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最新专利技术
  • 一种垂直打线引PIN的双面塑封结构及制造方法
    一种垂直打线引PIN的双面塑封结构及制造方法_华天科技(南京)有限公司_202511286288.8
    本发明提供了一种垂直打线引PIN的双面塑封结构，其能够引出更多的功能信号，减轻了前端设计压力，提升了封装集成度。其包括：基板；正面芯片组件和器件组件；背面FC芯片；正面塑封体；背面塑封体；若干垂直焊丝；以及若干凸块；所述基板为双面基板，所述...
    2026-01-26
  • 半导体单元、半导体器件和电子设备
    半导体单元、半导体器件和电子设备_北京超弦存储器研究院_202410726010.7
    本申请实施例提供了一种半导体单元、半导体器件和电子设备。该半导体单元包括第一晶体管和第二晶体管，沿平行于衬底的第一方向排布。第一晶体管，为双栅晶体管，包括第一栅极、第二栅极和第一半导体层，第一栅极垂直于衬底并用于与读取字线电连接，第一半导体...
    2026-01-26
  • 一种功率模块芯片互联的预制银焊片及其制作方法
    一种功率模块芯片互联的预制银焊片及其制作方法_合肥钧联汽车电子有限公司_202511135379.1
    本发明提供了一种功率模块芯片互联的预制银焊片及其制作方法，包括薄银片、涂覆在所述薄银片上下表面的银膏层以及通过所述银膏层固定在所述薄银片上的芯片。本发明的预制银焊片通过独特的结构和工艺设计，在电气性能、热管理性能、工艺适应性以及产品一致性等...
    2026-01-26
  • 电路基板组件及功率模块
    电路基板组件及功率模块_尼克森微电子股份有限公司_202410737451.7
    本发明提供一种电路基板组件及功率模块。电路基板组件包括第一导电区块、第二导电区块、第一连接胶体以及第一导电层。第一导电区块具有相对的第一顶面及第一底面。第二导电区块具有相对的第二顶面及第二底面，第二导电区块与第一导电区块之间具有第一槽道。第...
    2026-01-26
  • 低轮廓功率模块
    低轮廓功率模块_英飞凌科技股份有限公司_202510734282.6
    本文涉及一种低轮廓功率模块。功率模块包括衬底、多个功率半导体管芯、电绝缘外壳、以及用于功率半导体管芯的电接口。衬底包括通过电绝缘主体彼此分隔开的第一金属化侧和第二金属化侧。多个功率半导体管芯附接到衬底的第一金属化侧。电接口能够电绝缘外壳外部...
    2026-01-26
  • 引线框架、封装结构、电子设备、以及封装方法
    引线框架、封装结构、电子设备、以及封装方法_长电科技(宿迁)有限公司_202511397331.8
    一种引线框架、封装结构、电子设备、以及封装方法；引线框架包括：多个引脚，引脚包括用于被塑封层包封的第一引脚部，各个第一引脚部上均设有多个孔部，使得在形成包封引线框架的塑封层的过程中，用于形成塑封层的熔体能够流入至第一引脚部上的孔部中，熔体固...
    2026-01-26
  • 一种功率模块的布局结构
    一种功率模块的布局结构_飞锃半导体(上海)有限公司_202511453503.9
    本申请提供一种功率模块的布局结构，所述功率模块的布局结构包括：绝缘基板；第一导电薄膜，位于所述绝缘基板两侧表面，所述第一导电薄膜上形成有若干上桥芯片；第二导电薄膜，位于所述绝缘基板中部表面，所述第二导电薄膜上形成有若干下桥芯片以及上桥源极，...
    2026-01-26
  • 应对BGA焊球阻抗突变的封装基板高速信号线布线结构
    应对BGA焊球阻抗突变的封装基板高速信号线布线结构_成都忆芯科技有限公司_202410741887.3
    本申请提供一种应对BGA焊球阻抗突变的封装基板高速信号线布线结构，该布线结构包括：位于封装基板内的第一层结构，第一层结构为金属层且包括位于焊球上方的挖空区域，第一层结构的金属层在挖空区域内的部分被去除；位于第一层结构与第二层结构之间的第一过...
    2026-01-26
  • 射频前端模组结构及其制作方法
    射频前端模组结构及其制作方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511187257.7
    本发明公开一种射频前端模组结构及其制作方法，该射频前端模组结构包括：第一衬底，第一衬底的正面具有凹槽；高密度互连板，高密度互连板的正面设有多个滤波器芯片，高密度互连板的正面与第一衬底的正面键合并封闭凹槽形成空腔，多个滤波器芯片位于空腔内；高...
    2026-01-26
  • 一种基于HTCC的W波段CBGA封装垂直过渡结构
    一种基于HTCC的W波段CBGA封装垂直过渡结构_成都天成电科科技有限公司_202511206254.3
    本申请涉及一种基于HTCC的W波段CBGA封装垂直过渡结构，包括：GaAs芯片、GSG、第一GCPW带线、HTCC陶瓷基板、第一信号孔、第一接地孔、第二信号孔、第二接地孔、BGA焊球、第二GCPW带线和PCB板；GaAs芯片设置在HTCC陶...
