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  • 本文针对现有金属凸块防腐技术的局限性, 提出了一种创新工艺:采用纯银电镀形成凸块主体, 通过二次电镀纯金在其所有外露面形成完整的金包裹结构, 该工艺通过精确调控两次电镀参数及第二次光刻图形尺寸, 使薄金层均匀包裹银凸块外露表面, 有效解决了...
  • 本发明公开一种GPU芯片成型设备及芯片封装方法, 包括:对裸片与基板间隙注入含紫外光引发剂、潜伏热引发剂、上转换发光纳米粒子、磁感应加热纳米粒子的底部填充树脂, 形成功能化树脂层;对外围区域实施紫外光照射, 使光引发剂聚合放热并激活潜伏热引...
  • 本发明公开了一种自动化半导体芯片封装装置, 包括机体, 机体的顶端贯穿开设有方形槽, 机体顶部右侧安装有机械吸盘, 机体的顶部与方形槽相对应位置处设置有上模机构。本发明通过上模机构、下模机构和第二辅助机构的配合使用, 实现了自动化生产封装框...
  • 本发明涉及晶圆塑封技术领域, 尤其涉及一种应用于液态树脂晶圆塑封的工艺优化方法及系统, 包括:获取液态树脂初始特性、释放膜初始状态以及晶圆尺寸结构特征;基于液态树脂初始特性和释放膜初始状态, 确定释放膜预热控制参数, 并以此进行预热工序;在...
  • 本申请提供了一种电子器件的形成方法。所述方法包括:提供第一芯片和第二芯片, 所述第一芯片包括多个第一硅通孔, 所述第二芯片包括多个第二硅通孔, 其中, 多个第一连接凸块贴附于所述第一芯片的下表面上, 且所述多个第一连接凸块中的至少一部分与所...
  • 本发明提供一种金属焊盘的制备方法、半导体器件。其中, 所述制备方法是预先在金属焊盘的顶表面上形成金属阻挡层, 再采用分步刻蚀的方式来打开金属焊盘。即, 先刻蚀钝化结构, 以形成第一开口。且在这一刻蚀步骤中金属阻挡层作为刻蚀停止层, 则刻蚀产...
  • 本发明公开了一种微波多腔体系统级封装一体化钎焊与熔封方法, 包括:准备待钎焊熔封的产品, 该产品由2层以上功能层构成;准备限位底座, 限位底座的中间设置第一开孔, 限位底座四边的中间区域开槽, 将待钎焊熔封产品放入限位底座;准备限位盖板, ...
  • 本发明公开了一种测量外延图形偏移量的方法。该方法包括以下步骤:在衬底上形成填充有第一材料的第一沟槽作为深层的第一对准标记;以该第一对准标记为基准, 在衬底表面形成第二对准标记, 并测量两者间的初始第一偏差量;在衬底上进行外延生长形成外延层;...
  • 本发明公开了一种UV减粘膜的扩膜性能测试方法, 涉及半导体制造领域。针对现有测试方法单一参数评估片面、数据孤立分析及工艺模拟不足的问题, 本方法通过以下步骤实现系统性评估:首先制备哑铃型试样和晶圆贴附样品, 其次开展多维度同步测试及环境耐受...
  • 本申请属于LED封装技术领域, 具体涉及一种评估固晶胶水抗芯片位移旋转的方法及系统。包括以下步骤:选取常规型LED支架, 所述LED支架的功能区可容纳至少两个芯片;通过固晶机在所述功能区内设置至少两个所述芯片, 并将相邻所述芯片之间的间隔距...
  • 本发明涉及芯片封装定位技术领域, 特别涉及一种芯片封装定位治具。所述定位基座的一侧壁上开设有工作槽;所述工作槽内设有芯片定位机构。本发明通过控制相邻的连接磁柱朝向相对的一侧移动, 使得弹性片被压缩, 由于弹性片呈波浪形, 在压缩过程中宽度变...
  • 本发明公开了一种晶圆键合机上检测晶圆对不整齐的装置及方法, 键合机具有用于承载晶圆对的工作台, 于工作台中设置有用于将晶圆对抬升的顶针组件, 所述的顶针组件中, 至少有两个顶针上设置有称重元件, 通过称重元件测量晶圆对的重心和重量;每个称重...
  • 本发明提供一种能够提高陶瓷基体的体积电阻率且能够稳定地制造的半导体制造装置用加热器。本发明的实施方式所涉及的半导体制造装置用加热器具备陶瓷基体和发热体。陶瓷基体包含氮化铝。发热体植入于陶瓷基体。陶瓷基体包含二种以上的稀土元素, 且作为稀土元...
  • 本发明涉及一种平坦化设备, 其包括多个处理器, 所述多个处理器包括第一处理器和第二处理器并且被构造成在所述处理器中的每一个中执行基板的平坦化处理。第一处理器布置在第一输送机器人对基板和平整构件中的一者的输送范围内, 该第一输送机器人布置在装...
  • 本发明有关于一种基板处理装置用气体管理组件, 包括:排气模块, 具有基本排气管线, 用于将供给至基板处理装置的腔室的包含工艺气体的腔室气体排出至排放系统;再生连接模块, 具有再生排气管线, 该再生排气管线从该基本排气管线分支出来, 用于将该...
  • 本公开涉及半导体和光伏技术领域, 尤其涉及一种片材工艺设备及片材生产线, 解决相关技术中对位于反应腔中载具上的片材进行工艺时出现的工艺效率较低、工艺效果较差的问题。该片材工艺设备具有至少一个工艺位, 包括载具和工艺组件, 载具具有容置腔室,...
  • 本发明提供一种半导体晶圆加工清洗装置, 涉及晶圆加工技术领域, 包括:转动设置的多个放置座, 放置座内部对称设置有用于放置晶圆的中空定位环, 中空定位环内壁对称嵌入有位于晶圆两端的喷嘴, 喷嘴朝向晶圆, 配置为通过吹风方式清洗晶圆表面, 相...
  • 本公开实施例公开了一种晶圆清洗方法及装置, 晶圆清洗装置可以包括晶圆承载机构、第一温度控制机构、喷淋机构以及第二温度控制机构, 其中, 晶圆承载机构用于承载待清洗晶圆;第一温度控制机构用于调整待清洗晶圆的温度;喷淋机构, 用于喷洒清洗液以对...
  • 本申请公开了一种改善晶圆表面凹坑问题的方法, 包括:S1:提供经过了钝化层刻蚀工艺的晶圆, 并使用清洗液清洗所述晶圆;S2:使用喷嘴向所述晶圆喷洒去离子水, 同时以第一转速转动所述晶圆;S3:使用喷嘴向所述晶圆喷洒去离子水, 同时以第二转速...
  • 本申请提供一种封装芯片的开封方法及用于封装芯片开封的去污试剂, 其中在封装芯片的开封方法中, 在溶解去除芯片外部的封装材料之后, 采用丙酮和浓硫酸的混合溶液作为去污试剂冲洗芯片表面至少两次, 可以有效去除芯片表面的有机固溶体, 避免了有机固...
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