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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 一种带有分隔结构的线缆桥架
    一种带有分隔结构的线缆桥架_天津市轩辕电器有限公司_202520250202.5
    本实用新型涉及线缆桥架技术领域，具体的说是一种带有分隔结构的线缆桥架，包括桥架本体、盖体和拆装卡块，所述桥架本体一侧顶部开设有进水口，所述桥架本体内开设有水冷腔，所述桥架本体底部中心位置通过螺栓安装有制冷风机，所述桥架本体内侧底部设有分隔组...
    2026-02-28
  • 一种便于拆装的连接盒扣合结构
    一种便于拆装的连接盒扣合结构_广东宏伙控股集团有限公司_202520457104.9
    本实用新型涉及连接盒技术领域，具体为一种便于拆装的连接盒扣合结构。该便于拆装的连接盒扣合结构包括盒体；盖体，其盖设于所述盒体的上方，所述盖体的后侧与所述盒体的后侧铰接；所述盒体的前侧设有卡紧部，所述盖体的前侧设有扣合部，所述盖体盖合于所述盒...
    2026-02-28
  • 一种新型竖向桥架
    一种新型竖向桥架_上海星杰装饰有限公司_202520494652.9
    本实用新型涉及一种新型竖向桥架，属于桥架技术领域，包括数量为两个的桥架侧板和盖板，所述桥架侧板上设有电缆分隔机构，所述电缆分隔机构包括固定安装于两个桥架侧板相对一侧表面之间固定安装有承重板，所述承重板上表面固定安装有分隔板，所述分隔板相背一...
    2026-02-28
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511540264.0
    方法包括：形成源极/漏极区域；在源极/漏极区域上方形成接触蚀刻停止层；在接触蚀刻停止层上方形成层间电介质；以及实施蚀刻工艺以在层间电介质和接触蚀刻停止层中形成接触开口。源极/漏极区域暴露于接触开口。实施硅化物形成工艺以在源极/漏极区域的表面...
    2026-02-28
  • 一种塑料绝缘的迭层铜排结构
    一种塑料绝缘的迭层铜排结构_贝尔威勒电子(昆山)有限公司_202520387222.7
    本实用新型公开了一种塑料绝缘的迭层铜排结构，涉及服务器多层电路板技术领域，包括绝缘板和第一铜排，所述绝缘板的前侧分布安装有第一铜排和第二铜排，且绝缘板的后侧分别安装有第三铜排和第四铜排，而且第一铜排和第二铜排远离绝缘板的一侧表面热压有第一绝...
    2026-02-28
  • 一种射频线缆的防护装置
    一种射频线缆的防护装置_广东气派科技有限公司_202423263111.X
    本实用新型公开了一种射频线缆的防护装置，包括：射频设备、防护组件；射频设备包括其后端排列设置的线缆端口、线缆端口外端连接的射频线缆；防护组件包括射频设备后端的防护罩、防护罩后部的后防护板、后防护板中排列贯穿开设的多组长孔，射频线缆自对应的长...
    2026-02-28
  • 一种移动群智感知网络用户数据隐私保护方法
    一种移动群智感知网络用户数据隐私保护方法_东北电力大学_202511614635.5
    一种移动群智感知网络用户数据隐私保护方法属于移动群智感知网络隐私保护技术领域。本发明结合了用户数据提取与建模、k‑匿名机制、模糊差分及数据压缩技术，实现从位置隐私、个人身份信息到感知数据的全面保护。该方法通过对移动群智感知网络中采集的用户数...
    2026-02-28
  • 半导体器件中的触件隔离体
    半导体器件中的触件隔离体_IMEC 非营利协会_202010863293.1
    在第一方面，本发明涉及一种形成用于半导体器件的触件隔离体(900)的方法，该方法包括：(a)提供半导体结构，该半导体结构包括暴露其下方触件(600)的沟槽(400)，(b)用牺牲材料(700)填充沟槽(400)的底部，(c)用陶瓷材料(80...
    2026-02-28
  • 芯片内部高速数据传输的差分信号放大装置
    芯片内部高速数据传输的差分信号放大装置_深圳芯欣半导体有限公司_202520445684.X
    本实用新型提供了芯片内部高速数据传输的差分信号放大装置，包括散热组件，所述散热组件包括导热板、散热翅片、压力弹簧、导向杆、两个L形限位座、L形卡接座、限位弹簧、拉板和拉杆；所述散热翅片均匀固定连接于所述导热板的上表面。本实用新型通过将差分信...
    2026-02-28
  • 脉冲电源电路和脉冲电源装置
    脉冲电源电路和脉冲电源装置_清华大学深圳国际研究生院_202423319077.3
    本申请实施例提供了一种脉冲电源电路和脉冲电源装置，涉及电源技术领域。该电路包括：数控单元、功率管阵列单元、和储能阵列单元；功率管阵列单元包括至少两个第一功率管，任意两个第一功率管相互并联；数控单元电连接每一第一功率管，每一第一功率管电连接储...
