Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
电子电路装置的制造及其应用技术
  • 本申请公开一种控制PWM互补信号输出的实现装置,与现有技术相比新增第一处理模块、第二处理模块和计算模块,第一处理模块、第二处理模块和计算模块中的触发器对信号延时一个系统时钟周期,第一处理模块、第二处理模块分别对原始信号和延时后的信号进行与运...
  • 一种通信方法和通信装置,其涉及通信技术领域。在该方法中,隐私计算管理节点确定至少一个隐私计算单元的隐私计算资源信息所指示的隐私计算资源并结合用于请求执行隐私计算任务的请求信息为至少一个隐私计算单元中的每个隐私计算单元配置对应的配置信息,从而...
  • 本发明公开了一种VCSEL激光器的偏置电路及其控制方法,涉及光通信技术领域,包括,激光驱动器偏置电路、高压偏置电路及电源,传统偏置电路用于稳定激光器的工作电流与输出功率,高压偏置电路由栅极动态偏置电路、开关管及漏极动态偏置电路组成。本发明通...
  • 本发明公开了一种宽频率三相锁相环方法,涉及三相锁相环技术领域,包括交流信号获取与坐标变换单元、双降阶广义积分器、锁频环频率估计单元、双二阶广义积分器、并联延时信号对消滤波模块、锁相环相位估计单元;三相电网电压信号输入交流信号获取与坐标变换单...
  • 本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域,并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中,一种集成电路结构包括处于ILD层中并由ILD层间隔开的多个导电互连线。多个导电互连线包括第一互连线、以及与第一互连...
  • 本发明提供了一种D型氮化镓开关驱动电路以及开关电源电路,通过D型氮化镓开关的漏极接第一电压,其源极分别耦接至开关模块的第一端以及第一电容的第一端,其栅极耦接至第一控制模块的第一端,第一控制模块的第二端耦接至第一电容的第二端,第二控制模块耦接...
  • 一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:衬底,所述衬底包括相对的第一表面和第二表面;贯穿所述衬底的互连导电结构;位于所述衬底第一表面的第一器件结构,以及,位于所述衬底第二表面的第二器件结构,其中,所述第一器件结构和所述第二器件结构具...
  • 本发明属于安全防护技术领域,具体涉及一种设备日志信息的安全防护方法及系统,其方法包括:无线设备定时向终端发送的日志信息,日志信息以密文的形式发送,密文由日志信息中所有明文数据的加密结果组成,终端将接收的多个无线设备的日志信息存储在数据库中,...
  • 一种半导体器件包括电介质层和局部互连,这些电介质层和局部互连交替地堆叠在衬底上方、并且沿着该衬底的顶表面侧向延伸。这些电介质层的侧壁和这些局部互连的侧壁具有阶梯构型。这些局部互连通过电介质层彼此间隔开,并且具有未被这些电介质层覆盖的部分。该...
  • 本实用新型提供一种患者用的遥控器,包括:壳体,壳体的上表面上设有配合孔,以及与上表面相邻的侧面设有配合槽;提示组件,提示组件活动设于配合孔,用于反应遥控器的运行模式;锁定开关,锁定开关设于配合槽,并与提示组件传动连接;其中,当锁定开关位于第...
  • 本发明公开了一种用于复合材料制件的自适应曲面电加热装置及其制备方法,装置中的硅橡胶基体贴敷于复合材料制件表面,连续石墨烯薄膜铺设在硅橡胶基体表面,形成石墨烯导电层,导电层两端分别设置有带状电极,电极末端连接至温控设备;硅橡胶封装层贴敷于石墨...
  • 本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器件及电子设备。该半导体结构的制备方法包括:提供一衬底;接着制作具有第一沟槽的介质结构,并在第一沟槽内制作牺牲结构、第一接触部和第二接触部;牺牲结构沿垂直于衬底方向延伸并与待形成沟道在衬底上的正投...
  • 本申请涉及电子电路技术领域,公开了一种温度传感系统及电子设备,其中,温度传感系统,包括:前端感测模块,被配置为,感测目标温度以输出第一感测电压和第二感测电压;抗混叠滤波模块,连接前端感测模块,被配置为,对第一感测电压进行抗混叠滤波以生成第一...
  • 本发明提供一种MAC加解密方法、装置及存储介质,涉及通信技术领域,该方法应用于发送设备,包括:基于现场设备的设备标识信息对应的密钥信息,对无线帧中的MAC协议数据单元MPDU进行全加密;向接收设备发送无线帧;无线帧携带有所述设备标识信息。本...
  • 本申请公开了一种基带信号发送方式、设备以及存储介质,涉及无线通信技术领域,方法包括:对调制编码后的基带数据进行分段和拓展处理,得到分段数据;在数字信号处理器中开辟乒乓缓存,并将所述分段数据载入所述乒乓缓存中;通过根升余弦滤波、半带滤波、5/...
  • 一种3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备。所述3D堆叠的半导体器件包括基底以及至少一个堆叠结构;所述至少一个堆叠结构包括多个晶体管,且多个晶体管沿着垂直于所述基底所在平面的方向排布;所述晶体管包括采用金属诱导结晶处理制得的有源层以及至...
  • 本发明公开了一种具有栅极凹槽的金属氧化物半导体场效晶体管元件及其制造方法,其中具有栅极凹槽的金属氧化物半导体场效晶体管元件,其栅极在位于通道区的两侧边缘处分别具有一栅极凹槽延伸至栅极底部,且该栅极的侧壁上具有栅极间隔壁,但该两栅极凹槽的侧壁...
  • 本实用新型公开了一种便于检修的嵌入式可开启组件,涉及自动化控制模板技术领域,包括自动化控制模块盒,所述自动化控制模块盒的内部设有下盖,所述下盖的一侧设有滑动槽,所述下盖的一侧设有上盖扭簧槽,所述下盖的一端设有让位槽,所述下盖的另一侧设有上盖...
  • 本发明实施例公开了一种基于TDS‑OFDM的循环压缩感知(LoopCompressed Sensing, LCS)多径信道估计方法,涉及卫星信道估计技术领域,能够提高对于TDS‑OFDM系统用于卫星通信时的信道估计精度,同时完成信号的可靠恢...
  • 提供一种手持式电子设备。一种便携式电子设备可包括壳体,该壳体包括外壳部件和前盖组件,该外壳部件限定该便携式电子设备的侧外表面,该前盖组件耦接到该外壳部件并且限定该便携式电子设备的前外表面。该前盖组件可包括限定凹口的盖。该便携式电子设备可包括...
技术分类