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  • 本发明是一种球状的Ni系尖晶石铁氧体粉末,该铁氧体粉末的圆形度系数为0.75~1.00,平均粒径D50为0.1μm~200μm,将60vol%上述铁氧体粉末与树脂混炼时,50MHz下的介电常数为1~13。
  • 根据一些实施例,一种高频(HF)自屏蔽电感器包括:外壳,所述外壳具有分布式或准分布式间隙和两个或更多个凹口;内芯,所述内芯设置在所述外壳内并且具有分布式或准分布式间隙;线圈绕组,所述线圈绕组设置在所述内芯和所述外壳之间;两个端盖,所述两个端...
  • 作为电感元件的综合特性优异的本发明的线圈零件(100)具备:第1线圈导体部(10)及第2线圈导体部(20),两者均具有绕沿第1方向的轴O远离轴O的螺旋状的第1螺旋部(11),且在第1方向上排列;通孔部VP,其将第1线圈导体部(10)与第2线...
  • 一种集成设备包括:裸片基板;裸片互连部分,该裸片互连部分耦合到裸片基板;和堆叠电感器,该堆叠电感器包括第一8字形电感器和第二8字形电感器。堆叠电感器可包括:第一螺旋线圈,该第一螺旋线圈包括第一起始端和第一末端;第二螺旋线圈,该第二螺旋线圈包...
  • 本公开要解决的技术问题是在具有多个线圈的电子部件中,减少多个线圈的特性的差异。本公开的线圈部件(100)具备埋入素体(10)的线圈(C1、C2)。素体(10)包含由磁性材料构成的磁性部(17)和由非磁性材料构成的非磁性部(18)。素体(10...
  • 本发明提供一种卷绕时容易平滑地弯曲的电极箔的制造方法、以及卷绕式电容器的制造方法。电极箔1的制造方法具有:扩面化步骤(S01),在带状的箔的表面形成扩面部;以及分割步骤(S03、S06),使分割扩面部3的多个裂缝4沿箔的带的宽度方向延伸。分...
  • 一种电介质,其具备第一部位和第二部位。第一部位含有氧化钽及碲、并且位于电介质的表面。第二部位含有氧化钽、并且由第一部位覆盖。第一部位中的碲的含有率高于第二部位中的碲的含有率。
  • 电容器包含:第1电极、形成于第1电极的表面的电介质层、配置于电介质层上的导电层、以及配置于导电层上的第2电极。导电层在第2电极侧的表层具有由无机材料形成的针状结构。
  • 电容器包含第一电极、第二电极和电解液。第一电极和第二电极中的至少一者是包含含氮碳材料的电极。含氮碳材料包含六元环,六元环包含1个以上的羰基碳和2个以上的氮原子中的至少一者。
  • 一种改进的电气装置,其包括高压开关装置和快速断开装置。所述开关装置用于选择性地打开/关闭高压电路。所述快速断开装置可包括烟火致动器,所述烟火致动器能施力使可动接触部远离固定接触部,并可选地将所述可动接触部保持在引爆状态。
  • 烧结材料的制造方法,其是由铱和铈构成的烧结材料的制造方法,包括:准备由铱和铈构成的烧结体的工序;和在氧分压为10‑1Pa以下的气氛下,于1400~1800℃的温度经0.5小时以上对烧结体进行加热处理而得到烧结材料的工序。烧结材料,其为由铱和...
  • 公开一种固定面板至离子源的腔室壁的扣件。离子源安置于具有凸缘的源壳体上。扣件包括具有类似于修圆矩形的横截面的两个条带。每一条带具有两个附接部分及一接合部分,所述接合部分靠在面板的外表面上。附接部分穿过凸缘中的开口且附接至设置于凸缘的相对侧上...
  • 描述了半导体处理系统及系统部件。所述系统部件包括半导体处理腔室的腔室盖,所述腔室盖包括电介质材料,所述电介质材料具有基本上圆盘形状且将盖部分及气体输送喷嘴部分整合为单个结构。所述腔室盖包括多个气体流动路径,所述气体流动路径各自从所述腔室盖的...
  • 本发明涉及等离子体状态及等离子体工艺状态的监测方法及装置,电子装置从多个传感器获得的传感数据中收集与预设传感数据收集条件对应的传感数据,所述电子装置同时执行所述传感数据的存储和预处理,所述电子装置筛选用于学习的输入数据并执行学习,以及所述电...
  • 公开了用于气体中枢和递送喷嘴的增材制造的示例结构、方法和系统。一个示例结构包括一体式气体中枢和分配喷嘴,所述一体式气体中枢和分配喷嘴包括气体中枢部分和气体递送喷嘴部分。所述气体中枢部分包括多个进气口路径和一个或多个充气腔室。所述多个进气口路...
  • 一种蚀刻和沉积系统包括:制程腔室,包含用于支撑基底的平台;反应性离子蚀刻(RIE)源,适配于产生离子束并将离子束导入制程腔室中以蚀刻基底;第一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)源,位于RIE源的第一侧上,第一PECVD源适配于产生第一自...
  • 离子植入器,包括产生离子束的离子源、一组将离子束沿着与参考平面垂直的束轴引导至基板的束线元件、容纳接收离子束的基板的制程腔室,以及锥光系统。锥光系统可包括:将光引导至基板位置的照明光源、第一偏光片组件,包含第一偏光片元件和配置在第一偏光片元...
  • 一种装置可包括设置于会聚离子束总成的下游的电动质量分析(EDMA)总成。EDMA总成可包括第一级,第一级包括:第一上部电极,设置于束轴线上方;以及第一下部电极,设置于束轴线下方且与第一上部电极相对。EDMA总成亦可包括第二级,第二级设置于第...
  • 本发明涉及一种用于离子分子反应‑质谱(IMR‑MS)和/或质子转移反应‑质谱(PTR‑MS)的装置和用于操作装置的方法,用于通过经由特定类型的试剂离子的化学电离来分析用于至少一种被分析化合物的气体,该装置包括:试剂离子源,具有中空阴极辉光放...
  • 本公开的目的在于,在再次利用晶片的半导体器件的制造中,提高生产率并且抑制晶片破裂。本公开所涉及的半导体器件的制造方法具备:(a)通过在厚度方向上分割多个SiC晶片(13、17)的每一个,从各SiC晶片(13、17)得到不包含器件构造(12、...
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