    2026-02-28
  • 一种高稳定性的拼接式防火槽式桥架
    一种高稳定性的拼接式防火槽式桥架_广州君言节能科技有限公司_202423275988.0
    本实用新型涉及拼接式防火槽式桥架技术领域，尤其涉及一种高稳定性的拼接式防火槽式桥架，包括安装于桥架本体顶部的顶盖，所述桥架本体上设置有提高拼接稳定性的拼接机构。本实用新型通过将榫头和榫肩插入榫槽和榫窝内，从而快速完成两块桥架的拼接，其中榫肩...
    2026-02-28
  • 一种汽车座椅的电机控制系统
    一种汽车座椅的电机控制系统_广汽零部件有限公司_202520126521.5
    本实用新型公开了一种汽车座椅的电机控制系统，包括控制模块、继电器驱动模块、调速驱动模块、电机驱动模块；所述继电器驱动模块包括多个继电器；多个汽车座椅的电机的正极均和同一个继电器连接，且每个汽车座椅的电机的负极分别和一个继电器一对一连接。本实...
    2026-02-28
  • 感光性元件、感光性元件卷、抗蚀图案的形成方法及导体图案的形成方法
    感光性元件、感光性元件卷、抗蚀图案的形成方法及导体图案的形成方法_旭化成株式会社_202480047879.7
    本公开为一种感光性元件卷，其是将具有(A)支承薄膜和(B)包含感光性树脂组合物的感光性树脂层的感光性元件卷绕而成的感光性元件卷，前述(A)支承薄膜的平均厚度为27μm以上，前述(B)感光性树脂层的平均厚度为150μm以上，前述感光性树脂组合...
    2026-02-28
  • 一种半导体封装用微品玻璃载板及其制备方法
    一种半导体封装用微品玻璃载板及其制备方法_江苏宏佰益新材料科技有限公司_202511726368.0
    本发明涉及半导体载板制备领域，具体涉及一种半导体封装用微品玻璃载板的制备方法。本发明的原料包括基础玻璃粉、宏佰益球形料、六方氮化硼微粉、烧结助剂和水基粘结剂。本发明所提供的方法通过高速气流熔渣粒化结合球形造粒工艺制备出宏佰益球形料，再经混合...
    2026-02-28
  • 基于电调焦自适应光学器件的三维光学扫描全息系统
    基于电调焦自适应光学器件的三维光学扫描全息系统_长春理工大学_202610004211.5
    本发明涉及光学成像与检测技术领域，具体涉及一种基于电调焦自适应光学器件的三维光学扫描全息系统，包括以下光学及电气组件：激光器、分束器、声光调制器、第一平面镜、电调焦液体透镜、第一傅里叶透镜、第二平面镜、第二光瞳、第二傅里叶透镜、第二分束器、...
    2026-02-28
  • 量子电信系统中的错误纠正
    量子电信系统中的错误纠正_瑞典爱立信有限公司_202380100366.3
    一种计算机实现的方法(100)，用于在通信网络中传输的源数据的错误纠正编码，其中传输数据包括三态量子比特。该方法包括确定(101)在每个码字中要纠正的传输错误的最大数量。该方法还包括创建(102)构成潜在码字的字的严格分层的非对称图，其中图...
    2026-02-28
  • 包括风力涡轮发电机的发电厂中的功率产出的优先排序方法
    包括风力涡轮发电机的发电厂中的功率产出的优先排序方法_维斯塔斯风力系统集团公司_202080089966.0
    本发明涉及一种用于控制来自发电厂(100)的功率生产的方法，该发电厂包括多个功率产出单元。该方法涉及将第二优先级(pl2)的一个或多个功率产出单元的选择中的每个功率产出单元的最大允许功率生产(Pmax)设定为非零值，其中最大允许功率生产(P...
    2026-02-28
  • 成像装置
    成像装置_索尼集团公司_202480047756.3
    提供了一种具有用于降低风噪声的结构的成像装置。所述成像装置包括：壳体，在所述壳体中形成与内部和外部连通的开口部分；以及麦克风，所述麦克风部署在与开口部分连通的内部空间中。在所述成像装置中，通过将从开口部分延伸至麦克风的内部空间的体积除以开口...
    2026-02-28
  • 一种采用反向传播神经网络校准的借用型逐次逼近式模数转换器
    一种采用反向传播神经网络校准的借用型逐次逼近式模数转换器_浙江芥子半导体科技有限公司_202511173854.4
    本发明公开了一种采用反向传播神经网络校准的借用型逐次逼近式模数转换器，包括：采用三级分体桥式电容阵列的正负电容数模转换器、自举采样开关、自动归零比较器、SAR逻辑控制单元、原始到二进制模块及BPNN校准引擎组成的系统；正负电容数模转换器末端...
    2026-02-28
  • 对准图形及其制备方法、半导体器件、存储器、电子设备
    对准图形及其制备方法、半导体器件、存储器、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411111610.9
    本公开涉及一种对准图形及其制备方法、半导体器件、存储器、电子设备，衬底，衬底上包括前层结构；第一介质层位于前层结构上，第一介质层内包括前层开口图案，前层开口图案暴露出部分前层结构；前层开口图案的至少部分图案为目标对准图案；当层介质层位于第一...
    2026-02-28
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