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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510910105.9
    方法包括：接收第一衬底；在第二衬底上形成接合层；将第二衬底接合至第一衬底；在第二衬底上形成可移动膜， 形成包括实施蚀刻操作以穿过第二衬底的厚度形成贯穿通孔；以及在可移动膜的表面上形成第一抗粘附结构。第一抗粘附结构的形成与贯穿通孔的蚀刻操作和...
    2025-12-04
  • 一种双层隔热吸气剂芯片及制备方法
    一种双层隔热吸气剂芯片及制备方法_北京大学_202511076485.7
    本申请提供了一种双层隔热吸气剂芯片及制备方法， 芯片包括轴向重叠设置的支撑层、隔热层和吸气剂层；其中， 所述吸气剂层包括吸气剂薄膜和加热器；所述支撑层和所述隔热层之间形成隔热间隙， 以进一步阻止所述加热器激活所述吸气剂薄膜产生的热量向所述支...
    2025-12-04
  • MEMS封装结构、MEMS封装方法及电子设备
    MEMS封装结构、MEMS封装方法及电子设备_歌尔微电子股份有限公司_202510867661.2
    本申请提供了一种MEMS封装结构、MEMS封装方法及电子设备。所述MEMS封装结构包括基板， 所述基板上设置有MEMS芯片；隔离结构， 所述隔离结构设置于所述基板， 所述隔离结构围设形成隔离腔， 所述MEMS芯片位于所述隔离腔。本申请能够提...
    2025-12-04
  • 微机电结构、微机电结构的制备方法、传感器及电子设备
    微机电结构、微机电结构的制备方法、传感器及电子设备_歌尔微电子股份有限公司_202510868250.5
    本公开实施例公开了一种微机电结构、微机电结构的制备方法、传感器及电子设备， 所述微机电结构包括第一衬底层和第一绝缘层、第一电极层和支撑层和第二电极层， 所述支撑层设于所述第一绝缘层的靠近所述第一电极层的一侧并包覆部分所述第一电极层；所述第二...
    2025-12-04
  • 一种微纳米反结构阵列及其制备方法
    一种微纳米反结构阵列及其制备方法_岭南师范学院_202510806284.1
    本发明属于微纳米结构加工技术领域， 提供一种微纳米反结构阵列制备方法， 包括以下步骤：在第一衬底表面设计反结构轮廓， 在第一衬底表面旋涂抗蚀剂形成薄膜层；对薄膜层中反结构轮廓区域进行电子束曝光、显影得到轮廓模板；采用电子束蒸镀在轮廓模板表面...
    2025-12-04
  • 一种抑制振膜余振的封装方法
    一种抑制振膜余振的封装方法_广州蜂鸟传感科技有限公司_202510838275.0
    本发明公开了一种抑制振膜余振的封装方法， 涉及芯片封装技术领域， 包括以下步骤：画胶：将贴片胶以预定厚度画在载体上；嵌芯片：再将芯片倒扣， 使得芯片的衬体嵌入贴片内， 芯片的振膜平行于载体， 且保证载体上的声孔位于振膜的投影范围内。通过将芯...
    2025-12-04
  • 基于分体键合的MOEMS扫描光栅的晶圆级制造方法
    基于分体键合的MOEMS扫描光栅的晶圆级制造方法_东虹芯光(上海)高科技有限公司_202510976854.1
    本申请提供了基于分体键合的MOEMS扫描光栅的晶圆级制造方法， 涉及光电子器件制造技术领域， 包括：在第一晶圆上批量制备多个MEMS致动器；在第二晶圆上采用纳米压印工艺， 制备出与所述MEMS致动器位置精确对应的多个光学光栅结构。采用基于红...
    2025-12-04
  • 一种基于牺牲层释放工艺的微电极制备方法
    一种基于牺牲层释放工艺的微电极制备方法_安徽华鑫微纳集成电路有限公司_202510987059.2
    本发明属于光电器件加工技术领域， 具体涉及一种基于牺牲层释放工艺的微电极制备方法。首先在硅衬底上制备牺牲层， 然后依次在牺牲层上沉积第一材料层并热处理， 沉积金属电极层并图形化， 沉积第二材料层并热处理， 最后利用气态HF去除牺牲层， 得到...
    2025-12-04
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202510989821.0
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法， 所述半导体器件的制造方法包括：形成第一外延层于基底上；形成贯穿第一外延层的第一释放孔；形成图案化的第二牺牲层于部分第一外延层上， 图案化的第二牺牲层还延伸至第一释放孔的侧壁上；形成第二外延层于第一外延...
    2025-12-04
  • MEMS器件及其制造方法
    MEMS器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202510989822.5
    本发明提供一种MEMS器件及其制造方法， MEMS器件的制造方法包括：提供一基底， 基底上形成有第一半导体层；形成凹槽于第一半导体层中；形成第一释放孔贯穿凹槽底壁的第一半导体层以及第二释放孔贯穿凹槽外围的第一半导体层， 凹槽的宽度大于第一释...
    2025-12-04
  • 一种微阀门制造方法、微阀门及电子设备
    一种微阀门制造方法、微阀门及电子设备_玻芯成(重庆)半导体科技有限公司_202510998773.1
    本申请适用于微机电系统技术领域， 尤其涉及一种微阀门制造方法、微阀门及电子设备， 微阀门制造方法通过在基底的通孔的位置处设置至少两个阀门组件， 相邻两阀门组件之间具有条形间隙， 条形间隙在第一表面的投影至少部分落入通孔， 条形间隙与通孔形成...
