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最新专利技术
  • 半导体封装结构及其制备方法
    半导体封装结构及其制备方法_甬矽半导体(宁波)有限公司_202510988874.0
    本申请公开一种半导体封装结构及其制备方法， 涉及半导体技术领域， 该半导体封装结构包括第一芯片、第二芯片、第一塑封体、第二塑封体、第一重布线层和第二重布线层， 第一塑封体包覆于第一芯片外， 第一重布线层和第二重布线层分别设置于第一塑封体的相...
    2025-12-03
  • 半导体结构、形成方法、器件及电子装置
    半导体结构、形成方法、器件及电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410424766.6
    本申请涉及半导体技术领域， 尤其涉及一种半导体结构、形成方法、器件及电子装置。半导体结构包括：基底结构、焊盘金属层、凸块结构、保护层和应力分散层；基底结构中形成有介电层；焊盘金属层形成在基底结构上；焊盘金属层包括焊垫区域和非焊垫区域， 凸块...
    2025-12-03
  • 双面散热倒装GaN功率芯片封装结构及封装方法
    双面散热倒装GaN功率芯片封装结构及封装方法_湖南国芯半导体科技有限公司_202511145775.2
    本发明提供了双面散热倒装GaN功率芯片封装结构及封装方法， 涉及半导体封装领域， 包括内部结构， 内部结构包括：GaN功率芯片， 正面具有漏电极、源电极和栅电极；散热板， 设置在GaN功率芯片的上方， 并且散热板与GaN功率芯片的背面粘接；...
    2025-12-03
  • 一种裸片直接互连的封装结构及其制备方法
    一种裸片直接互连的封装结构及其制备方法_珠海凌烟阁芯片科技有限公司_202511287974.7
    本发明涉及半导体封装技术领域， 公开了一种裸片直接互连的封装结构及其制备方法， 裸片直接互连的封装结构包括：第一裸片， 设置有第一金属凸起与第二金属凸起；第二裸片， 设置有与第一金属凸起相对设置的第三金属凸起；第一裸片通过第一金属凸起与第二...
    2025-12-03
  • 右手半导体器件和包括右手半导体器件的系统
    右手半导体器件和包括右手半导体器件的系统_英飞凌科技奥地利有限公司_202510446207.X
    公开了一种右手半导体器件， 包括：控制连接器、第一负载连接器和第二负载连接器；其中， 连接器布置在同一平面中并从半导体器件的封装体中突出， 形成右手布置结构的手指；其中， 控制连接器后是第一负载连接器， 第一负载连接器后是第二负载连接器；和...
    2025-12-03
  • 复合键合片及其制备方法、半导体封装结构及方法
    复合键合片及其制备方法、半导体封装结构及方法_深圳芯源新材料有限公司_202510977620.9
    本申请公开了复合键合片及其制备方法、半导体封装结构及方法， 方法包括：提供大面积复合基材， 大面积复合基材包括导电金属片和结合层；对大面积复合基材按照复合键合片的轮廓进行不完全切割， 形成被至少一个连接点中断的切割线， 切割线围合形成对应于...
    2025-12-03
  • 用于集成电路封装的焊接偏移减少
    用于集成电路封装的焊接偏移减少_亚德诺半导体国际无限责任公司_202510443190.2
    本发明公开了用于集成电路封装的焊接偏移减少。在某些实施例中， 封装集成电路包括底焊盘、具有附接到所述底焊盘的底侧和包括在其上制造的应力敏感电路的顶侧的主半导体管芯、以及附接到所述主半导体管芯的所述顶侧的应力消除管芯。所述应力消除管芯用于提供...
    2025-12-03
  • 一种全桥功率模块引线框架及封装
    一种全桥功率模块引线框架及封装_峰岹科技(深圳)股份有限公司_202510821219.6
    本申请提出一种全桥功率模块引线框架及封装， 涉及半导体封装技术领域。全桥功率模块引线框架通过电源框架将控制侧与功率侧在第一方向上进行隔离。同时， 在控制侧以一个大面积的第一基岛作为载体， 通过并排对称设置的方式贴放三个功率驱动器件， 并在第...
    2025-12-03
  • 金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆
    金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510923219.7
    本申请公开了一种金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆， 金属夹结构应用于功率模块， 金属夹结构包括：汇流金属带；汇流端部， 位于所述汇流金属带的一侧并与汇流金属带电连接；至少两条键合带， 位于所述汇流金属带的一侧， 并分别与汇流金属带电连接...
    2025-12-03
  • 金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆
    金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510923226.7
    本申请公开了一种金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆， 其中金属夹结构包括：汇流金属带；汇流端部， 与汇流金属带电连接且位于所述汇流金属带的第一位置；至少两条键合带， 分别与汇流金属带的第二侧壁电连接；多个散热凸起， 位于键合带的表面；其中...
