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最新专利技术
  • 转速检测装置、空调系统及其控制方法
    转速检测装置、空调系统及其控制方法_青岛海尔空调电子有限公司_202411388468.2
    本发明涉及空调技术领域，具体提供一种转速检测装置、空调系统及其控制方法，旨在解决现有的室内机无法控制电加热的准确启动时间，容易出现安全问题。为此目的，本发明的室内机的转速检测装置包括转动件、移动件及检测电路，转动件转动，能够周期性的驱使移动...
    2025-08-27
  • 栅极驱动电路和包括该栅极驱动电路的触摸感测显示装置
    栅极驱动电路和包括该栅极驱动电路的触摸感测显示装置_乐金显示有限公司_202411382292.X
    一种栅极驱动电路包括：多个第一奇数主级，所述多个第一奇数主级被配置为在第一显示时段中驱动第一显示块的第一奇数栅极线；多个第二奇数主级，所述多个第二奇数主级被配置为在第二显示时段中驱动与所述第一显示块相邻的第二显示块的第二奇数栅极线；奇数复位...
    2025-08-27
  • 一种联动升降机构及检测设备
    一种联动升降机构及检测设备_深圳中科飞测科技股份有限公司_202411389032.5
    本发明公开一种联动升降机构及检测设备，联动升降机构包括支撑组件和升降驱动组件，升降驱动组件包括旋转驱动件、第一旋转件和第二旋转件，第二旋转件设置有至少三个升降导向部，至少三个支撑件与至少三个升降导向部一一对应滑动连接。由于联动升降机构可以将...
    2025-08-27
  • 一种升降承载装置及检测设备
    一种升降承载装置及检测设备_深圳中科飞测科技股份有限公司_202411395260.3
    本发明公开一种升降承载装置及检测设备，升降承载装置包括承载组件和升降驱动组件，升降驱动组件包括直线驱动件、第一直线件和第二直线件，第二直线件设置有至少三个运动导向部，至少三个承载件与至少三个运动导向部一一对应滑动连接。由于升降承载装置可以将...
    2025-08-27
  • 光学感测器装置、光学感测器电路及电子装置
    光学感测器装置、光学感测器电路及电子装置_原相科技股份有限公司_202411372429.3
    本发明公开了一种光学感测器装置、光学感测器电路及电子装置，光学感测器装置设置在加热器装置上并由加热器装置加热的，光学感测器装置另包括印刷电路、第一隔热部分以及热传导装置，光学感测器电路设置于印刷电路的顶部表面上，第一隔热部分的顶部表面接触于...
    2025-08-27
  • 具有散热功能的电力柜
    具有散热功能的电力柜_南京玖时科技有限公司_202510584282.2
    本发明公开了一种具有散热功能的电力柜，包括电力柜和电力柜门，所述电力柜的顶端表面固定连接有蓄电箱，所述蓄电箱的顶端表面固定连接有遮雨板，所述电力柜的下端安装有支撑台，所述电力柜的后端安装有风扇，所述电力柜门安装于电力柜的前端。本发明，通过设...
    2025-08-27
  • 一种雾滴沉积传感器及检测方法
    一种雾滴沉积传感器及检测方法_河北大学_202411354550.3
    本发明公开了一种雾滴沉积传感器，包含基座、上极板、下极板、水平运动装置、步进电机、控制器、第一支撑架、第二支撑架和雾滴遮挡板；上极板与水平运动装置固定连接；所述的第一支撑架和第二支撑架固定于基座上；本发明公开的传感器输出电压变化量与雾滴沉积...
    2025-08-27
  • 执行训练的存储控制器及其操作方法
    执行训练的存储控制器及其操作方法_三星电子株式会社_202411358570.8
    存储控制器包括：多相时钟发生器，生成具有N个不同相位的第一时钟至第N时钟；写入时钟发生器，生成具有与数据模式的位相对应的逻辑状态的监测信号；占空比调节器，调节第一时钟至第N时钟的占空比；偏斜调节器，调节第一时钟至第N时钟中的至少一个的偏斜；...
    2025-08-27
  • 负极集电体、负极和锂金属二次电池
    负极集电体、负极和锂金属二次电池_丰田自动车株式会社_202411346514.2
    本发明公开负极集电体、负极和锂金属二次电池。一种负极集电体，包含树脂和纤维状的导电性填料，其中，所述纤维状的导电性填料的长径比为20以上，所述负极集电体中的所述树脂的含有率为60质量％以上且小于90质量％，所述负极集电体中的所述纤维状的导电...
    2025-08-27
  • 圆柱形二次电池
    圆柱形二次电池_三星SDI株式会社_202411348010.4
    实施例涉及一种圆柱形二次电池。所述圆柱形二次电池包括：电极组件，包括第一电极板、隔膜和第二电极板；壳体，容纳电极组件并且其下端敞开以电连接到第二电极板；第一集流体板，设置在电极组件的顶表面与壳体之间并且电连接到第一电极板；端子，穿过壳体的顶...
