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最新专利技术
  • 用于光伏电池板生产的输送定位工装
    用于光伏电池板生产的输送定位工装_合肥凌山新能源科技有限公司_202511152225.3
    本发明涉及光伏板生产技术领域，公开了一种用于光伏电池板生产的输送定位工装，包括工作台和翻转台，所述翻转台上还设置有侧定位组件和顶升板，所述顶升板下方设置有驱动组件，所述驱动组件同时与侧定位组件以及顶升板活动连接，另外翻转台还设置有真空吸盘和...
    2025-12-03
  • 一种芯片封装加工用校正装置及其使用方法
    一种芯片封装加工用校正装置及其使用方法_南通优睿半导体有限公司_202511449840.0
    本发明属于半导体器件校正技术领域，具体的说是一种芯片封装加工用校正装置及其使用方法，包括机座；所述机座上固接有伺服电机；所述伺服电机的输出端固接有齿轮；通过设置的两个校正板相互靠近，校正板的长条板圆弧一端对芯片进行第一次范围校正，配合两个校...
    2025-12-03
  • 基板承载装置及显示面板的制造方法
    基板承载装置及显示面板的制造方法_成都辰显光电有限公司_202410572061.9
    本申请提供一种基板承载装置及显示面板的制造方法，涉及半导体技术领域，所述基板承载装置包括静电卡盘、第一电量感应检测器、第二电量感应检测器、第三电量感应检测器以及电源提供模块；静电卡盘用于放置基板；电源提供模块包括第一电极、第二电极及控制组件...
    2025-12-03
  • 半导体基板腐蚀设备及腐蚀方法
    半导体基板腐蚀设备及腐蚀方法_上海集成电路材料研究院有限公司_202410579785.6
    本发明提供一种半导体基板腐蚀设备及腐蚀方法，设备包括：晶圆载具，设置有第一卡槽结构，第一卡槽结构用于夹持晶圆；腐蚀槽，至少包括两个腐蚀腔室，相邻两个腐蚀腔室之间设有用于夹持晶圆载具的第二卡槽结构，当第二卡槽结构夹持晶圆载具时，两个腐蚀腔室之...
    2025-12-03
  • 一种晶圆片揭膜辅助夹具
    一种晶圆片揭膜辅助夹具_安徽积芯微电子科技有限公司_202511085168.1
    本发明公开了一种晶圆片揭膜辅助夹具, 属于晶圆加工技术领域。一种晶圆片揭膜辅助夹具，包括底板、夹紧机构、吸膜组件、撕膜动力组件、膜下料组件、废膜收集箱、晶圆下料组件、存储板；夹紧机构设置在底板上，夹紧机构用于夹紧、松开晶圆片本体；所述吸膜组...
    2025-12-03
  • 精密组合平台及晶圆检测系统
    精密组合平台及晶圆检测系统_深圳市克洛诺斯科技有限公司_202511088926.5
    本发明涉及一种精密组合平台及晶圆检测系统，精密组合平台包括：底座；承载台，承载台顶面的支撑平面支撑晶圆；旋转驱动件，安装于底座，旋转驱动组件的驱动端连接于承载台并支撑承载台，旋转驱动组件带动承载台在水平面内转动；升降调平驱动机构，承载台通过...
    2025-12-03
  • 一种基于TGV湿法喷淋设备的模块化夹具结构
    一种基于TGV湿法喷淋设备的模块化夹具结构_正阳融合微电子技术(珠海)有限公司_202511462950.0
    本发明提供了一种基于TGV湿法喷淋设备的模块化夹具结构，包括夹具安装架和安装框架，所述夹具安装架的四周分别设置有夹具夹持杆，所述安装框架由位于四角的产品支撑部以及连接于相邻所述产品支撑部之间的细长连接部共同构成，所述产品支撑部包括对角平台，...
    2025-12-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511090494.1
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括在基板上形成栅极结构，在栅极结构上沉积第一介电材料，执行第一植入工艺以对具有平坦顶表面的基板进行植入，以在基板中形成第一掺杂区，执行第二植入工艺以对具有平坦顶表面的基板进行植入，以在基板中形成第二掺...
    2025-12-03
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510969543.2
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，在制备方法中，在刻蚀第一厚度的外延层，以形成第一沟槽之后，通过扩散工艺，在第一沟槽的侧壁和底壁的外延层中进行第一导电类型离子掺杂，以形成离子掺杂区，随后根据开口，继续向下刻蚀第二厚度的外延层，以形成第二...