    2025-12-03
  • 铜种子层及其制备方法和应用
    铜种子层及其制备方法和应用_纳设智能装备(江苏)有限公司_202510989007.9
    本发明提供了一种铜种子层及其制备方法和应用， 涉及半导体封装的技术领域， 本发明提供的制备方法进行沉积时将采用三步法来进行铜薄膜的沉积。该方法包括：第一步为在玻璃衬底表面沉积高氢含量铜薄膜层作为最底层， 减少对样品表面损伤， 提高薄膜致密性...
    2025-12-03
  • 一种铝金属布线工艺的MIM电容结构及其制备方法
    一种铝金属布线工艺的MIM电容结构及其制备方法_陕西电子芯业时代科技有限公司_202510865782.3
    本发明提供一种铝金属布线工艺的MIM电容结构， 形成于硅衬底的CMOS多层金属布线中， 该多层金属布线包括依次平行间隔设于所述硅衬底顶部的多层金属层及设于两相邻金属层之间的IMD层；在IMD层中刻蚀有通孔并填充通孔钨塞， 相邻金属层通过通孔...
    2025-12-03
  • 半导体器件及电镀方法
    半导体器件及电镀方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510744959.4
    本公开公开了一种半导体器件及电镀方法， 属于半导体技术领域。该半导体器件， 包括依次叠设的外延片、阻挡层、种子层和主金属层；阻挡层为Ti层， 种子层为Au层或者Ag层， 主金属层为Au层或者Cu层；阻挡层的厚度小于种子层的厚度， 且种子层的...
    2025-12-03
  • 一种功率模组和功率设备
    一种功率模组和功率设备_华为数字能源技术有限公司_202410420190.6
    本申请实施例提供一种功率模组和功率设备， 涉及半导体封装技术领域， 用于降低功率模组中的寄生电感。该功率模组包括第一导电板、第二导电板、第三端子、第一功率晶体管和第二功率晶体管。第一导电板的一部分作为第一端子。第二导电板与第一导电板层叠设置...
    2025-12-03
  • 功率模组及功率设备
    功率模组及功率设备_华为数字能源技术有限公司_202410430722.4
    本申请一些实施方式提供一种功率模组及功率设备。功率模组包括沿第一方向层叠的基板结构及互联结构。基板结构包括基板及设于基板上的功率芯片。互联结构包括第一功率电极、第二功率电极及输出电极。第一功率电极的至少部分、第二功率电极的至少部分及输出电极...
    2025-12-03
  • 封装结构及封装方法
    封装结构及封装方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410433108.3
    一种封装结构及封装方法， 封装结构包括：基板；互连结构， 键合于基板上， 互连结构包括再布线层、以及位于再布线层上的第一塑封层， 互连结构还包括嵌于第一塑封层中的芯片桥， 第一塑封层露出芯片桥表面， 露出芯片桥的第一塑封层表面为键合面；第一...
    2025-12-03
  • 用于实现可扩展系统的系统和方法
    用于实现可扩展系统的系统和方法_苹果公司_202510825855.6
    本公开涉及用于实现可扩展系统的系统和方法。本发明描述了用于模块化扩展的多芯片系统(100)和结构。在一些实施方案中， 使用接合条(150)来耦接相邻芯片(102， 104)。例如， 可使用连通条(150)来耦接逻辑芯片(104)， 并且可使...
    2025-12-03
  • 一种多芯片封装通讯互联结构及方法
    一种多芯片封装通讯互联结构及方法_华天科技(南京)有限公司_202510937567.X
    本发明涉及先进封装技术领域， 公开了一种多芯片封装通讯互联结构及方法， 该结构包括印刷电路板、若干芯片以及塑封体单元；若干芯片分布设置在印刷电路板上， 且若干芯片通过塑封体单元塑封在印刷电路板内；其中相邻芯片之间通过金属连接体互联设置；所述...
    2025-12-03
  • 一种改善背接触电池爆膜并提效的薄膜沉积工艺
    一种改善背接触电池爆膜并提效的薄膜沉积工艺_平煤隆基新能源科技有限公司_202510958672.1
    本发明属于太阳能电池制造技术领域， 具体涉及一种改善背接触电池爆膜并提效的薄膜沉积工艺。本发明将具有氧化铝层的硅片送入背膜PECVD机台炉管， 自炉口到炉尾的所有温区设定到400～500℃， 先沉积氧化硅层， 再沉积氮化硅层， 其他工艺步骤...
    2025-12-03
  • 芯片上法拉第笼
    芯片上法拉第笼_清华大学_202510789072.7
    本发明公开了一种芯片上法拉第笼， 该芯片上法拉第笼包括：芯片上的衬底层和金属层；衬底层包括深N阱， 第一N阱、第二N阱、第一P阱和第二P阱；衬底层的第一N阱、第二N阱分别与深N阱电连接；通过离子注入工艺在衬底层形成深N阱， N阱和P阱， 其...
    2025-12-03
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