    2025-08-27
  • 电池诊断装置和电池诊断方法
    电池诊断装置和电池诊断方法_株式会社LG新能源_202480005747.8
    本发明公开了一种电池诊断装置和电池诊断方法。该电池诊断装置包括：处理器，其被配置为控制刺激施加设备以在直到目标单体的电状态从初始状态改变为目标状态的状态变化时段期间向目标单体间歇地施加大于第一电刺激的第二电刺激；以及通信单元，其被配置为获得...
    2025-08-27
  • 金雀花碱的新用途
    金雀花碱的新用途_广州医科大学_202510452315.8
    本发明提供了金雀花碱的新用途，属于药物领域。本发明提供了金雀花碱在制备治疗肺源性心脏病的药物中的用途。本发明将金雀花碱与多肽偶联，制备的金雀花碱‑多肽偶联化合物(PDC药物)，相比金雀花碱，用量显著降低，效果更好，可改善右心功能紊乱、减少心...
    2025-08-27
  • 储能装置及储能系统
    储能装置及储能系统_深圳海辰平权英雄能源科技有限公司_202411319999.6
    本发明公开了一种储能装置及储能系统，储能装置包括外壳、夹紧件、电池、主板安装件以及电路主板，夹紧件设置于外壳内，且夹紧件具有夹紧空间，电池内置于夹紧空间中，主板安装件内置于外壳内并与夹紧件连接，且主板安装件位于电池的一侧，电路主板内置于外壳...
    2025-08-27
  • 半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统
    半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统_三星电子株式会社_202411314862.1
    一种半导体器件，包括半导体衬底、晶体管、第一层间绝缘层、多个接触部和分离绝缘体。晶体管在半导体衬底上。晶体管包括栅极结构、源极区和漏极区。第一层间绝缘层在晶体管的栅极结构以及源极区和漏极区上。多个接触部穿过第一层间绝缘层，并且电连接到晶体管...
    2025-08-27
  • 一种光催化合成双氘代环丙烷的方法
    一种光催化合成双氘代环丙烷的方法_南京中医药大学_202411305351.3
    本发明属于有机合成化学技术领域，具体为一种双氘代环丙烷化合物的合成方法。在氮气环境中，以环丙烯类化合物为原料,经450‑465nm蓝色光反应器在2,4,5,6‑四(9‑咔唑基)‑间苯二腈作催化剂的条件下，加入碳酸钾，与氘水作用下发生氘代反应...
    2025-08-27
  • 基于UQCC2与METTL3的计算机辅助筛选药物的方法、系统和设备
    基于UQCC2与METTL3的计算机辅助筛选药物的方法、系统和设备_大连医科大学附属第二医院_202510761344.2
    本申请涉及智能医疗领域，具体涉及基于UQCC2与METTL3的计算机辅助筛选药物的方法、系统和设备。本申请首次发现UQCC2在奥希替尼耐药肺癌中显著高表达，并且发现了UQCC2与METTL3间的作用，为奥希替尼耐药肺癌患者诊断、预测奥希替尼...
    2025-08-27
  • 一种钢铁免除锈涂装维护材料及其制备方法
    一种钢铁免除锈涂装维护材料及其制备方法_深圳市嘉达节能环保科技有限公司_202411286689.9
    本发明是一种钢铁免除锈涂装维护材料及其制备方法，属于钢铁防腐技术领域，选用无机改性水性树脂为主要原料，加入多种防锈材料、辅助材料和水混合搅拌配制而成，其组份重量配比：无机改性水性树脂30～50份、锈转化剂1.0～6.0份、碳纳米管分1.0～...
    2025-08-27
  • 图像处理设备、图像评估设备和制造放行系统
    图像处理设备、图像评估设备和制造放行系统_迈恩德电子有限公司_202411286353.2
    本公开涉及一种用于支持压接连接件质量的定性和/或定量评估的图像处理设备(100)、图像评估设备(200)以及用于压接设备的制造放行系统(300)，该压接设备具有根据权利要求7至9中任一项所述的图像评估设备(200)，该图像处理设备具有连接到...
    2025-08-27
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202411284247.0
    根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置包括：包括多个子像素的基板；设置在基板上方并且具有第一开口区域的平坦化层；设置在第一开口区域以及平坦化层的与第一开口区域相邻的侧部的阳极电极；暴露阳极电极的一部分并且具有与第一开口区域对应的第二开口区...
    2025-08-27
  • 半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统
    半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统_三星电子株式会社_202411274840.7
    提供了半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括：堆叠结构，限定在第一方向上延伸的沟道孔；导电结构，在堆叠结构上；以及沟道结构，在沟道孔中，其中，沟道结构包括：沟道介电层，在沟道孔的内表面上；沟道层，在沟道介电层上；第一接...
    2025-08-27
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