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  • 本公开提供了一种用于编码器的自动化编码优化方法、装置及计算机设备、可读存储介质、程序产品,涉及视频处理技术领域。实现方案为:获取编码器基于目标码率并利用码率控制算法进行编码得到的视频数据,视频数据包括多个图像帧,每个图像帧具有各自的量化参数...
  • 本申请实施例公开了一种数字人的口型视频生成方法及装置,涉及数字人技术领域,用于解决现有生成图像分辨率低以及口型同步精度低的问题。方法包括:在获取到目标语音所对应的音频特征,与参考视频中任意一帧视频图像所对应的嘴部特征的情况下,将其输入预置第...
  • 本发明提供了一种多摄像头联动跟踪控制方法及系统,涉及摄像头领域,包括:基于各目标对象预测的未来移动轨迹确定对应的目标对象进入各摄像头的视觉盲区的预测概率;选择预测概率超过预设概率阈值的视觉盲区标记为目标视觉盲区,确定视场重叠区域包含目标视觉...
  • 本发明公开了一种扬声器及其音盆。扬声器的音盆包括主体和环绕件,环绕件环绕主体,环绕件包括自内至外依次设置的内连接边、增强环及外悬边,增强环具有多个峰部和多个谷部,峰部和谷部分别位于外悬边的上下两侧,多个峰部沿扬声器的振动轴线向上拱起,多个谷...
  • 本公开提供了一种巡检设备及巡检系统。该巡检设备包括:传感器模组、收纳盒和AR眼镜;传感器模组包括多个传感器组件,多个传感器组件分别用于采集巡检区域不同的环境数据,传感器组件包括连接件和第一通信单元,连接件用于使传感器组件可拆卸地连接于AR眼...
  • 本公开提出一种通信方法、装置、设备、芯片及介质,其中,通信方法包括:接收第一频点的第一小区信息,其中,第一小区信息用于标识第一频点所在的邻区,并从第一通信数据中的至少一个候选小区信息中确定第二小区信息,在第一小区信息和第二小区信息相同的情况...
  • 本公开提出一种通信方法、装置、设备、芯片及介质,其中,通信方法包括:确定第一承载关联的目标切片,其中,第一承载不可维持业务,并根据目标切片,确定满足条件,其中,条件表示不支持触发切换至第二承载,第二承载用于维持业务,第一承载和第二承载是通过...
  • 本发明公开了一种基于温度控制的感应加热设备,涉及感应加热技术领域,包括工作台和设于工作台内部的控制箱,所述工作台的上侧设有用于将棒料输送到加热区进行加热的输送机构,通过设置有送料机构、输送机构和取料机构,从而自动完成棒料的上料和下料,此过程...
  • 本发明涉及车灯技术领域,具体涉及一种高功率动车大灯实时智能温控系统。本申请的高功率动车大灯实时智能温控系统通过温度检测模块实时监测双灯组温度,并反馈至决策模块。基于实时数据生成的控制策略,可根据温度阈值动态切换主用灯组,例如,第一灯组高温时...
  • 本发明属于智能控制技术领域,具体而言,涉及一种灯光照明角度智能控制系统及方法。旨在解决现有照明策略与用户需求脱节、光照资源浪费及体验不佳问题。该系统通过多模态感知构建动态语义场景图,识别用户任务意图,生成参数化光照体,驱动多自由度机构调控光...
  • 本发明属于逆变器技术领域,尤其是镁合金逆变器散热壳体及其压铸模具和半固态压铸工艺;本发明至少包括壳体镁基板和导热管,导热管安装在壳体镁基板的内部位置,壳体镁基板上设有安装凸台,安装凸台上通过导电胶安装有IC电子元件,导热管设于靠近安装凸台的...
  • 本发明公开了一种用于微波加热装置冷却系统的分集水器,涉及微波加热技术领域。分集水器包括供水主管、多个供水支管、集水主管和多个集水支管,供水主管的进水端一和集水主管的出水端二分别用于与冷却系统的供水端和回水端相连,供水主管连接有多个供水支管,...
  • 本发明公开一种电器盒恒温控制方法、装置、电器盒、电子设备及介质。电器盒安装有半导体制冷片,半导体制冷片包括第一端和第二端,第一端位于电器盒内,第二端位于电器盒外,该方法包括:获取电器盒温度;若电器盒温度大于温度上限阈值,根据负载开启比例控制...
  • 本发明涉及计算机主板加工设备技术领域,主要涉及一种计算机主板生产加工用贴片装置,包括设置于贴合机内的输送带,输送带用于计算机主板的输送,还包括设置于贴合机两侧内壁的端板,两个端板之间安装有驱动部,驱动部上安装有两个移动座,且移动座上固定有对...
  • 本申请涉及一种插针机及控制方法,插针机包括出料机构、气压送料机构、插针机构和治具板。出料机构包括振动盘、螺旋轨道、检测相机和出料轨道。螺旋轨道设置在振动盘上,出料轨道与螺旋轨道连接且设置有出料槽。气压送料机构设置在出料轨道末端,包括连接部和...
  • 本发明涉及MOS半导体技术领域,且公开了一种低导通电阻的SiC MOSFET终端结构,所述的SiC MOSFET终端结构由若干个相互并列的MOS元胞组成,所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及栅氧化层,所述半导体外延层从下向上...
  • 本发明涉及MOS半导体技术领域,且公开了一种自对准双栅极MOSFET,由若干个相互并联的MOS元胞组成,单个所述MOS元胞自下向上依次包括漏极、半导体外延层、栅极和源极,所述半导体外延层包括有N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱层、P+层,所述...
  • 一种BCD器件及其制造方法,BCD器件包括:衬底;外延层,设置于所述衬底上;第一隔离结构和第二隔离结构,间隔设置于所述外延层中;高压器件,设置于所述第一隔离结构所包围的外延层中;低压器件,设置于所述第二隔离结构所包围的外延层中;横向载流子抑...
  • 本发明公开了一种TOPCon电池结构及其制备方法和裂片方法,其中TOPCon电池,包括:N型硅片;N型硅片外部设置有介质膜;N型硅片的正面的介质膜为正面介质膜,N型硅片的背面的介质膜为背面介质膜;N型硅片的正面介质膜上设置有穿透正面介质膜的...
  • 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法,涉及半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底,及依次层叠在衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、电子疏通层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;电子疏通层包括依次层叠的第一子层、第二子...
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