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最新专利技术
  • 一种半导体结构及功率集成电路
    一种半导体结构及功率集成电路_深圳平湖实验室_202511626199.3
    本公开提供一种半导体结构及功率集成电路，半导体结构的各层工艺与PGaN HEMT器件的各层工艺完全相同，通过将栅极和第一电极短接形成场效应整流二极管，该二极管具备良好的单向导电性和整流特性；利用第二电极、第一介质层和导电电极构成的金属‑绝缘...
    2025-12-30
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510135579.0
    一种半导体装置可以包括：下有源图案，在第一方向上延伸并且包括下沟道图案；上有源图案，在第二方向上与下有源图案间隔开，第二方向与第一方向相交，并且上有源图案在第一方向上延伸，其中，上有源图案包括上沟道图案；栅电极，围绕下沟道图案和上沟道图案，...
    2025-12-30
  • 功率半导体装置
    功率半导体装置_三星电子株式会社_202510526979.4
    一种功率半导体装置可包括：第一导电类型的基底；第一导电类型的漂移层，在基底上；第二导电类型的阱区域，在漂移层中并且延伸到漂移层的上表面中；第一导电类型的源极区域，在阱区域中并且延伸到阱区域的上表面中；绝缘衬垫，在漂移层上；栅极结构，在绝缘衬...
    2025-12-30
  • 一种P-N-I-N型负电容隧穿场效应晶体管
    一种P-N-I-N型负电容隧穿场效应晶体管_西安邮电大学_202511103512.5
    本发明涉及一种P‑N‑I‑N型负电容隧穿场效应晶体管，主要用于解决现有隧穿场效应晶体管的隧穿效率低，开态电流较小，而负电容晶体管对开态电流的提升幅度有限，亚阈值摆幅特性改善效果不显著的技术问题。本发明一种P‑N‑I‑N型负电容隧穿场效应晶体...
    2025-12-30
  • 基于3D CIPS材料的FeFET器件及其制造方法
    基于3D CIPS材料的FeFET器件及其制造方法_江苏扬贺扬微电子科技有限公司_202511309799.7
    本发明公开了基于3D CIPS材料的FeFET器件及其制造方法，涉及集成电路制造技术领域，本发明基于金属‑绝缘体‑金属电容器构建镍‑铜铟硫代磷酸盐‑镍电容结构，铜铟硫代磷酸盐作介质材料，无需高温退火，避免高温导致晶粒粗化，极化强度降低，氧空...
    2025-12-30
  • 一种抗辐照MOS管、集成电路版图结构及制造方法
    一种抗辐照MOS管、集成电路版图结构及制造方法_江苏万邦微电子有限公司_202511371342.9
    本申请公开了一种抗辐照MOS管、集成电路版图结构及制造方法，包括半导体衬底和栅电极区，半导体衬底上设置有第一导电类型的有源区，栅电极区沿自身的长度方向铺设在有源区的上方，在有源区中沿栅电极区的长度方向依次设置有第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺...
    2025-12-30
  • 一种抗辐照MOS晶体管版图结构及其制造方法
    一种抗辐照MOS晶体管版图结构及其制造方法_江苏万邦微电子有限公司_202511371347.1
    本申请公开了一种抗辐照MOS晶体管版图结构及其制造方法，包括半导体衬底，设置在其上的有源区和栅电极区，在有源区中沿栅电极区的长度方向依次设置有第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第一掺杂区和第三掺杂区为第一导电类型掺杂区，第二掺杂区为第二导...
    2025-12-30
  • 一种降低SiC MOSFET转移特性曲线零温度系数电压的器件结构及其制备方法
    一种降低SiC MOSFET转移特性曲线零温度系数电压的器件结构及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511090267.9
    本发明涉及一种降低SiC MOSFET转移特性曲线零温度系数电压的器件结构及其制备方法，所述器件结构依次包括衬底(1)、N‑漂移区(2)、电流扩展层(3)、jfet区(4)；所述N‑漂移区(2)上通过离子注入形成有pwell区(5)；所述p...
    2025-12-30
  • 屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法
    屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511133890.8
    本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法。本申请公开了一种SGT‑MOSFET，其在漂移区内邻近沟槽侧壁的位置形成一个N型局部重掺杂区。该SGT‑MOSFET的制造方法通过三次沟槽刻蚀和一次杂质扩散工艺，在漂移区中段精确形成该局部重...
    2025-12-30
  • 一种高可靠性多层栅极碳化硅VDMOS及其制备方法
    一种高可靠性多层栅极碳化硅VDMOS及其制备方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511278131.0
    本发明涉及半导体器件及其制造方法领域，特别涉及一种高可靠性多层栅极碳化硅VDMOS及其制备方法，所述高可靠性多层栅极碳化硅VDMOS包括：承载P+防护结构的VDMOS与P+防护结构；承载P+防护结构的VDMOS采用多层栅极，P+防护结构包括...
