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  • 本申请涉及一种太阳电池串及其制备方法、焊接设备。上述太阳电池串的制备方法包括如下步骤:在太阳电池表面设置热固胶和焊带,得到中间产品;对中间产品依次进行连续的第一热处理、第二热处理和降温处理,使热固胶固化,且焊带和太阳电池形成电性接触;第一热...
  • 本申请提供了一种太阳电池制备方法、太阳电池及光伏组件,包括:提供具有副栅图案的太阳电池初始结构,太阳电池初始结构包括沿第一方向对称设置的两个待处理区域,当其中一个待处理区域为激光烧结区时,另一个待处理区域为偏压施加区;对太阳电池初始结构进行...
  • 本申请涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种太阳电池及其制备方法和制造设备、光伏组件。该制备方法包括以下步骤:在硅片上预沉积硼源;对预沉积有硼的硅片进行氧化推结;氧化推结的步骤包括依次进行的第一氧化步骤和第二氧化步骤;第一氧化步骤的时长为700...
  • 本公开提供了一种隧穿介质层的制备方法及太阳电池。该隧穿介质层的制备方法包括如下步骤:在衬底上制备隧穿材料层;以及,采用含氢离子的等离子体对所述隧穿材料层进行刻蚀,并控制所述隧穿材料层的减薄量在0.3nm以上。该制备方法能够选择性优先去除隧穿...
  • 本发明涉及一种太阳电池的边缘钝化方法、太阳电池及光伏组件。上述太阳电池的边缘钝化方法包括以下步骤:在太阳电池的表面制备缓冲保护结构;对太阳电池进行分切;将多个分切后的太阳电池层叠设置,使相邻的太阳电池之间具有缓冲保护结构;对层叠设置的多个太...
  • 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池的制备方法包括如下步骤:于衬底的表面上形成本征硅层;于本征硅层的至少一个表面上依次进行第一沉积和第二沉积,以在本征硅层的至少一个表面上依次形成孵化层和掺杂微晶硅层,孵化层的材料为非晶硅;第...
  • 本申请提供了一种太阳电池的制备方法,包括:提供太阳电池基片;去除部分的钝化层暴露出多晶硅层以形成欧姆接触区,并在钝化层上形成对位基准点;在第一表面上形成金属种子层,并使对位基准点暴露在外;以对位基准点为基准对太阳电池基片进行定位,在第一表面...
  • 本申请涉及一种光伏电池串及其制作方法,其中光伏电池串制作方法包括以下步骤:在基板表面制作电极以形成电池片;将焊带铺设于电池片上,使焊带与基板固定,并使焊带与电极紧密接触;在焊带的表面与电极的表面制作金属防腐层。上述光伏电池串及其制作方法通过...
  • 本发明公开了一种工件生产系统的控制方法及系统。该方法应用于工件生产系统,工件生产系统包括至少一个加工工序分别对应的第一加工设备、至少一个加工工序分别对应的检测设备,和至少一个运输设备;方法包括:第一加工设备对待加工工件进行第一工序对应的加工...
  • 本发明公开了一种光伏电池互联方法及光伏电池组件,涉及光伏电池技术领域,包括:在光伏电池正极所在面的第一侧边边缘设置正极汇流带,在光伏电池负极所在面的第二侧边边缘设置负极汇流带,将正极汇流带、负极汇流带分别与光伏电池上的正、负极焊带连接;将若...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,公开了一种用于N型晶硅电池丝网印刷前的硅片清理辅助装置,包括:清洗池,所述清洗池的数量为三个,每个清洗池上方均有一个对应的承载组件,所述承载组件用于放置多个硅片并控制硅片升降,本发明通过三个清洗池的设置,当硅片...
  • 本发明公开了一种碲镉汞微台面阵列的成型方法,涉及碲镉汞双色探测器制造领域。该方法包括:首先采用刻蚀气体组合为CH4‑H2‑Ar的条件通过等离子体刻蚀获得一定深度的微台面阵列结构,然后采用兆声辅助湿法腐蚀的方法进行剩余深度结构的腐蚀,在保证微...
  • 本发明公开了一种光伏板生产设备,属于光伏板生产领域。一种光伏板生产设备,包括输送架体以及安装在其上的传输带,所述输送架体顶部两侧分别固定有预热箱和层压箱,所述预热箱和层压箱两侧均开设有进料敞口,还包括导热管,所述导热管固定在层压箱内,所述导...
  • 本发明公开了一种红外探测器芯片背减薄工艺,包括设计器件版图切割道宽度90‑150微,对切割道区域进行深刻蚀至缓冲层,经减薄工艺和湿法工艺将芯片旧边缘腐蚀去除后产生新的芯片边界,去除划片和减薄工艺过程中对器件边缘造成的损伤,进而提升二类超晶格...
  • 本申请涉及一种异质结太阳能电池的制备方法、异质结太阳能电池及设备,涉及光伏电池技术领域。本申请的异质结太阳能电池的制备方法可以包括提供一衬底,对衬底进行清洗制绒;通过干法刻蚀去除衬底表面的自然氧化层;采用真空薄膜沉积技术在衬底的表面形成目标...
  • 本发明公开了一种基于新型前驱体溶液添加剂制备高效铜铟硒薄膜太阳能电池的方法,该方法在制备铜铟硒薄膜太阳能电池吸收层的前驱体溶液中加入浓盐酸溶液作为添加剂,其可以有效解决溶液法制备CIGS吸收层结晶度差、杂质残余量高影响CIGS薄膜太阳电池光...
  • 本发明涉及光伏组件制造技术领域,尤其为一种柔性叠瓦便携组件的制备方法,包括以下步骤:使用激光划片将单晶或多晶硅电池片切割成若干小片,切割深度为电池片厚度的40%‑60%;在电池片主栅线位置,使用导电胶将≥2个小片串联叠合;采用电磁加热焊接工...
  • 本发明公开了一种改善TOPCon电池UVID衰减的方法,将待加工的电池硅片放于ALD炉体炉中,炉体内部升温至270℃,关闭炉门,并密封;炉体设置预留口密封连接抽真空装置,将炉体内部腔体压力抽至真空状态;在炉体底部设置恒温加热装置,智能控制恒...
  • 本发明涉及一种隧穿氧化层的制备方法、太阳能电池及其制备方法,隧穿氧化层的制备方法包括如下步骤:在硅片表面沉积第一非晶硅层,经氧化处理形成氧化非晶硅层;对氧化非晶硅层进行退火处理,制得隧穿氧化层。本发明所述的制备方法不仅能够调节隧穿氧化层的微...
  • 本发明公开了一种提升硼扩散制备硼镓共掺杂改性硅片的方法及其应用,属于晶硅太阳电池制造的技术领域,该方法将磷掺杂硅片放入管式炉中,通入BCl3与GaCl3,再通入氧气,进行置换反应,置换出硼、镓单质原子并扩散沉积在硅片上,得到硼镓共掺杂改性硅...
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