    2026-01-26
  • 一种玻璃基板结构和半导体封装基板
    一种玻璃基板结构和半导体封装基板_中国科学院微电子研究所_202511241122.4
    本发明公开一种玻璃基板结构和半导体封装基板，以解决基板切割时玻璃芯板的边缘易发生开裂的问题。玻璃基板结构包括：玻璃芯板具有相对的第一面和第二面，第一面和第二面均覆盖布线线路，玻璃芯板开设多个阵列分布的玻璃芯板单元，相邻两个玻璃芯板单元间具有...
    2026-01-26
  • 一种玻璃基板结构及其制造方法
    一种玻璃基板结构及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511242482.6
    本发明公开一种玻璃基板结构及其制造方法，以解决玻璃基板通孔在加工过程中孔口处易开裂的问题。玻璃基板结构包括：玻璃芯板具有相对的第一面和第二面以及多个通孔，每个通孔均贯通第一面和第二面；每个通孔内均填充有导电缓冲结构，导电缓冲结构沿通孔的径向...
    2026-01-26
  • 半导体装置封装及其制造方法
    半导体装置封装及其制造方法_日月光半导体制造股份有限公司_202511255872.7
    本申请涉及一种半导体装置封装及其制造方法。一种半导体装置封装包含第一电介质层、第一导电层、电子组件、第二电介质层、第二导电层及封装主体。所述第一电介质层具有顶表面、与所述顶表面相对的底表面及在所述顶表面与所述底表面之间延伸的侧向表面。所述第...
    2026-01-26
  • 一种高结合力底部填充封装基板及其制作方法
    一种高结合力底部填充封装基板及其制作方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511280244.4
    本发明涉及封装基板领域，特别涉及一种高结合力底部填充封装基板及其制作方法。一种高结合力底部填充封装基板，其特征在于，表面布有非导电膜，非导电膜上布有防焊层，所述防焊层上有开孔，所述开孔内壁为锯齿状，所述开孔内布有焊球。能够提升高密度互连细间...
    2026-01-26
  • 一种基于覆铜陶瓷基板的满足爬电距离的TO247封装结构
    一种基于覆铜陶瓷基板的满足爬电距离的TO247封装结构_宁波萃锦科技发展有限公司_202511297541.X
    本发明涉及封装结构技术领域，具体涉及一种基于覆铜陶瓷基板的满足爬电距离的TO247封装结构，包括壳体、引线框架、覆铜陶瓷基板以及半导体晶粒；所述引线框架、所述覆铜陶瓷基板和所述半导体晶粒均设置于所述壳体内，且引线框架与覆铜陶瓷基板固定连接；...
    2026-01-26
  • 封装结构及其制造方法
    封装结构及其制造方法_日月光半导体制造股份有限公司_202511314905.0
    提供一种封装结构和一种用于制造封装结构的方法。所述封装结构包含第一导电结构和第二导电结构。所述第一导电结构包含至少一个电介质层和与所述电介质层接触的至少一个电路层。所述第二导电结构接合到所述第一导电结构。所述第二导电结构包含至少一个电介质层...
    2026-01-26
  • 封装基板及其制造方法
    封装基板及其制造方法_唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司_202511419281.9
    本发明提供了一种封装基板及其制造方法，所述封装基板包括：基板，所述基板中具有开口；导电结构，所述导电结构位于所述开口中并和所述开口的侧壁连接；以及，互连层，所述互连层包括导电垫，所述导电垫位于所述基板的表面并和所述导电结构连接；其中，所述导...
    2026-01-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411703077.5
    本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：衬底；晶体管；包围晶体管的第一介质层；位于第一介质层上的第二介质层；接触插塞，从第二介质层的表面向下延伸；至少一个导电部，从第二介质层的表面向下延伸，包括第一导电...
    2026-01-26
  • 一种异构集成封装结构及其制备方法
    一种异构集成封装结构及其制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511213635.4
    本发明提供一种异构集成封装结构及其制备方法，本发明的异构集成封装结构包括：芯片组件；散热板，芯片组件键合至散热板；梯度材料转接结构，位于散热板远离芯片组件的一侧，梯度材料转接结构包括有机载板、玻璃中介层、转接板，有机载板位于散热板远离芯片组...
    2026-01-26
  • 晶圆结构及制造方法
    晶圆结构及制造方法_长江存储科技有限责任公司_202511292600.4
    本申请提供了晶圆结构及制造方法，该晶圆结构包括：衬底，位于衬底上的膜层，位于膜层中或上的反光图案，位于膜层的界面键合标记，界面键合标记位于反光图案远离衬底的一侧。反光图案与界面键合标记在垂直于衬底所在平面的方向上至少部分重叠，反光图案的图案...
    2026-01-26
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