    2025-12-30
  • 一种低压SGT器件终端结构及金属填充浅槽方法
    一种低压SGT器件终端结构及金属填充浅槽方法_上海萃锦半导体有限公司_202511352165.X
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体涉及一种低压SGT器件终端结构及金属填充浅槽方法，该结构包括：元胞区域和终端区域，在所述终端区域中距离元胞区域最近的一个终端沟槽与所述元胞区域之间，设置有浅槽源桥结构，所述浅槽源桥结构包括深度小于终端沟...
    2025-12-30
  • 一种高可靠沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备工艺
    一种高可靠沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备工艺_无锡新洁能股份有限公司_202511361986.X
    本发明涉及一种半导体器件，具体涉及一种高可靠沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备工艺，器件包括漏极金属及N型漏极，在N型漏极上设有N型外延层作为器件的漂移区，在N型外延层的上表面设有纵向沟槽，纵向沟槽内部设有绝缘介质，外围被P型阱区所包裹，...
    2025-12-30
  • 一种沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备工艺
    一种沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备工艺_无锡新洁能股份有限公司_202511361988.9
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备工艺，包括漏极金属及位于其上表面的N型漏极，在N型漏极上设有的N型外延层，在N型外延层上方设有纵向沟槽，纵向沟槽内设有绝缘介质，纵向沟槽外围被P型阱区包裹，P型阱区位...
    2025-12-30
  • 一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片
    一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511692007.9
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片，通过将器件内部的P型阱区离散为掺杂浓度不同的第一P型阱区、第二P型阱区、第三P型阱区，第三P型阱区位于栅氧化层的下方，第一P型阱区和第二P型阱区位于栅氧化层的外...
    2025-12-30
  • 一种环栅晶体管及其制造方法
    一种环栅晶体管及其制造方法_北京知识产权运营管理有限公司_202511108078.X
    本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于使得环栅晶体管中顶层纳米结构具有满足工作要求的厚度，减少顶层纳米结构的界面态缺陷，提高环栅晶体管的良率。所述环栅晶体管包括：半导体基底，以及设置在半导体基底上的有源结构、栅堆叠...
    2025-12-30
  • 集成有/无接入区器件的同厚度无串扰二维浮栅结构
    集成有/无接入区器件的同厚度无串扰二维浮栅结构_北京理工大学_202511296371.3
    本发明公开了一种集成有/无接入区器件的同厚度无串扰二维浮栅结构，所述二维浮栅结构包括衬底层、位于衬底层上方的绝缘层、位于绝缘层上方的有接入区浮栅层及无接入区浮栅层，位于有接入区浮栅层及无接入区浮栅层上方的隧穿层；位于隧穿层上方的沟道层；位于...
    2025-12-30
  • SONOS存储器件及其形成方法
    SONOS存储器件及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511288435.5
    本发明公开了一种SONOS存储器件及其形成方法，该SONOS存储器件包括：衬底；所述衬底包括位于中部区域的第一衬底以及位于两端的第二衬底；位于所述第一衬底上的ONO介质层以及栅极；位于所述第二衬底中的源极以及漏极；所述源极、所述漏极分别位于...
    2025-12-30
  • 提升耗尽管性能一致性的方法
    提升耗尽管性能一致性的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511101997.4
    本发明公开了一种提升耗尽管性能一致性的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成第一高压场板氧化物层；以此第一高压场板氧化物层作为注入阻挡层，进行耗尽管的掺杂注入以形成耗尽掺杂区；之后，在第一高压场板氧化物层上形成第二高压场板氧化物层；最后，对所...
    2025-12-30
  • 超结器件的制造工艺
    超结器件的制造工艺_华虹半导体(无锡)有限公司_202511232299.8
    本申请公开了一种超结器件的制造工艺，包括：提供成对的晶圆，所述晶圆包括衬底和形成在所述衬底上的外延层，所述外延层中形成有深沟槽结构，其中，成对的所述晶圆包括第一晶圆和第二晶圆；对所述第一晶圆和第二晶圆进行正面键合工艺，使得所述第一晶圆中的深...
    2025-12-30
  • 一种GaN图形化衬底的制备方法及GaN图形化衬底
    一种GaN图形化衬底的制备方法及GaN图形化衬底_北京大学东莞光电研究院_202511353214.1
    本发明公开了一种GaN图形化衬底的制备方法及GaN图形化衬底，可以将GaN层完全刻蚀但不刻蚀蓝宝石层，并可使刻蚀坑内侧面垂直度好，有利于GaN液相成核与自动分离。该制备方法包括以下步骤：对蓝宝石层进行激光刻蚀得到第一通孔；对第一通孔进行真空...
    2025-12-30
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