    2025-12-03
  • 键合晶圆的制备方法
    键合晶圆的制备方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511101327.2
    本发明提供一种键合晶圆的制备方法，包括：对器件衬底执行第一氧化工艺，以在器件衬底上形成氧化层，氧化层具有第一预设厚度；对器件衬底执行第二氧化工艺，以使氧化层的厚度从第一预设厚度增加至第二预设厚度；接着，对器件衬底执行第三氧化工艺，以使氧化层...
    2025-12-03
  • 一种半导体结构的制造方法及半导体结构
    一种半导体结构的制造方法及半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511454008.X
    本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，其中半导体结构的制造方法包括以下步骤：提供一衬底；形成堆叠层于衬底上；蚀刻部分堆叠层和部分衬底，形成第一沟槽于衬底中和堆叠层中；形成牺牲层于第一沟槽的槽壁上和堆叠层上；填充第一沟槽，形成浅沟...
    2025-12-03
  • 射频器件的衬底及其制备方法
    射频器件的衬底及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510972272.6
    本申请提供一种射频器件的衬底及其制备方法，其中在制备方法中，先在高阻基底中刻蚀形成若干沟槽，然后对高阻基底进行离子注入工艺，以在沟槽的底壁上形成非晶硅层，接着通过外延工艺在沟槽中形成本征外延层，其中，在形成该本征外延层的过程中，在各沟槽靠近...
    2025-12-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410565215.1
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括若干交替分布的第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有有源区，所述第二区域的半导体衬底表面形成有第一介质层，所述第一介质层的顶面低于所述有源区...
    2025-12-03
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410573351.5
    一种半导体结构的形成方法，包括：形成抗粘附层后，在开口的侧壁上选择性沉积浸润阻挡层；形成浸润阻挡层后，去除抗粘附层，使开口底部的第一互连结构被暴露；去除抗粘附层后，在开口中形成第二互连结构，第二互连结构与对应的第一互连结构直接接触。由于开口...
    2025-12-03
  • 一种混合键合封装结构及其制作方法
    一种混合键合封装结构及其制作方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410579078.7
    本发明提供一种混合键合封装结构及其制作方法，该混合键合封装结构的制作方法包括以下步骤：提供一包括多个第一封装体的晶圆，第一封装体上表层设有第一电极层；于晶圆的上表面介质层及位于介质层上且与第一电极层电连接的布线层；于布线层上表面形成第二介电...
    2025-12-03
  • 优化硅通孔研磨的方法
    优化硅通孔研磨的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510969206.3
    本发明公开了一种优化硅通孔研磨的方法。该方法包括：在硅衬底中形成硅通孔；在硅通孔底部预先填充一层介质层；随后在其中填充导电材料；最后对硅衬底背面进行减薄处理。在减薄过程中，该介质层作为研磨辅助层，用于调和导电材料与硅衬底间的研磨速率差异，并...
    2025-12-03
  • 用于改善半导体器件中通孔阵列区域铜损耗的后刻蚀处理方法
    用于改善半导体器件中通孔阵列区域铜损耗的后刻蚀处理方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511063018.0
    本申请公开了一种用于改善半导体器件中通孔阵列区域铜损耗的后刻蚀处理方法，尤其适用于后段金属互连双大马士革工艺。为解决一体化刻蚀后、湿法剥离前，因常规后刻蚀处理不足导致的通孔底部铜损耗问题，本方法在一体化刻蚀形成暴露下层铜金属的通孔结构后、湿...
    2025-12-03
  • 优化阻挡层沉积的方法
    优化阻挡层沉积的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511063695.2
    本申请公开了一种优化阻挡层沉积的方法，本方法包括：在基底凹陷形貌内沉积阻挡层结构后，首先采用氩气等离子体对该阻挡层结构执行第一重溅射处理，利用氩气的高效溅射能力将沉积在底部的阻挡层材料溅射至侧壁，以增强侧壁覆盖；接着，采用氦气等离子体对该阻...
    2025-12-03
  • 半导体封装结构的形成方法
    半导体封装结构的形成方法_长电微电子(江阴)有限公司_202511455321.5
    本申请公开了一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体基底，包括相对的第一表面和第二表面，半导体基底中具有若干分立的通孔互连结构；平坦化半导体基底的第二表面，直至露出通孔互连结构的远离半导体基底第一表面的一端表面；在半导体基底的第一表面...
    2025-12-03
  • 导电通道的形成方法
    导电通道的形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511481306.8
    本申请提供了一种导电通道的形成方法，涉及半导体技术领域，包括：在导电层上形成绝缘叠层；在绝缘叠层中形成沟槽/通孔；以及在沟槽/通孔中填充导电材料，用于形成与导电层接触的导电通道，其中，在形成沟槽/通孔的过程中，对绝缘叠层中的多个绝缘层进行湿...
    2025-12-03
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