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最新专利技术
  • 一种半导体功率器件的散热装置
    一种半导体功率器件的散热装置_东莞市隆慧电子科技有限公司_202511708997.0
    本发明涉及半导体功率技术领域，具体涉及一种半导体功率器件的散热装置，包括引线框架，所述引线框架上固定有芯片，所述芯片上设有铜带，所述铜带包括矩形铜板，矩形铜板与芯片焊接，矩形铜板上设有四个第一变形区域和四个第二变形区域，四个第一变形区域绕矩...
    2026-02-14
  • 一种半导体封装框架以及制备方法
    一种半导体封装框架以及制备方法_深圳市五新材料科技有限公司_202511750218.3
    本申请涉及半导体封装技术领域，提供了一种半导体封装框架以及制备方法，包括：载板，其上设有粘接层，粘接层平铺在载板上；若干电极，若干电极通过粘接层矩阵且成对粘接在载板上；若干半导体芯片，若干个半导体芯片分别焊接在成对设置的两个电极上；封装框架...
    2026-02-14
  • 基板及其制备方法、集成无源器件、电子装置
    基板及其制备方法、集成无源器件、电子装置_北京京东方光电科技有限公司_202410831909.5
    本公开提供了一种基板及其制备方法、集成无源器件、电子装置，属于半导体技术领域。基板，包括：基底，所述基底的表面设置有过孔结构，所述基底包括包围至少部分所述过孔结构的掺杂区域，所述掺杂区域为包含有掺杂离子的基底。本公开实施例能够实现更高深宽比...
    2026-02-14
  • 半导体结构以及半导体集成结构
    半导体结构以及半导体集成结构_长鑫科技集团股份有限公司_202410846462.9
    本公开实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底，衬底上覆盖有介质层，介质层包括第一区域和环绕第一区域的第二区域；设置在第一区域的介质层中的第一导电垫，第一导电垫的顶表面具有凹陷或凸起的部分，介质层覆盖所述第一导电垫的顶表面；设置在第二区域的介...
    2026-02-14
  • 一种三相低压MOSFET封装集成功率模块
    一种三相低压MOSFET封装集成功率模块_华侨大学_202511756127.0
    本发明提供了一种三相低压MOSFET封装集成功率模块，其将驱动组件、直流母线电容等模块集成于铝壳封装内。三片DBC基板分别承载U、V、W相桥臂，每相由若干并联MOSFET芯片构成上下桥臂，芯片漏极直接焊接于DBC上铜层，栅极经铜柱与上层驱动...
    2026-02-14
  • 电子装置封装
    电子装置封装_日月光半导体制造股份有限公司_202411806040.5
    本公开涉及一种电子装置封装，其包含第一衬底、所述第一衬底上方的第二衬底以及连接于所述第一衬底与所述第二衬底之间的集成电路IC。所述IC经配置以调节电力信号，其中所述IC与所述第二衬底之间的电力信号路径在所述第一衬底上的投影完全在所述IC在所...
    2026-02-14
  • 半导体结构和半导体器件
    半导体结构和半导体器件_长鑫科技集团股份有限公司_202410815372.3
    本申请涉及一种半导体结构和半导体器件，其中半导体结构，包括：衬底；沟槽组，位于衬底内；沟槽组至少包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽依次相邻且相互平行设置；第一沟槽的长度小于第三沟槽的长度；接触插塞，至少位于第一沟...
    2026-02-14
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410831053.1
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底中形成有互连层；通孔互连结构，位于基底中并与互连层电连接；衬垫层，位于通孔互连结构的侧壁和基底之间；一个或多个间隔分布的应力缓冲结构，嵌于衬垫层侧部的基底中，并与衬垫层的侧壁相连，应力缓...
    2026-02-14
  • 一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备
    一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备_华为技术有限公司_202410836107.3
    本申请提供了一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备。芯片封装结构包括：第一重布线层、桥接芯片、第一芯片、第二芯片、有机膜层和导电通孔。第一重布线层和桥接芯片叠层设置，第一芯片和第二芯片位于桥接芯片背离第一重布线层的一侧，第一芯片通过桥接芯片...
    2026-02-14
  • 扇出型晶圆级封装单元打线接合在电子元件上的模块
    扇出型晶圆级封装单元打线接合在电子元件上的模块_华东科技股份有限公司_202410840192.0
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元打线接合在电子元件上的模块，包括载板、第一裸晶、第一介电层、多条第一导接线路、第二介电层、多条第二导接线路、第二裸晶、电子元件、至少一第一焊线、至少两条第二焊线及至少一第三焊线；其中各第二导接线路是由填注设...
