限公司_202511688175.0
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种太阳能电池、太阳能电池组件及光伏系统，该太阳能电池包括第一区域，第一区域上设置有第一掺杂层，第一掺杂层掺杂有第一掺杂源；第一区域上还设置有叠层区域和非叠层区域，叠层区域内包括第二掺杂层，第二掺杂层掺杂有第...
    2026-01-19
  • 背接触电池、背接触电池组件和光伏系统
    背接触电池、背接触电池组件和光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511395082.9
    本申请适用于背接触电池技术领域，提供了一种背接触电池、背接触电池组件和光伏系统，在背接触电池中，第一焊盘上连接有第一汇流栅线，第一汇流栅线沿第一方向延伸且位于第一焊盘和第一边缘之间，第一汇流栅线与第一焊盘连接，第一汇流栅线还位于第一焊盘和第...
    2026-01-19
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