    2025-12-04
  • 一种适配外球面电极的谐振子金属化制作方法
    一种适配外球面电极的谐振子金属化制作方法_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202511026394.2
    本发明涉及微机电系统制造技术领域， 具体涉及一种适配外球面电极的谐振子金属化制作方法， 包括：采用成丝工艺加工谐振子锚点平面， 通过湿法工艺腐蚀谐振子， 使锚点加工区域形成通孔， 对谐振子外表面、通孔以及谐振子锚点平面进行金属化， 使金属化...
    2025-12-04
  • 一种基于微帽结构的柔性石墨烯变压器振动传感器封装设计方法
    一种基于微帽结构的柔性石墨烯变压器振动传感器封装设计方法_国网青海省电力公司海东供电公司_202511032263.5
    本发明提供了一种基于微帽结构的柔性石墨烯变压器振动传感器封装设计方法， 属于传感器技术领域。本发明所述方法包括以下步骤：在柔性聚酰亚胺基底上制备H型石墨烯谐振器层；通过盐模板法在谐振器层上构建含石墨烯的多孔PDMS结构层；在多孔层表面采用砂...
    2025-12-04
  • 用于高性能MEMS压力传感器芯片的封装工装及其使用方法
    用于高性能MEMS压力传感器芯片的封装工装及其使用方法_安徽芯动联科微系统股份有限公司_202511135500.0
    本发明公开一种用于高性能MEMS压力传感器芯片的封装工装及其使用方法， 包括底座、管座固定组件和垂直活动组件， 底座用于承载管座固定组件和垂直活动组件， 管座固定组件用于固定封装管座， 垂直活动组件可相对底座水平移动和垂直移动， 以实现对封...
    2025-12-04
  • MEMS封装结构及其制备方法
    MEMS封装结构及其制备方法_杭州质禾科技有限公司_202511374973.6
    本发明提供一种MEMS封装结构及其制备方法， 通过在盖板上形成内侧壁朝衬底法线同一侧倾斜的倾斜通孔， 并结合常规薄膜沉积工艺沉积遮挡层， 倾斜的孔口边缘为沉积薄膜提供了更有效的“搭桥”效应， 使薄膜能够在孔口顶部快速横向生长并遮挡孔口， 同...
    2025-12-04
  • MEMS封装结构及其制备方法
    MEMS封装结构及其制备方法_杭州质禾科技有限公司_202511374987.8
    本发明提供一种MEMS封装结构及其制备方法， 通过在沉积遮挡层时使沉积源的沉积方向与通孔的延伸方向之间具有夹角α， 即采用倾斜角度沉积技术来遮挡通孔， 实现了显著减少腔内沉积物、保持MEMS器件高性能、避免内部污染和粘连、提高封装的适用性以...
    2025-12-04
  • 一种利用氨气耦合碳酸盐反应制备合成气的方法
    一种利用氨气耦合碳酸盐反应制备合成气的方法_北京化工大学_202510872865.5
    本发明提供一种利用氨气耦合碳酸盐反应制备合成气的方法， 属于碳酸盐热解领域。本发明以氨气替代氢气作为氢源用于碳酸盐热分解， 引入氢源降低了热分解温度， 同时在分解过程中生成氢气和一氧化碳， 碳酸盐分解过程中， 碳酸盐与氨气耦合， 实现还原、...
    2025-12-04
  • 一种基于动态比例控制的甲醇-脱盐水汽化反应系统及方法
    一种基于动态比例控制的甲醇-脱盐水汽化反应系统及方法_广钢气体(武汉)有限公司_202510942761.7
    本发明公开了一种基于动态比例控制的甲醇‑脱盐水汽化反应系统及方法， 涉及能源利用技术领域， 包括， 基于甲醇‑脱盐水实时混合比例参数的突变检测， 触发冷能相变强化机制， 生成高温汽化混合气；基于高温汽化混合气进行催化裂解反应生成含氢转化气，...
    2025-12-04
  • 由金属硼氧化物制备金属硼氢化物的方法
    由金属硼氧化物制备金属硼氢化物的方法_H2燃料系统有限公司_202511004917.3
    本发明涉及由金属硼氧化物制备金属硼氢化物的方法。一种由金属硼氧化物Me(BO2)n制备金属硼氢化物Me(BH4)n的方法， 其中Me是金属或表现出类金属行为并可以作为金属的分子， 而n是能够与金属的化合价相关的整数， 其中在第一流化床步骤中...
    2025-12-04
  • 低浓度氨水、盐酸循环利用的萃取分离方法
    低浓度氨水、盐酸循环利用的萃取分离方法_中国北方稀土(集团)高科技股份有限公司_202511056633.9
    本发明公开了一种低浓度氨水、盐酸循环利用的萃取分离方法， 包括：对酸性萃取剂进行皂化， 皂化有机再与混合金属氯化物溶液萃取分离， 生成负载有机相和低浓度氯化铵溶液， 萃取分离后负载有机相经稀盐酸反萃取， 得到分组或单一金属氯化物溶液；低浓度...
    2025-12-04
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