    2026-02-14
  • 扇出型晶圆级封装单元
    扇出型晶圆级封装单元_华东科技股份有限公司_202410840229.X
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元，包括载板、至少一下层裸晶、第一介电层、至少一第一导接线路、第二介电层、至少一第二导接线路、至少一上层裸晶、第三介电层、至少一第三导接线路、第四介电层、至少一第四导接线路及外护层；其中该至少一下层裸晶与该至...
    2026-02-14
  • 半桥系统、芯片及半桥系统的制备方法
    半桥系统、芯片及半桥系统的制备方法_湖北九峰山实验室_202511392546.0
    本发明提供了一种半桥系统、芯片及半桥系统的制备方法，涉及功率技术领域，半桥系统包括依次连接的上管和下管；且，上管的源极与下管的漏极连接；上管的源极与下管的漏极之间设置有混合键合，上管的源极与下管的漏极通过混合键合形成互联，且，上管的源极与下...
    2026-02-14
  • 一种检测晶边清洗宽度的测试片及方法
    一种检测晶边清洗宽度的测试片及方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410781184.3
    本发明公开了一种检测晶边清洗宽度的测试片及方法，测试片包括：基片；检测膜层，设于所述基片的表面上；所述检测膜层包括水溶性膜层、酸碱指示膜层或遇水变透明膜层；所述检测膜层用于在所述测试片经过晶边清洗后，在所述测试片的边缘上显现出能够被检测洗边...
    2026-02-14
  • 晶片结构及芯片结构
    晶片结构及芯片结构_联咏科技股份有限公司_202410819897.4
    本发明公开一种晶片结构及芯片结构，其中晶片结构包括衬底、切割道、芯片线路图案以及周边金属图案。切割道于所述衬底上定义出芯片单元。芯片线路图案设置于所述芯片单元的中心区域。周边金属图案设置于所述芯片单元的周边区域，其环绕所述中心区域。所述周边...
    2026-02-14
  • 半导体测试结构以及半导体结构的测试方法
    半导体测试结构以及半导体结构的测试方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202410840238.9
    本发明公开一种半导体测试结构以及半导体结构的测试方法，其中半导体测试结构包含一基底，多个栅极结构位于该基底上，多个薄膜电阻层，各该薄膜电阻层分别位于该多个栅极结构中的其中一个栅极结构的上方，且该多个薄膜电阻层位于一介电层中，一测试线路层，位...
    2026-02-14
  • 一种半导体测试结构
    一种半导体测试结构_湖北江城实验室_202511739104.9
    本公开实施例提供了一种半导体测试结构，包括：叠层分布的第一金属层和第二金属层之间被介质层填充；第一测试链和第二测试链分别分布于第一金属层和第二金属层；第一测试链包括第一主链和多个第一支链，第一支链依次沿第一方向和第二方向蜿蜒延伸且半包围多个...
    2026-02-14
  • 半导体封装载板结构及其制法
    半导体封装载板结构及其制法_恒劲科技股份有限公司_202410835799.X
    本发明提出一种半导体封装载板结构及其制法。半导体封装载板结构包括一包含有至少一第一图案化布线层、一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层的线路增层结构，以及至少一由漆包线构成的绕线螺旋线圈；其中，该第一图案化布线层嵌埋于该第三介电层内，且该...
    2026-02-14
  • 无源器件及其制备方法、封装结构、集成电路
    无源器件及其制备方法、封装结构、集成电路_苏州华太电子技术股份有限公司_202511383695.0
    本申请提供一种无源器件及其制备方法、封装结构、集成电路。该无源器件包括电容结构和基底，电容结构包括第一极板、第二极板和介电层，第一极板和第二极板沿第一方向间隔排布，且介电层设置于第一极板和第二极板之间；第一极板和第二极板在第一方向至少部分重...
    2026-02-14
  • 作为显示器使用且填充有反射胶体以增进发光亮度的Mini LED灯板及其Mini LED显示器
    作为显示器使用且填充有反射胶体以增进发光亮度的Mini LED灯板及其Mini LED显示器_星彩显示股份有限公司_202410804582.2
    一种作为显示器使用且填充有反射胶体以增进发光亮度的Mini LED灯板及其Mini LED显示器，灯板包含基板、LED单元、第一及第二反射胶体，LED单元布设于基板且分别包含第一、第二LED或第一至第三LED，LED的发光角度≥90度。第一...
    2026-02-14
  • 一种Ce, Nd-MOF-5/GO/PANI复合材料、制备方法及其应用
    一种Ce, Nd-MOF-5/GO/PANI复合材料、制备方法及其应用_内蒙古工业大学_202511745765.2
    本发明公开一种Ce, Nd‑MOF‑5/GO/PANI复合材料、制备方法及其应用，以双稀土元素掺杂改性的MOF‑5为骨架，通过与氧化石墨烯复合构建三维导电网络，并利用原位聚合法聚合高导电性的聚苯胺。通过对复合材料进行循环伏安测试分析其电化学...
    2026-02-14
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