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  • 本发明公开了一种水平式等离子体增强低压Mist‑CVD装置, 属于半导体装备技术领域, 所述装置包括:反应腔室4、真空控制和尾气处理模块7、雾化源供应模块21、混合气室26、气体供应模块28和等离子体激发模块36。本发明采用多个前驱体溶液独...
  • 本发明涉及材料表面处理技术技术领域, 且公开了一种用于薄膜沉积的远程等离子体源装置, 包括等离子发生腔、PECVD工艺腔与微波磁控管, PECVD工艺腔连通在等离子发生腔的下方, 微波磁控管设置在等离子发生腔的外侧, 等离子发生腔的外侧设置...
  • 本发明涉及应用于半导体器件领域的一种半导体晶圆的高精度真空反应腔室温度补偿装置, 包括有真空反应腔室和搭载在真空反应腔室控制箱内的温度补偿系统, 通过预热感应组件、换热感应组件和温度补偿系统的协同配合, 实现对前置预热温度数据和后续工艺气体...
  • 本发明涉及钢铁制品表面处理技术领域, 特别是涉及一种冷拔钢管表面处理方法。该冷拔钢管表面处理方法, 包括以下步骤:步骤S1, 钢管表面除油;步骤S2, 钢管表面酸洗处理;步骤S3, 钢管表面磷化处理:利用磷化液在步骤S2处理后的钢管表面形成...
  • 本发明公开了一种环保型铝材表面处理液及其处理方法, 该处理液的制备方法为:依次将植酸、硝酸钠、氟化铵加入去离子水中, 搅拌至完全溶解;然后加入硅酸钠搅拌至均相溶液;再采用柠檬酸或氨水将混合液调节pH至2.5‑4.5;最后加入去离子水, 使混...
  • 本申请涉及镀锌管加工技术领域, 且公开了一种镀锌管表面钝化设备, 包括转动机构, 所述连接机构的底端设置有转动机构, 所述转动机构的中部活动卡接有管件, 且转动机构包括转动件、固定件和夹持组件, 且转动件通过转动孔与夹持组件的前端活动套接,...
  • 本发明属于涂装设备技术领域, 具体涉及一种涂装生产线前处理用磷化装置, 包括室体、水盘、第一水洗槽、第二水洗槽、纯水洗槽、磷化槽。所述室体为半封闭式结构, 两端开口便于工件进出, 工件通过输送装置送至往复机构上, 往复机构位于室体内, 室体...
  • 本发明公开了一种金属材料表面处理设备及表面处理方法, 包括对金属基体进行表面预处理形成目标表面粗糙度的活化基体;在活化基体表面通过喷涂系统将金属陶瓷粉末定向沉积, 生成具有均匀微孔通道的多孔基底层;在多孔基底层上沉积梯度功能涂层, 动态调节...
  • 本发明属于激光熔覆技术领域, 且公开了一种适用于激光熔覆的送粉器, 包括送粉器主体, 所述送粉器主体顶端的中部固定安装有圆盘, 所述圆盘顶端中部的左侧固定安装有出料管, 所述圆盘顶端中部的右侧固定安装有料筒。本发明通过设置敲打块、竖向块、第...
  • 本申请提供一种挖掘机斗齿涂层及其制备方法和挖掘机, 涉及涂层技术领域。按质量比为100%计, 包括:碳2%‑2.5%、铬30%‑35%、镍4%‑5%、硼0.5%‑1%、硅0.5%‑1%、钒1%‑2%、钛0.5%‑1%、钼1%‑2%、铝0.5...
  • 本申请公开一种用于激光沉积增材制造的保护气区域构建方法及装置, 涉及增材制造技术领域。保护气区域构建装置包括第一封膜件和第二封膜件, 其中第一封膜件包括夹持组件、转接盘和压盘, 第二封膜件包括刚性底板和围板。方法包括:识别刚性底板上的通孔,...
  • 本发明属于合金涂层制备工艺技术领域, 具体涉及一种掺杂碲化锌的耐蚀抗菌镁合金复合涂层及其制备和应用。所述复合涂层包括内层、外层;其中内层为微弧氧化涂层, 外层为含碲化锌粉末的聚乳酸涂层。所述掺杂碲化锌的耐蚀抗菌镁合金复合涂层作为生物医学材料...
  • 本发明涉及涂层材料技术领域, 具体为包括依次在基体表面形成的电沉积Ni‑Co‑MoS2复合镀层、原位生长纳米晶Ni‑Al过渡层、等离子喷涂复合涂层, 通过在铍铜棒材表面依次电沉积Ni‑Co‑MoS2复合镀层、原位生长纳米晶Ni‑Al过渡层、...
  • 本发明属于吸波材料领域, 具体为一种耐高温雷达吸波涂层及其制备方法。本发明构建了陶瓷过渡层‑改性过渡层‑雷达吸波层‑环境功能层的雷达吸波涂层;首先通过热喷涂将陶瓷过渡层制作于钛合金基底表面;再通过高温烧结的方式依次制备材料特设的改性过渡层和...
  • 本发明公开了一种高结合力的功能集流体及其制备方法, 涉及集流体技术领域;具体包括以下步骤:以铜为靶材, 在基膜表面磁控溅射铜层时对基膜表面施加声表面波, 水镀增厚铜层, 得到功能集流体;本发明在磁控溅射工艺过程中, 在基底表面施加声表面波,...
  • 本发明公开了一种高钒粉末冶金材料齿轮锻件的化学铣切加工方法, 包括以下步骤:S1、预处理, S2、涂抹保护胶, S3、刻型, S4、配制化学腐蚀液, S5、化铣, S6、光亮处理, 保护胶按照质量百分比计, 包括25‑35%的环己酮、20‑...
  • 本发明适用于OLED面板制作技术领域, 提供了OLED面板掩膜板蚀刻装置, 包括外壳、蚀刻组件、集液组件以及控制系统;所述外壳包括对称设置的两组侧板, 所述侧板底部设置有六组支撑柱, 所述侧板顶部安装有壳体, 所述壳体两端分别设置有一组移门...
  • 本发明涉及一种晶圆级金腐蚀液, 其特征在于由如下重量百分比的原料制成:8‑12%的硫代硫酸钠溶液、28‑32%的硫脲溶液、8‑12%的铁氰化钾溶液、48‑52%的碘化钾溶液。本发明优点:本发明所述一种晶圆级金腐蚀液可以广泛应用于金膜层厚度在...
  • 本发明涉及蚀刻液技术领域, 具体的, 涉及一种蚀刻液及其应用。按重量百分比计, 组分包括:双氧水8‑15%、有机酸8‑15%、有机碱8‑15%、无机酸0.2‑2%、有机醚0.5‑4%、杂环化合物0.01‑0.3%、含脲键化合物0.2‑2%,...
  • 本发明涉及蚀刻液领域, 具体涉及一种双剂型蚀刻液。所述主剂包括第一有机酸8‑15%、第一脲类化合物0.1‑0.5%、第一有机醚1‑5%、第一有机碱7‑15%、第一杂环化合物0.01‑0.3%、双氧水8‑15%, 水补足余量;所述第一辅剂包括...
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