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最新专利技术
  • 定位工装、工装套件、加工设备及工件定位方法
    定位工装、工装套件、加工设备及工件定位方法_重庆欣晖材料技术有限公司_202510702626.5
    本公开实施例提供了定位工装、工装套件、加工设备及工件定位方法， 所述定位工装包括：本体；第一连接组件， 所述第一连接组件用于将工件固定至所述本体；设置在所述本体上的标记部， 所述标记部相对于所述本体的位置是固定的， 以允许根据所述标记部的位...
    2025-12-03
  • 晶圆承载装置及其制备方法
    晶圆承载装置及其制备方法_湖北星辰技术有限公司_202511006436.6
    本公开提供了一种晶圆承载装置及其制备方法， 所述制备方法包括以下步骤：提供铁质支撑架；铁质支撑架的形状为环形；在铁质支撑架的表面形成第一材料层；铁质支撑架的表面包括内侧面、外侧面、顶面和底面；去除位于铁质支撑架的底面的第一材料层， 以暴露铁...
    2025-12-03
  • 一种晶圆旋转定位载台
    一种晶圆旋转定位载台_苏州矽行半导体技术有限公司_202511185024.3
    本发明提供了一种晶圆旋转定位载台， 属于半导体驱动技术， 包括支撑模组、旋转驱动模组以及多组布置于支撑盘底面的重力平衡模组， 旋转驱动模组驱动支撑模组绕轴心旋转， 并通过气浮磁吸实现旋转角度的定位控制；本申请的晶圆旋转定位载台旋转精确可控，...
    2025-12-03
  • 一种晶圆顶升装置及晶圆处理设备
    一种晶圆顶升装置及晶圆处理设备_上海谙邦半导体设备有限公司_202511249701.3
    本申请提供了一种晶圆顶升装置及晶圆处理设备， 所述晶圆顶升装置包括气缸、推板、顶针、浮动机构、以及真空部件， 所述浮动机构包括连接件和自适应组件， 所述连接件包括与所述顶针连接的第一对接部， 以及设于所述推板且与所述第一对接部匹配对接， 并...
    2025-12-03
  • 一种载具支架、半导体基板清洗干燥总成、处理设备及干燥方法
    一种载具支架、半导体基板清洗干燥总成、处理设备及干燥方法_北京华林嘉业科技有限公司_202511271462.1
    本发明涉及半导体湿法制程设备技术领域， 尤其是涉及一种载具支架、半导体基板清洗干燥总成、处理设备及干燥方法。本发明提供的载具支架包括：设置于支撑框内且用于支撑载具的托板和活动设置于托板上的支撑板；支撑板上设置有多个用于支撑载具内的半导体基板...
    2025-12-03
  • 半导体结构
    半导体结构_福建省晋华集成电路有限公司_202510931295.2
    本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。通过将电性传导结构设置在沟槽隔离结构上， 以利用沟槽隔离结构上方的空间， 从而可以缩减电性传导结构在整个半导体集成电路中所占用的空间， 进而有利于实现所构成的半导体集成电路的尺寸缩减。
    2025-12-03
  • 改善Cu互连结构中电迁移性能的方法
    改善Cu互连结构中电迁移性能的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779428.9
    本发明提供一种改善Cu互连结构中电迁移性能的方法， 在铜线表面通入SiH4气体进行预处理， 生成CuSix过渡层；在CuSix过渡层上沉积SiN层；在SiN层上沉积NDC介质层。本发明能够大幅度提高Cu与NDC介质层间的黏附性， 从而提高器...
    2025-12-03
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779436.3
    本申请提供一种半导体器件的制备方法， 在金属互连层表面形成阻挡层之后， 依次淀积第一TEOS层、层间介质层和第二TEOS层， 利用第一TEOS层、层间介质层和第二TEOS层作为金属互连结构最终的层间介质层， 随后刻蚀第一TEOS层、层间介质...
    2025-12-03
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779557.8
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法， 其中在制备方法中， 衬底的边缘区域的高度低于衬底的非边缘区域的高度， 首先在衬底上形成层间绝缘层， 然后刻蚀层间绝缘层的非边缘区域形成第一接触孔以及刻蚀层间绝缘层的边缘区域形成第二接触孔， 接着采用热...
    2025-12-03
  • 应用于后段制程中的工艺方法
    应用于后段制程中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510780315.0
    本申请公开了一种应用于后段制程中的工艺方法， 包括：提供一衬底， 衬底上形成有半导体器件， 半导体器件上形成有层间介质层， 层间介质层中形成有铜金属连线， 铜金属连线的上表面暴露在外；在铜金属连线上形成SRN薄膜层；在SRN薄膜层和铜金属连...
    2025-12-03
  • 硅通孔的钨填充方法
    硅通孔的钨填充方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510782396.8
    本发明提供一种硅通孔的钨填充方法， 该方法包括：在形成有硅通孔的衬底上进行至少一次初始钨填充(沉积第一阻挡层和第一钨层)；随后进行至少一次后续钨填充， 该后续填充包括：在硅通孔内沉积第二阻挡层；在不破真空的条件下将衬底从第二阻挡层沉积腔室传...
    2025-12-03
  • 沟槽与通孔同步刻蚀的一体化加工方法
    沟槽与通孔同步刻蚀的一体化加工方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510782466.X
    本发明提供一种沟槽与通孔同步刻蚀的一体化加工方法， 在复合介质层上执行底部蚀刻， 建立沟槽与通孔的共形刻蚀基础；通过等离子体处理清除刻蚀副产物；执行主刻蚀阶段同步成型沟槽主体结构及通孔开口；在通孔底部的金属层裸露阶段启动增强刻蚀步骤， 同步...
    2025-12-03
  • 抑制铜空洞缺陷产生的方法
    抑制铜空洞缺陷产生的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510782504.1
    本申请提供一种抑制铜空洞缺陷产生的方法， 包括：步骤一， 提供一衬底， 在衬底上形成层间介质层， 在层间介质层中形成铜互连金属层；步骤二， 在层间介质层上形成保护层， 保护层中的中间膜层的压应力增大；步骤三， 在保护层中形成沟槽， 露出部分...
    2025-12-03
  • 改善铜互连金属层凸起缺陷的方法
    改善铜互连金属层凸起缺陷的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510783327.9
    本申请提供一种改善铜互连金属层凸起缺陷的方法， 包括：步骤一， 提供一衬底， 在衬底上形成底层结构， 该底层结构包括铜互连金属层和层间介质层， 铜互连金属层镶嵌在层间介质层中；步骤二， 通过沉积工艺在底层结构的顶部表面形成氮掺杂碳化硅层作为...
    2025-12-03
  • Al线形成方法
    Al线形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510809102.6
    本申请公开了一种Al线形成方法， 涉及半导体器件技术领域， 包括：提供一晶圆， 晶圆上形成有半导体器件， 半导体器件上覆盖有ILD层， ILD层中形成有凹槽；在ILD层和凹槽表面沉积阻挡层；在阻挡层上沉积润湿层；冷却处理润湿层；在润湿层上沉...
    2025-12-03
  • 金属互连结构的制备方法
    金属互连结构的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510809126.1
    本申请公开了一种金属互连结构的制备方法， 包括：S1：提供一半导体结构， 半导体结构中形成有金属互连层， 半导体结构上由下至上依次形成有阻挡层和低K介质层， 阻挡层覆盖半导体结构以及金属互连层；S2：刻蚀低K介质层、阻挡层以形成沟槽和通孔；...
    2025-12-03
  • 改善层间介质CMP工艺前层膜层台阶高度的方法
    改善层间介质CMP工艺前层膜层台阶高度的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510810075.4
    本发明公开了一种改善层间介质CMP工艺前层膜层台阶高度的方法， 在具有沟槽的晶圆上淀积层间介质时， 在淀积氧化硅膜之前使用约束工艺， 增加氛围气体抑制氧化硅膜在沟槽顶部开口处淀积， 再进行氧化硅膜淀积、刻蚀再淀积的反复循环工艺， 直到完成沟...
    2025-12-03
  • 大马士革工艺方法
    大马士革工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510811960.4
    本发明公开了一种大马士革工艺方法， 包括步骤：在底层结构的表面依次形成第一介质层、第一层间膜、第二介质层和第二层间膜。进行通孔刻蚀形成通孔开口。形成第一保护层。进行第一次回刻将通孔开口外的第一保护层去除以及将通孔开口内的第一保护层的顶部表面...
    2025-12-03
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202510950639.4
    本申请提供一种半导体结构及其制造方法， 半导体结构包括金属层， 金属层包括多个凹槽。方法包括：形成牺牲层， 牺牲层覆盖凹槽的侧壁和凹槽的底部， 去除位于凹槽的底部的牺牲层。形成第一隔离层， 第一隔离层填充凹槽， 去除部分第一隔离层至剩余的第...
    2025-12-03
  • 改善隔层铜空洞的方法
    改善隔层铜空洞的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511232184.9
    本发明公开了一种改善隔层铜空洞的方法， 包括步骤：提供完成了底层铜层的CMP底层结构。形成第一刻蚀停止层和层间膜。进行AIO刻蚀在层间膜中同时形成通孔开口和沟槽， 通孔开口位于部分区域的沟槽底部；AIO刻蚀停止在第一刻蚀停止层的顶部表面上，...
    2025-12-03
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